web-master


ПУБЛИКАЦИИ

    2010

  • А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, О. П. Пчеляков, А. И. Никифоров "Эффективность преобразования солнечной энергии солнечным элементом на основе Si с квантовыми точками Ge" ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА №2 (2010)


  • A.F. Zinovieva, A. S. Lyubin, N. P. Stepina, E. S. Koptev, A. I. Nikiforov, A. V. Dvurechenskii, N. A. Sobolev, M. C. Carmo "Spin dynamics in two-dimensional arrays of quantum dots with different shapes" Quantum Dots - Journal of Physics: Conference Series 245 (2010) PDF-file


  • Ю.Б.Болховитянов, А.С.Дерябин, А.К.Гутаковский, Л.В.Соколов "Гетероэпитаксия пленок GeXSi1-X(x~0.4-0.5) на подложках Si(001), отклоненных к (111): формирование только коротких краевых дислокаций несоответствия в направлении отклонения" ФТТ, том 52, вып. 1 (2010) c.32-36 PDF-file


  • 2009

  • Н.А.Берт, А.Л.Колесникова, В.Н.Неведомский, В.В.Преображенский, М.А.Путято, А.Е.Романов, В.М.Селезнев, Б.Р.Семягин, В.В.Чалдышев "Образование дислокационных дефектов при заращивании квантовых точек InAs в GaAs" ФТП, т.43, N10, (2009) с.1426.


  • И.А.Бобровникова, И.В.Ивонин, В.А.Новиков, В.В.Преображенский "Теоретическое и экспериментальное исследование поверхностных процессов при молекулярно-лучевой эпитаксии нитрида галлия" ФТП, т.43, N3, (2009) с.422-428


  • А.В.Бойцов, Н.А.Берт, В.В.Чалдышев, В.В.Преображенский, М.А.Путято, Б.Р.Семягин "Формирование массива кластеров As в GaAs, выращенном молекулярно-лучевой эпитаксией при низкой температуре и d -легированном фосфором" ФТП, т.43, N2, (2009) с.278


  • В.Н.Неведомский, Н.А.Берт, В.В.Чалдышев, В.В.Преображенский, М.А.Путято, Б.Р.Семягин "Структуры GaAs с квантовыми точками InAs и As, полученные в едином процессе молекулярно-лучевой эпитаксии" ФТП, т.43, N12, (2009) с.1662


  • Л.В.Соколов, А.С.Дерябин, Е.Е.Родякина "Индуцированное углеродом формирование Ge наноостровков при молекулярно-лучевой эпитаксии гетероструктур Ge/CaF2/Si(111)" Автометрия, т.45, N4 (2009) с.56


  • В.В.Чалдышев, М.А.Яговкина, М.В.Байдакова, В.В.Преображенский, М.А.Путято, Б.Р.Семягин "Высокоразрешающие рентгеновские дифракционные исследования структур GaAs, выращенных при низкой температуре и периодически d-легированных сурьмой и фосфором" ФТП, т.43, N8, (2009) с.1117


  • М.В.Якушев, Д.В.Брунев, К.Н.Романюк, А.С.Дерябин, Л.В.Миронова, Ю.Г.Сидоров, А.Е.Долбак "Морфология поверхности подложки Si(310), используемой для молекулярно лучевой эпитаксии CdHgTe: 1. чистая поверхность Si(310)" Поверхность, т.2, (2009) с.41


  • М.А.Путято, Ю.Б.Болховитянов , А.П.Василенко, А.К.Гутаковский "Кристаллическое совершенство пленок GaP, выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках Si с использованием атомарного водорода" ФТП, (2009) том 43, вып. 9 с.1275-1279 PDF-file


  • Р.А.Жачук, К.Н.Романюк, С.А.Тийс, Б.З.Ольшанецкий "Начальные стадии роста Ge на поверхности Si(7 7 10)" ФТТ, (2009) том.51, вып.1 с.189-194 PDF-file


  • А. П. Василенко, А. В. Колесников, Е. М. Труханов "Влияние дальнодействующих сдвиговых напряжений на образование метастабильной дислокационой структуры" Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования - № 1, Январь, (2009), с. 66-70


  • A. A. Kovalev, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, O. P. Pchelyakov and N. N. Rubtsova "Reflective interferometer for investigation of the amplitude-phase characteristics of semiconductor nanostructures" Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics Volume 73, N2 (2009) PDF-file


  • N. P. Stepina, E. S. Koptev, A. V. Dvurechenskii, and A. I. Nikiforov "Strong to weak localization transition and two-parameter scaling in a two-dimensional quantum dot array" PHYSICAL REVIEW B 80, Issue 12 (2009) p.125308 PDF-file


  • N. P. Stepina, E. S. Koptev, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov "The transition from strong to weak localization in two-dimensional array of Ge/Si quantum dots" Microelectronics Journal Volume 40 , Issue 4-5 (2009) p. 766-768


  • A. I. Nikiforov, V. V. Ulyanov, V. A. Timofeev, O. P. Pchelyakov "Wetting layer formation in superlattices with Ge quantum dots on Si(100)" Microelectronics Journal Volume 40 , Issue 4-5 (2009) p. 782-784


  • A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, A. I. Nikiforov, A. V. Dvurechenskii "Hole states in vertically coupled double Ge/Si quantum dots" Microelectronics Journal Volume 40 , Issue 4-5 ( 2009) p. 785-787


  • Yu. N. Drozdov, D. N. Lobanov, A. I. Nikiforov, A. V. Novikov, V. V. Ul'ianov, D. V. Yurasov "Influence of Sublayers Elastic Strains on the Critical Thickness of Stranski-Krastanow Transition for GeSi/Si(001) System" Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques No. 7 (2009) p.61


  • O.A. Shegai, V.I. Mashanov, H.-H. Cheng and O.P. Pchelyakov "Interband photoconductivity of Ge/Si structures with self-organized quantum rings" Physica E: Low-dimensional Systems and NanostructuresVolume 42, Issue 1, November 2009, p. 22-24


  • Zinovieva A.F.,Dvurechenski A. V., Stepina N. P., Deryabin A. S., Nikiforov A. I., Rubinger R. M., Sobolev N. A., Leitao J. P., Carmo M. C. "Asymmetry effect on the spin relaxation in quantum dot structures" Physica status solidi. vol. 6, №4, (2009) pp. 833-836


  • M.V.Baidakova, N.A.Bert, V.V.Chaldyshev, V.N.Nevedomsky, M.A.Yagovkina, V.V.Preobrazhenskii, M.A.Putyato, B.R.Semyagin "Structural study of low-temperature grown superlattices of GaAs with delta-layers of Sb and P" Physica B, 2009, v.404, N23-24, (2009) p.4970


  • Yu.B.Bolkhovityanov and O.P.Pchelyakov "III-V Compounds-on-Si: Heterostructure Fabrication, Application and Prospects" Open Nanoscience Journal, v.3, (2009) p.20-33


  • V.V.Chaldyshev, N.A.Bert, V.N.Nevedomsky, V.V.Preobrazhenskii, M.A.Putyato, B.R.Semyagin "Self-organization of InAs and As quantum dots in GaAs by a combined molecular beam epitaxy process" Physica Status Solidi C, v.6, N12, (2009) p.2698


  • S.B.Erenburg, S.V.Trubina, N.V.Bausk, A.V.Dvurechenskii, A.I.Nikiforov, V.G.Mansurov, K.S.Zhuravlev, S.G.Nikitenko "Microstructure of quantum dots ensembles by EXAFS spectroscopy" Journal of Physics: Conference Series, 2009, v.190, (2009) p.12131


  • Ana V.Girao, Manuel Martins, Sergio Pereira, Tito Trindade, Ruslan Zhachuk, Michel Kazan, Ian M.Watson "Noble Metal Nanocrystals at the Surface of Nitride Semiconductors: Synthesis, Deposition and Surface Characterization" Journal of Nanoscience and Nanotechnology, v.9, (2009) p.1


  • A.Milekhin, S.Mutilin, J.Yukecheva, M.Putyato, A.Vorob'ev, V.Prinz, V.Kolchuzhin, J.Mehner, D.Zahn "Raman scattering on semiconductor microtubes" Physica Status Solidi C, v.6, N9, (2009) p.2060


  • N.N.Rubtsova, N.V.Kuleshov, V.E.Kisel', A.A.Kovalev, S.V.Kuril'chik, V.V.Preobrazhenskii, M.A.Putyato, O.P.Pchelyakov, and T.S.Shamirzaev "Self-mode- locking of the Nd3+:KGd(WO4)2 laser using a multifunctional semiconductor mirror" Laser Physics, v.19, N2, (2009) p.285-289


  • N.M.Santos, B.P.Falcao, J.P.Leitao, N.A.Sobolev, M.C.Carmo, N.S.Stepina, A.Yakimov and A.I.Nikiforov "Optical study of strained double Ge/Si quantum dot Layers" Iop Conference Series: Materials Science and Engineering, v.6, (2009) p.012018


  • S.A.Teys, A.B.Talochkin, B.Z.Olshanetsky "Formation of Ge nanoislands before the completion of a wetting layer in the Ge/Si(111) system" Journal of Crystal Growth, v.311, (2009) p.3898


  • R.Zhachuk S.Teys B.Olshanetsky S.Pereira "Speed determination of single Sr adatoms moving within Si(111)-7x7 half unit cells" Applied Physics Letters, v.95, (2009) p.061901-3


  • R.Zhachuk, S.Pereira. "Comment on atomic structure model of the reconstructed Si(557) surface with a triple step structure: Adatom-parallel dimer model" Physical Review B, v.79, (2009) p.077401


  • 2008

  • Ю.Б.Болховитянов, А.К.Гутаковский, А.С.Дерябин, Л.В.Соколов "Образование краевых дислокаций несоответствия в пленках GeXSi1-X (x~ 0.4-0.5), выращенных на отклоненных подложках Si(001)->(111)" ФТТ, (2008) том 50, вып.10 c.1783-1787 PDF-file


  • Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков «Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок» УФН 178 459 (2008) с.459-480 PDF-file


  • А.С.Паршин, Г.А.Александрова, А.Е.Долбак, О.П.Пчеляков, Б.З.Ольшанецкий, С.Г.Овчинников, С.А.Кущенков "Спектроскопия характеристических потерь энергии отраженных электронов в тонких пленках системы FeXSi1-X" ПЖТФ, том 34, вып. 9 (2008) c.41-48 PDF-file


  • Ю.Б.Болховитянов , А.К.Гутаковский, А.С.Дерябин, О.П.Пчеляков, Л.В.Соколов "Возможности и основные принципы управления пластической релаксацией пленок GeSi/Si и Ge/Si ступенчато изменяемого состава" ФТП, том 42, вып. 1 (2008) с.3-22 PDF-file


  • N. P. Stepina, E. C. Koptev, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov "Effect of screening on slow relaxation of excess conductance in two-dimensional array of tunnel-coupled quantum dots" Physica Status Solidi, Vol. 5 Issue 3 (2008) 689 - 693


  • Н.А.Валишева, Т.А.Левцова, М.А.Путято, Б.Р.Семягин, В.А.Селезнев, В.В. Преображенский "Влияние химической обработки и вакуумого отжига на морфологию поверхности InAs(111)A" Изв.ВУЗов, Физика №9/3 (2008) c.11-15


  • Н.А.Валишева, Т.А.Левцова, М.А.Путято, Б.Р.Семягин, В.А.Селезнев, В.В. Преображенский "Методы получения структурно-совершенной поверхности арсенида индия" Вестник НГУ, Физика т.3 вып.4 (2008)


  • А.В.Васев, М.А.Путято, Б.Р.Семягин, В.В. Преображенский "Исследование сверхструктурного перехода (2х4)-(3х1(6)) на поверхности GaAs(001) методом ДБЭО" Изв.ВУЗов, Физика №9/3 (2008) c.34-39


  • А.В.Васев, М.А.Путято, Б.Р.Семягин, В.В. Преображенский "Кинетика реконструированного перехода (2х4)-(3х1(6)) на поверхности арсенида галлия" Вестник НГУ, Физика т.3 вып.3 (2008) c.88-94


  • А.В.Васев, М.А.Путято, Б.Р.Семягин, В.А.Селезнев, В.В. Преображенский "Влияние структурного состояния поверхности на формирование рельефа и морфологию слоев GaAs(001) при молекулярно-лучевой эпитаксии и вакуумном отжиге". Изв.ВУЗов, Физика т.9 (2008) с.15-13


  • А.В.Васев, М.А.Путято, Б.Р.Семягин, В.А.Селезнев, В.В.Преображенский "Роль реконструированных состояний в формировании рельефа поверхности арсенида галлия при молекулярно-лучевой эпитаксии и вакуумном отжиге". Вестник НГУ, Физика т.3 вып.4 (2008)


  • A.А. Ковалев, В.В. Преображенский, М.А.Путято, О.П.Пчеляков, Н.Рубцова "Отражательный интерферометр для исследования аплитудно-фазовых характеристик полупроводниковых наноструктур" Изв. РАН, серия физика т.72, №5 (2008) c.771-773


  • М.А.Путято, Б.Р.Семягин, А.В.Васев, В.В.Преображенский "Влияние реконструированного состояния поверхности на процессы встраивания мышьяка при молекулярно-лучевой эпитаксии арсенида галлия" Вестник НГУ, Физика т.3 вып.3 (2008) c.81-87


  • М.А.Путято, Б.Р.Семягин, А.В.Васев, В.В.Преображенский "Встраивание мышьяка в кристалл GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии" Изв.ВУЗов, Физика №9/3 (2008) с.23-28


  • Н.Н.Рубцова, О.В.Буганов, А.А.Ковалев, М.А.Путято, В.В.Преображенский, О.П.Пчеляков, С.А.Тихомиров, Т.С.Шамирзаев "Кинетика отражения в области экситонных переходов в полупроводниковых наноструктурах" Изв. АН Физика т.72 №5 (2008) с.755-757


  • Ж.В.Смагина, В.А.Зиновьев, А.В.Ненашев, А..Двуреченский, В.А. Армбристер, С.А.Тийс "Самоорганизация Ge наноостровков при импульсном облучении пучком низкоэнергетических ионов в процессе гетероэпитаксии Ge/Si(100)." ЖЭТФ, т.133, в.3 (2008) с.593-604


  • М.Я. Якушев, Д.В.Брунев, К.Н.Романюк, А.Е. Долбак, А.С.Дерябин, Л.В.Миронова, Ю.Г.Сидоров "Морфология поверхности подложки Si(310), используемой для молекулярно-лучевой эпитаксии CdHgTe:I. Чиcтая поверхность" Поверхность т.2 (2008) с.41


  • Yu.B.Bolkhovityanov, A.K.Gutakovskii, A.S.Deryabin and L.V.Sokolov "Formation of Misfit Edge Dislocations in GeXSi1-X Films (x~0.4-0.5) Grown on Tilted Si(001) (111) Substrates" Physics of the Solid State, v. 50, N10,(2008) p.1857-1861


  • Yu.V.Bolkhovityanov, A.K.Gutakovskii, A.S.Deryabin, O.P.Pchelyakov, and L.V.Sokolov. "Potentialities and basic principles of controlling the plastic relaxation of GeSi/Si and Ge/Si films with stepwise variation in the composition" Semiconductors, v. 42, N1 (2008) p.1-20


  • Yu.V.Bolkhovityanov, A.K.Gutakovskii, A.S.Deryabin, and L.V.Sokolov "Features of formation and propagation of 600 and 900 misfit dislocations in GeXSi1-X/Si (x~0.4-0.5) films caused by Si substrate misorientation from (001)" Appl. Phys. Lett., (2008) v.92, (2008) p.131901


  • Yu.V.Bolkhovityanov, A.S.Deryabin, A.K.Gutakovskii, L.V.Sokolov "Formation of edge misfit dislocations in GeXSi1-X (x=0.4-0.5) films grown on misoriented (001)-(111)Si substrates" J. Cryst. Growth v.310, (2008) p.3422-3427


  • I.B.Chistokhin, O.P.Pchelyakov, E.G.Tishkovsky, V.I.Obodnikov, V.V.Maksimov, A.A.Ivanov, E.Gramsch "Silicon avalanche photodiodes for particle detection" Proceedings SPIE, v.7025 (2008) p.70250L


  • A.E.Dolbak, B.Z.Olshanetsky "Effect of adsorbed Sn on Ge diffusivity on Si(111) surface" Cent. Eur. J. Phys., v.6, N3, (2008) p.634-637


  • E.I.Gatskevich, G.D.Ivlev V.A.Volodin, A.V.Dvurechenskii, M.D.Efremov, A.I.Nikiforov, and A.I.Yakimov "Influence of pulsed laser annealing on the properties of Ge quantum dots in Si matrix" Proc. SPIE, v.7005, (2008) p.70052E


  • J.P.Leitao, N.A.Sobolev, M.R.Correia, M.C.Carmo, N.Stepina, A.Yakimov, A.Nikiforov, S.Magalhгes, E.Alves "Electronic properties of Ge islands embedded in multilayer and superlattice structures" Thin Solid Films v.517, (2008) p.303-305


  • O.V.Naumova, Y.V.Nastaushev, S.N.Svitasheva, L.V.Sokolov, P.Werner, N.D.Zakharov, T.A.Gavrilova, F.N.Dultsev and A.L.Aseev "MBE-grown Si whisker structures: morphological, optical and electrical properties" Nanotechnology, v.19, (2008) p.225708-225713


  • A.I.Nikiforov, V.V.Ulyanov, S.A.Teys, A.K.Gutakovsky, O.P.Pchelyakov "The influence of elastic strains on the growth and properties of vertically ordered Ge "hut"-clusters" Thin Solid Films, v.517 (2008) p.69-70


  • A.I.Nikiforov, V.V.Ulyanov, V.A.Timofeev, O.P.Pchelyakov "Wetting-layer formation in superlattices with Ge quantum dots on Si(100)" Microelectronics Journal v.10, 1016, N 11, (2008) p.14


  • O.P.Pchelyakov, A.I.Nikiforov, B.Z.Olshanetsky, S.A.Teys, A.I.Yakimov, S.I.Chikichev "MBE growth of ultra small coherent Ge quantum dots in silicon for applications in nanoelectronics" Journal of Physics and Chemistry of Solids v.69, (2008) p.669-672


  • N.N.Rubtsova, O.V.Buganov, A.A.Kovalyov, M.A.Putyato, V.V.Preobrazhenski, O.P.Pchelyakov, S.A.Tikhomirov, and T.S.Shamirzaev "Reflectivity kinetics in the vicinity of exciton transitions in semiconductor nanostructures" Proc. SPIE v.7024 (2008) p.70240O


  • N.N.Rubtsova, A.A.Kovalyov, M.A.Putyato, V.V.Preobrazhenskii, O.P.Pchelyakov, V.A.Reshetov, T.S.Shamirzaev "Coherent Control of Transient Optical Phenomena: Molecules, Atoms, and Nanostructures" Laser Physics, v.17, N 4 (2008) p.576-582


  • V.A.Shvets, I.E.Tyschenko, S.I.Chikichev, V.Yu.Prokopiev "Real-time ellipsometric study of Ge+ ion implanted SiO2 layers during fast annealing" Phys. Stat. Sol. (c) v.5, N5, (2008) p.1287-1289


  • S.N.Svitasheva, V.G.Mansurov, K.S.Zhuravlev, A.Yu.Nikitin, D.V.Sheglov, and B.Pecz. "Correlation between optical properties of MBE films of AlN and morphology of their surface" Physica status solidi (a), v.205, N4, (2008) p.941-944


  • S.N.Svitasheva, V.A.Gritsenko, B.A.Kolesov "Optical properties of TiO2 films made by air oxidation of Ti" Physica Status Solidi C, v.5, N5, (2008) p.1101-1104


  • S.Teys, B.Olshanetsky, R.Zhachuk, S.Pereira, G.Norga "Sr induced 1D-striped surface reconstructions formed on Si(111)" Appl. Phys. Lett., v.93 (2008) p.161912


  • A.I.Yakimov, A.A.Bloshkin, A.I.Nikiforov, and A.V.Dvurechenskii "Hole states in vertically coupled double Ge/Si quantum dots" Microelectronics Journal, v.10, p.1016, N 11 (2008) p.15


  • A.F.Zinoveva, A.V.Dvurechenskii, N.P.Stepina, A.S.Deryabin, A.I.Nikiforov. R.Rubinger, N.A.Sobolev, J.P.Leitao, M.C.Carmo "Spin resonance of electrons localized on Ge/Si quantum dots" Phys. Rev. B, v.77 (2008) p.115319


  • 2007

  • A. A. Kovalyov, O.P.Pchelyakov, V.V.Preobrazhenskii, M. A. Putyato and N. N. Rubtsova "A new technique to measure the phase characteristics of laser mirrors based on semiconductor heterostructures" Laser Physics Vol. 17, Num.4 (2007) p.478-481


  • Ю.Б.Болховитянов, А.С.Дерябин, А.К.Гутаковский, А.В.Колесников, Л.В.Соколов "Пластическая релаксация пленок GeSi/Si(001), выращенных в присутствии сурфактанта Sb методом молекулярнрой эпитаксии" Физика и техника полупроводников т.41, вып.10 (2007) с.1251-1256 PDF-file


  • К.Б.Фрицлер, Е.М.Труханов, В.В.Калинин, П.Л.Смирнов, А.В.Колесников, А.П.Василенко "In situ контроль структуры кристаллов бестигельного Si(111) на основе поведения реберных выступов" Письма в ЖТФ т.33 вып.12 (2007) с.55-60 PDF-file


  • K. B. Fritzler, E. M. Trukhanov, V. V. Kalinin, P. L. Smirnov, A. V. Kolesnikov and A. P. Vasilenko "In situ monitoring of floating-zone-grown Si(111) crystal structure using the behavior of ridgelike protrusions" Technical Physics Letters vol.33 №6 2007 p.521-523


  • Р.А.Жачук, С.А.Тийс, Б.З.Ольшанецкий "Исследование начальных стадий роста Pb на поверхности Si(7 7 10) методом сканирующей туннельной микроскопии" ФТП, том 41, вып. 5 (2007) c.580-583 PDF-file


  • В.А.Володин , М.Д.Ефремов, А.И.Якимов, Г.Ю.Михалев, А.И.Никифоров, А.В.Двуреченский "Определение из данных спектроскопии комбинационного рассеяния света состава и деформаций в наноструктурах на основе GeXSi1-X с учетом вклада гетерограницы" ФТП, том 41, вып. 8 (2007) c.950-954 PDF-file


  • A. I. Nikiforov, V. V. Ulyanov, S. A. Teys, A. K. Gutakovsky, O. P. Pchelyakov, A. I. Yakimov, A. Fonseca, J. P. Leitao, N. A. Sobolev "MBE growth of vertically ordered Ge quantum dots on Si" Physica Status Solidi, Vol. 4, Issue 2 (2007) 262 - 264


  • 2006

  • А.Г.Милехин, В.В.Варавин, А.И.Никифоров, О.П.Пчеляков, Д.Е.Маев, N.Vogel, D.R.T.Zahn "Комбинационное рассеяние света лазерно-модифицированными структурами с квантовыми точками Ge/Si" Физика Твердого Тела 48, вып. 11 (2006) с.2063 PDF-file


  • A. I. Yakimov, A. I. Nikiforov, and A. V. Dvurechenskii "Localization of electrons in multiple layers of self-assembled GeSi/Si islands" Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 163126 PDF-file


  • A.I.Yakimov, A.I.Nikiforov, A.V.Dvurechenskii, V.V.Ulyanov, V.A.Volodin and R.Groetzschel "Effect of the growth rate on the morphology and structural properties of hut-shaped Ge islands in Si(001)" Nanotechnology 17 (2006) 4743–4747 PDF-file


  • Ю.Б.Болховитянов, А.С.Дерябин, А.К.Гутаковский, М.А.Ревенко, Л.В.Соколов "О зарождении дислокаций несоответствия с поверхности при выращивании пленок GeSi/Si(001) методом низкотемпературной (300-4000С) молекулярной эпитаксии" Физика и Техника Полупроводников 40, вып. 3 (2006) с.324 PDF-file


  • В.А.Володин, А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, М. Д. Ефремов, Е.И. Гацкевич, Г.Д. Ивлев, Г.Ю. Михалев "Модификация квантовых точек в наноструктурах Ge/Si импульсным лазерным облучением" - ФТП 240, вып.2 (2006) c. 207-214 PDF-file


  • К.Н.Романюк, С.А.Тийс, Б.З.Ольшанецкий "Исследование методом сканирующей туннельной микроскопии процессов роста и самоорганизации наноструктур Ge на вицинальных поверхностях Si(111)" Физика Твердого Тела 48, вып. 9 (2006) с.1716 PDF-file


  • В.А. Володин, М.Д. Ефремов, А.С. Дерябин, Л.В.Соколов "Определение состава и механических деформаций в GexSi(1-x)-гетероструктурах из данных спектроскопии комбинационного рассеяния света: уточнение параметров модели" Физика и техника полупроводников т.40, вып.11 (2006) 1349-1355 PDF-file


  • А.В.Бойцов, Н.А.Берт, Ю.Г.Мусихин, В.В.Чалдышев, М.А.Яговкина, В.В.Преображенский, М.А.Путято, Б.Р.Семягин "Влияние изовалентного легирования фосфором на кластерообразование в арсениде галлия, выращиваемом методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре" Физика и техника полупроводников т.40, вып. 7 (2006) 778-782 PDF-file


  • 2005

  • Mashanov V.I., Cheng H.-H., Chia C.-T., Chang Y.-H. "Raman Study of Si-Ge Intermixing in Ge Quantum Rings and Dots" Physica E 28 (2005) 531–536 PDF-file


  • A.I.Nikiforov, V.V.Ulyanov, O.P.Pchelyakov, S.A.Teys and A.K.Gutakovsky "Germanium Nanoislands Formation on Silicon Oxide Surface by MBE" Materials Science in Semiconductor Processing, Issues 1-3, vol.8, (2005) p.47–50 PDF-file


  • A. Fonseca, N. Franco, E. Alves, N.P. Barradas, J.P. Leitao, N.A. Sobolev, D.F. Banhart, H. Presting, V.V. Ulyanov, A.I. Nikiforov "High resolution backscattering studies of nanostructured magnetic and semiconducting materials", Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 241 (2005) p.454–458 PDF-file


  • О.П.Пчеляков, А.В.Двуреченский, А.И.Никифоров, Н.А.Паханов, Л.В.Соколов, С.И.Чикичев, А.И.Якимов "Наногетероструктуры Si-Ge-GaAs для фотоэлектрических преобразователей" ФТТ т.47, вып.1 (2005) с. 63-66 PDF-file


  • I.L. Drichko, A.M. Diakonov, V.I. Kozub, I.Yu. Smirnov, Yu.M. Galperin, A.I. Yakimov and A.I. Nikiforov "AC-hopping conductance of self-organized Ge/Si quantum dot arrays" Physica E 26, № 1-4, (2005) c.450-454 PDF-file


  • А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, Г.М. Миньков, А.А. Шерстобитов, А.И. Никифоров, А.А. Блошкин "Прыжковая проводимость и кулоновские корреляции в двумерных массивах квантовых точек Ge/Si" - ЖЭТФ 127, вып. 4, (2005) c.817-826


  • N.P. Stepina, A.I. Yakimov, A.V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii, A.V. Peregoedov, A.I. Nikiforov "Hopping photoconductivity and its long-time relaxation in two-dimensional array of Ge/Si quantum dots" - Phys. Stat. Sol. (c) 2, № 8, (2005) c.3118-3121


  • A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, V.A. Volodin, M.D. Efremov, A.I. Nikiforov, G.Yu. Mikhalyov, E.I. Gatskevich, G.D. Ivlev "Effect of pulsed laser action on hole energy spectrum of Ge/Si self-assembled quantum dots" - Phys. Rev. B 72, № 11, (2005) c.115318 PDF-file


  • V. Dvurechenskii, J.V. Smagina, R.Groetzschel, V.A. Zinoviev, V.A. Armbrister, P.L. Novikov, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii "Ge/Si quantum dot nanostructures grown with low-energy ion beam-epitaxy" Surface & Coating Technology V.196, No. 1-3, (2005) c.25-29


  • S.B. Erenburg, N.V. Bausk, L.N. Mazalov, A.I. Nikiforov, A.I. Yakimov "Quantum dots microstructure and energy spectrum peculiarities" Physica Scripta, 115, (2005) c.439-441


  • V.A.Volodin, M.D. Efremov, D.A. Orekhov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, V.V. Ulyanov, A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii "Ge dots on Si(111) and (100) surfaces with SiO2 coverage: Raman study" Physika E23, (2004) 320-323


  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov "Heterostructures GexSi1-x/Si(001) grown by low-temperature (300–4000C) molecular beam epitaxy: Misfit dislocation propagation" Journal of Crystal Growth 280/1-2 (2005) 309–319
  • PDF-file

  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov "Heterostructures GexSi1-x/Si(001) (x = 0.18 - 0.62) grown by molecular beam epitaxy at a low (3500С) temperature: specific features of plastic relaxation" Thin. Solid Films, v 466/1-2, (2005) p. 69 - 74


  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov "Enhanced strain relaxation in a two-step process of GexSi1-x/Si(001) heterostructures grown by low-temperature molecular-beam epitaxy" Appl. Phys. Lett., 84, 23, (2005) c.4599-4601


  • Ю.Б. Болховитянов, А.С. Дерябин, А.К. Гутаковский, М.А. Ревенко, Л.В. Соколов "Оптимизация пластической релаксации механических напряжений несоответствия в гетероструктурах GexSi1-x/Si(001) (x <= 0.61)" Письма в ЖТФ 30, в. 2, (2005) c.61-65 (2005)


  • А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В.Кириенко, А.И. Никифоров "Ge/Si- фотодиоды и фототранзисторы со встроенными слоями квантовых точек для волоконно-оптических линий связи" ФТТ т.47, вып.1, (2005) c.37-40


  • Т.С.Шамирзаев, М.С.Сексенбаев, К.С.Журавлев, А.И. Никифоров, В.В. Ульянов, О.П. Пчеляков "Фотолюминесценция квантовых точек германия, выращенных в кремнии на субмонослое SiO2" ФТТ т.47, вып.1, (2005), c.80-82 PDF-file


  • О.А.Шегай, А.Ю.Березовский, А.И.Никифоров, В.В.Ульянов "Фотопроводимость структур Si/Ge/SiOx и Si/Ge/Si с квантовыми точками германия" ФТТ т.47, вып.1, (2005) c.33-36


  • М.Я. Валах, Р.Ю. Голиней, В.Н. Джаган, З.Ф. Красильник, О.С. Литвин, Д.Н. Лобанов, А.Г. Милехин, А.И. Никифоров, А.В. Новиков, О.П. Пчеляков, В.А. Юхимчук "Спектроскопия комбинационного рассеяния света и электроотражение самоорганизованных SiGe-наноостровков, сформированных при различных температурах" ФТТ т.47, вып.1, (2005), c.54-57 PDF-file


  • А.И.Никифоров, В.В.Ульянов, О.П.Пчеляков, С.А.Тийс, А.К.Гутаковский "Получение наноостровков Ge ультрамалых размеров с высокой плотностью на атомарно-чистой поверхности окиси Si" ФТТ т.47, вып.1, (2005) c.67-69 PDF-file


  • А.В.Зверев, И.Г.Неизвестный, И.А.Рейзвих, К.Н.Романюк, С.А.Тийс, Н.Л.Шварц, З.Ш.Яновицкая "Причины устойчивости трехбислойных островков и ступеней на поверхности Si(111)" ФТП, Т.39, в.8, (2005) c.1002-1011


  • Fedorchenko A.I., Mashanov V.I., Cheng H.-H., Wang A.-V. "Wrinkling of a debonded intially compressed Si1-xGex films" Journal of Mechanics Vol.21, No. 3, (2005) c.131-135


  • Golod S.V., Prinz V.Ya., Mashanov V.I. "Directional-rolling method for strained SiGe/Si films and its application for fabrication of hollow needles" Thin Solid Films, Vol. 489, (2005) c.169


  • A.I. Nikiforov, V.V. Ulyanov, O.P. Pchelyakov, S.A. Teys and A.K. Gutakovsky. "Germanium Nanoislands Formation on Silicon Oxide Surface by MBE" Mater. Sci. Semicond. Process.Vol. 8, No.1-3, (2005) c.47-50


  • 2004

  • A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, A.I. Nikiforov, A.A. Bloshkin, and M.N. Timonova "Two-dimensional phononless VRH conduction in arrays of Ge/Si quantum dots" Phys. Stat. Sol. (c) 1, №1 (2004) р.51-54


  • О.П.Пчеляков, В.В.Блинов, А.И.Никифоров, Л.В.Соколов, Л.Л.Зворыкин, А.И.Иванов, В.В.Тесленко, И.В.Чурило, A.A. Загребельный "Полупроводниковые вакуумные технологии в космическом пространстве: история, состояние, перспективы" Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, № 6, (2004) pp. 69-76


  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov "Heterostructures GexSi1-x/Si(001)(x = 0.18 - 0.62) grown by molecular beam epitaxy at a low (3500С) temperature: specific features of plastic relaxation" Thin. Solid Films, v. 466/1-2, (2004) p. 69 - 74


  • N.P. Stepina, A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, and A.I. Nikiforov "Non-Equilibrium Transport in Arrays of Type-II Ge/Si Quantum Dots" Phys. Stat. Sol. (c) 1, No.1, (2004) p.21-24


  • А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, Г.Ю. Михалев "Правило Мейера-Нельделя в процессах термоэмиссии и захвата дырок в квантовых точках Ge/Si" – Письма в ЖЭТФ 80, вып. 5, (2004) p.367-371


  • Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov "Enhanced strain relaxation in a two-step process of GeхSi1-x/Si(001) heterostructures grown by low-temperature molecular-beam epitaxy" Appl. Phys. Lett., 84, №23, (2004) p.4599-4601


  • Ю.Б. Болховитянов, А.С. Дерябин, А.К. Гутаковский, М.А. Ревенко, Л.В. Соколов "Оптимизация пластической релаксации механических напряжений несоответствия в гетероструктурах GeхSi1-x/Si(001)(x <= 0.61)" Письма в ЖТФ, 30, в. 2, (2004) c.61-65


  • В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, М.А. Путято, Т.Х. Хамзин, В.Г. Мансуров, А.И. Торопов, О.П. Пчеляков "Получение пленок GaN заданной полярности методом молекулярно-лучевой эпитаксии на Al2O3(0001)" - "Нанотехнологии в полупроводниковой электронике" отв. ред. ч.-корр. РАН А.Л. Асеев, Новосибирск, издательство СО РАН, (2004) с.33-41


  • К.С. Журавлев, В.Г. Мансуров, В.В. Преображенский, Ю.Г. Галицын, Б.Р. Семягин, В.А. Колосанов, О.А. Шегай, М.А. Ревенко, А.К. Гутаковский, А.В. Латышев, Т.С. Шамирзаев, А.Б. Талочкин, В.И. Ободников, В.Н. Овсюк "Исследование процессов роста и свойств AlGaN/GaN - структур для мощных СВЧ- транзисторов на подложках сапфира" - "Нанотехнологии в полупроводниковой электронике" отв. ред. ч.-корр. РАН А.Л. Асеев, Новосибирск, издательство СО РАН, (2004) с.298-308


  • I.N. Demchenko, K. Lawniczak-Jablonska, K.S. Zhuravlev, E. Piskorska, A.I. Nikiforov, E. Welter "Local microstructure of Ge layers buried in a silicon crystal studied by extended X-ray absorption fine structure". Journal of Alloys and Compounds 362 (2004) 156-161


  • A.I. Nikiforov, V.V. Ul'yanov, O.P. Pchelyakov, S.A. Teys, and A.K. Gutakovskii "Growth and Structure of Ge Nanoislands on an Atomically Clean Silicon Oxide Surface" Physics of the Solid State, Vol. 46, No.1, (2004) pp. 77-79


  • A.I. Nikiforov, V.V. Ulyanov, A.G. Milekhin, O.P. Pchelyakov, S.A. Teys, S. Schulze, and D. R. T. Zahn "Formation of Ge nanoislands on pure and oxidized Si surfaces by MBE" Phys. stat. sol. (c) 1, No.2, (2004) pp.360-363


  • А.Г. Милехин, А.И. Никифоров, М.Ю. Ладанов, О.П. Пчеляков, Ш. Шульце, Д.Р.Т. Цан "Резонансное комбинационное рассеяние света напряженными и срелаксированными Ge квантовыми точками" ФТТ т.46, вып.1, (2004) c.94-97


  • А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.И. Якимов "Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками" Физика низких температур т. 30, № 11, (2004) с. 1-11


  • Ю.Б. Болховитянов, С.Ц. Кривощапов, А.И. Никифоров, Б.З. Ольшанецкий, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов, С.А. Тийс "Пути получения упорядоченных гетероструктур Ge-Si с германиевыми нанокластерами предельно малых размеров" ФТТ т.46, вып.1, (2004) c.67-69


  • О.А. Шегай, В.А. Марков, А.И. Никифоров "Индуцированная межзонным светом ступенчатая фотопроводимость структур Si/Ge с квантовыми точками" ФТТ т.46, вып.1, (2004) 77-79.


  • А.И. Никифоров, В.В. Ульянов, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.К. Гутаковский "Рост и структура наностровков Ge на атомарно-чистой поверхности окиси Si" ФТТ т.46, вып.1, (2004) c.80-82


  • O.A. Shegai, V.A. Markov, and A.I. Nikiforov "Stepwise Dependence of the Photoconductivity of Si/Ge Structures with Quantum Dots on the Interband Illumination Intensity" Phys. Solid State 46, (2004) 74


  • Yu.B. Bolkhovityanov, S.Ts. Krivoshchapov., A.I. Nikiforov, B.Z. Ol'shanetski, O.P. Pchelyakov, L.V. Sokolov, and S.A. Teys "Synthesis of Ordered Ge-Si Heterostructures Containing Ultrasmall Germanium Nanoclusters " Phys. Solid State 46, (2004) 64


  • Л.В. Соколов, А.С. Дерябин, А.И. Якимов, О.П. Пчеляков, А.В. Двуреченский "Самоформирование квантовых точек Ge в гетероэпитаксиальной системе CaF2/Ge/CaF2/Si и создание туннельно-резонансного диода на ее основе" ФТТ Т. 46, №1, (2004) с.91-93


  • L. V. Sokolov, A. S. Deryabin, A. I. Yakimov, O. P. Pchelyakov, A. V. Dvurechenskii "Self-Assembling of Ge Quantum Dots in the CaF2/Ge/CaF2/Si Heteroepitaxial System and the Development of Tunnel-Resonance Diode on Its Basis" Physics of the Solid State 46 (1), (2004) 89-91


  • А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, Н.П. Степина, А.И. Никифоров, В.В. Ульянов, С.В. Чайковский, В.А. Володин, М.Д. Ефремов, М.С. Сексенбаев, Т.С. Шамирзаев, К.С. Журавлев "Волноводные Ge/Si-фотодиоды со встроенными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий связи" ФТП т.38, вып.10, (2004) c.1265-1269


  • V.A.Volodin, M.D. Efremov, D.A. Orekhov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, V.V. Ulyanov, A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii "Ge dots on Si(111) and (100) surfaces with SiO2 coverage: Raman study" Physika E23, (2004) p.320-323


  • Д.Н. Придачин, А.К. Гутаковский, Ю.Г. Сидоров, И.В. Сабинина, М.В. Якушев, А.В. Колесников, Т.С. Шамирзаев "Получение эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур на подложках арсенида галлия (310)". Изв. ВУЗов. Приборостроение т.47, №9 (2004) с.30-34


  • 2003

  • A. I. Nikiforov, V. A. Cherepanov, and O. P. Pchelyakov "Changes in the Morphology of the Surface and in the Surface Lattice Parameter of a Germanium Film on Silicon During Molecular Beam Epitaxy" - RJ of Physical Chemistry vol. 77, №10 (2003) p.1673


  • Y.Wakayama, L.Sokolov, N. Zakharov, P.Werner, U.Gosele "Stabilization and fine control of Ge dot structures on Si(100) by C cover layer" Journal of Appl.Phys., V 93, N 1, (2003) 765-767


  • О.А. Шегай, К.С. Журавлев, В.А. Марков, А.И. Никифоров, А.Ш. Шаймуратова "Латеральная фотопроводимость напряженных Si/Ge/Si структур с квантовыми точками германия" Известия академии наук. Серия физическая. т.67, №2, (2003) с.189-192.


  • Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов, С.И. Чикичев. "Искусственные подложки GeSi для гетероэпитаксии - достижения и проблемы". Обзор. ФТП Т. 37 №5 (2003) стр. 513-538 PDF-file

  • Putyato M.A., Preobrazhenskii V.V., Semyagin B.R., Bolkhovityanov Yu.B., Gilinsky A.M., Gutakovskii A. K., Revenko M.A., Pchelyakov O.P., and Feklin D.F.. "InGaAsP/InGaP superlattices by conventional MBE with molten metal solution phosphorus source". J. Cryst. Growth v. 247 №1-2 January (2003) 23-27


  • V.G. Mansurov, Yu.G. Galitsyn, V.V. Preobrazhenskii, and K.S. Zhuravlev "Growth kinetics of (0001)GaN from Ga and NH3 fluxes" - Phys. Stat. Sol., (2003) 1-4


  • А.И. Никифоров, В.А.Черепанов, О.П.Пчеляков. "Изменение морфологии поверхности и параметра поверхностной решетки пленки Ge на Si в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии". - Журнал физической химии, Т. 77 № 10 (2003) с. 1896-1899


  • A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii, A.I.Nikiforov, V.V.Ulyanov, A.G.Milekhin, A.O.Govorov, S.Schulze, and D.R.T. Zahn. "Stark effect in type-II Ge/Si quantum dots". - Phys. Rev. B 67 № 12 (2003) 125318 PDF-file


  • А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, А.А. Блошкин. "Безфононная прыжковая проводимость в двумерных слоях квантовых точек". - Письма в ЖЭТФ 77 вып. 7 (2003) 445-449


  • A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, and A.A. Bloshkin. "Phononless hopping conduction in two-dimensional layers of quantum dots". - JETP Letters 77 №3 (2003) 376-380


  • В.А. Володин, Е.И. Гацкевич, А.В. Двуреченский, М.Д. Ефремов, Г.Д. Ивлев, А.И. Никифоров, Д.А. Орехов, А.И. Якимов. "Модифицирование нанокластеров германия в кремнии под действием импульсного лазерного излучения". - Физика и техника полупроводников 37 вып. 11 (2003) 1352-1357 PDF-file


  • V.A. Volodin, E.I. Gatskevich, A.V. Dvurechenskii, M.D. Efremov, G.D. Ivlev, A.I. Nikiforov, D.A. Orekhov, A.I. Yakimov. "Pulsed-laser modification of germanium nanoclusters in silicon." - Semiconductors 37 № 11 (2003) 1315-1320


  • А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, С.В. Чайковский, С.А. Тийс. "Фотодиоды Ge/Si со встроенными слоями квантовых точек Ge для ближней инфракрасной области (1.3-1.5 мкм)". - Физика и техника полупроводников 37 вып. 11 (2003) 1383-1388


  • A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, S.V. Chaikovskii, and S.A. Tiis. "Ge/Si photodiodes with embedded arrays of Ge quantum dots for the near infrared region". - Semiconductors 37 № 11 (2003) 1345-1349


  • A.I. Yakimov, A.V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii, and M.N. Timonova. "Many-electron Coulomb correlations in hopping transport along layers of quantum dots". - JETP Letters 78 № 4 (2003) 241-245


  • S. Erenburg, N. Bausk, L. Mazalov, A. Nikiforov, A. Yakimov. "Ge quantum dots structural peculiarities depending on the preparation conditions". - J. Synchrotron Radiation 10 № 5 (2003) 380-383


  • A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, A.I. Nikiforov. "Evidence for two-dimensional correlated hopping in arrays of Ge/Si quantum dots". - Phys. Rev. B 68 № 23 (2003) 205310


  • А.В. Двуреченский, А. П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев, И. А. Рязанцев, И. А. Никифоров, О. П. Пчеляков. "Фотоусиление сигнала Si/Ge переходом, содержащим квантовые точки". - Прикладная физика 2 (2003) 69-76


  • Н. П. Степина, А. И. Якимов, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, А.И. Никифоров. "Прыжковая фотопроводимость и ее долговременная кинетика в гетеросистеме с квантовыми точками Ge в Si". - Письма в ЖЭТФ 78 № 9 (2003) 1077-1081


  • A. L. Aseev, O. P. Pchelyakov, and A. I. Toropov "PHYSICS AND TECHNOLOGY OF III-V HETEROSTRUCTURES: CURRENT STATUS AND TRENDS IN THE DEVELOPMENT" Russian Physics Journal, Vol. 46, No. 6 (2003) p. 552 PDF-file

  • Ю.Б. Болховитянов, А.С. Дерябин, А.К. Гутаковский, М.А. Ревенко, Л.В. Соколов. "Оптимизация пластической релаксации механических напряжений несоответствия в гетероструктурах GexSi1-x/Si(001)
    (x <= 0.61)".- Письма в ЖТФ т. 30 в. 2 (2003) стр. 61-65


  • Novikov P.L., Bolkhovityanov Yu.B., Romanov S.I., Sokolov L.V., O.P. Pchelyakov. "Specific behavior of stress relaxation in GexSi1-x films grown on porous silicon based mesa substrates. Computer calculations".- Semicond. Sci. Techn. v.18 (2003) pp. 39-44


  • Леонов И.А., Могильников К.П., Пчеляков О.П. "Эллипсометрическая порометрия тонкопленочных систем на основе кремния" - Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования №9 (2003) с 17-23 PDF-file


  • Vorob`ev, V. Prinz, V. Preobrazhenskii, B. Semyagin "Free-standing InAs/InGaAs microtubes and microspirals on InAs(100)". - Jpn. J. Appl. Phys. V. 42. Part 2, No. 1A/B, 15 January 2003, pp. L1-L3


  • M.A. Putyato, Yu.B. Bolkhovityanov, S.I. Chikichev, D.F. Feklin, A.M. Gilinsky, A.K. Gutakousky, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Revenko, B.R. Semyagin and K.D. Chtcherbatchev "InP decomposition phosphorus beam source for MBE: design, properties and superlattice growth". - Semicond. Sci. Technol. V. 18 (2003) pp. 417-422


  • I.L. Drichko, A.M. Diakonov, I.Yu. Smirnov, V.V. Preobrazhenskii, A.I. Toropov, Y.M. Galperin "DX-centers and long-term effects in the high-frequency hopping conductance in Si-doped GaAs/Al0.3Ga0.7As heterostructures in the quantum Hall regime: acoustical studies". - Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 17 (2003) pp. 276-279 PDF-file


  • A.E. Dolbak; R.A. Zhachuk; B.Z. Olshanetsky "Mechanism of Cu transport along clean Si surfaces" - Central European Journal of Physics vol. 1 № 3 (2003) pp. 463-473


  • M. Henzler , R. Zhachuk "The step structure of the (557) surface" - Thin Solid Films v. 428 № 1 (2003) pp. 129-132


  • A.E.Dolbak, R.A.Zhachuk, B.Z.Olshanetsky "Ag growth on Si(557) surface", - Physics of low-dimensional structures (2003) № 7/8


  • D.A. Nasimov, D.V. Sheglov, S.S.Kosolobov, L.I. Fedina, S. A. Teys, and A. V. Latyshev "AFM and STM Studies of Quenched Si(111) Surface" - PLDS № 3/4 (2003) 157-166


  • A.A. Fedorov, E.M. Trukhanov, A. P. Vasilenko, A.V. Kolesnikov and M.A. Revenko. "X-Ray Interference Topography Investigation of Si/GexSi1-x/Si(001) Heterosystem" - J. of Physics D : Applied Physics v.36 (21 May) (2003) A44-A48


  • Е.М. Труханов, А.П. Василенко, А.В. Колесников, А.А Федоров. "Интерференционные топографические исследования гетеросистемы Si/пористый кремний/Si, подвергнутой температурным воздействиям". - Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования №12 (2003)


  • A.P. Vasilenko, A.V. Kolesnikov, E.M. Trukhanov, N.A. Pylneva and V.V. Atuchin. "X-ray Topography Study of LiB3O5 Crystals Grown from Molybdate Flux" - Journal of Physics: Condensed Matter vol. 15, issue 40, (2003) 6801-6808 PDF-file


  • 2002

  • Yakimov A.I., Derjabin A.S., Sokolov L.V., Pchelyakov O.P., Dvurechenskii A.V., Moiseeva M.M., Sokolov N.S. "Growth and characterization of CaF2 /Ge/CaF2/Si(111) quantum dots for resonant tunneling diodes operating at room temperature". Applied Physics Letters v. 81 № 3 (2002) p. 499-501


  • Болховитянов Ю. Б., Гутаковский А. К., Машанов В. И., Пчеляков О. П., Ревенко М. А., Соколов Л. В.. "Твердые растворы GeSi на низкотемпературном буферном слое Si(100): особенности пластической релаксации". ПОВЕРХНОСТЬ 12 (2002) стр. 100-105

  • Bolkhovityanov Yu. B., Gutakovskii A. K., Mashanov V. I., O. P. Pchelyakov, Revenko M. A., and Sokolov L. V.. "Plastic relaxation of solid GeSi solutions grown by molecular-beam epitaxy on the low temperature Si(100) buffer layer". J. Appl. Phys. v.91 (2002) pp. 4710 - 4714

  • A.I.Nikiforov, V.A.Cherepanov, O.P.Pchelyakov. "Oscillation of in-plane lattices constant of Ge islands during molecular beam epitaxy growth on Si". Materials Science and Engineering B89 (2002) 180-183 PDF-file

  • Е.М.Труханов, А.В.Колесников, А.П.Василенко, А.К.Гутаковский. "Влияние типа винтовой составляющей дислокаций несоответствия на образование пронизывающих дислокаций в полупроводниковых гетероструктурах". Физика и техника полупроводников. т.36 вып.3 (2002) 309-316

  • А.П.Василенко, А.А.Федоров, А.В.Колесников, Е.М.Труханов, О.П.Пчеляков, Л.В.Соколов. "Применение эпитаксиального пленочного рентгеновского интерферометра для прецизионного исследования структуры полупроводниковой гетеросистемы". Заводская лаборатория. Диагностика материалов. т.68 №4 (2002) с.25-29

  • O.P.Pchelyakov, Yu.B.Bolkhovityanov, A.I.Nikiforov, B.Z. Olshanetsky, L.V. Sokolov, S.A. Teys, and B. Voigtlaender. "Atomistic aspects of silicon-germanium nanostructures formation by molecular beam epitaxy. Atomistic aspects of Epitaxial Growth" NATO Advanced Research Workshop Towards the first Silicon Laser, Trento, Italy, 21-26 September. ed. M.Kortla et al., Kluwer Academic Publishers, (2002) 371-381

  • A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Kirienko, A.I. Nikiforov. "Hole transport in Ge/Si quantum dot field effect transistor". Proceedings of 10th Int. Symp. "Nanoctructures: physics and technology", St.Peterburg, Russia, June 17-21 (2002) SBNS.03 191-194

  • A.Milekhin, O.P.Pchelyakov, S.Schulze, D.R.T.Zahn, "Phonons in self-assembled Ge/Si structures" Physica E 13 2-4 (2002) 982-985

  • А. И. Никифоров, В.А.Черепанов, О.П.Пчеляков. "Формирование островков Ge на поверхности Si(100) методом МЛЭ". Поверхность. 6 (2002) 74-78

  • А.И. Никифоров, В.А.Черепанов, О.П.Пчеляков. "Осцилляции параметра поверхностной атомной ячейки островков Ge в процессе роста на поверхности Si(100)" Известия Академии Наук. Серия физическая. 66 2 (2002) 169-171

  • A.Milekhin, A.I.Nikiforov, O.P.Pchelyakov, S.Schulze, D.R.T.Zahn. "Size-selective Raman scattering in self-assembled Ge/Si quantum dot superlattices" Nanotechnology 13 (2002) 55

  • А.В. Двуреченский, И.А. Рязанцев, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков. "Фотодиодные свойства p-n переходов Si с квантовыми точками" Автометрия, 38 4 (2002) 115-124

  • А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, С.В. Чайковский. "Высота барьера и туннельный ток в диодах Шоттки со встроенными слоями квантовых точек" Письма в ЖЭТФ т. 75, вып. 2 (2002) 113-117

  • S. A. Teys and B. Z. Olshanetsky "Formation of the wetting layer in Ge/Si(111) epitaxy at low growth rates studied with STM" Physics of Low-Dimensional Structures, 1/2 (2002) 37-46

  • А. И. Никифоров, Б. З. Ольшанецкий, О. П. Пчеляков, Л. В. Соколов, С. А. Тийс, В. А. Черепанов, Б. Фойхтлендер. "Изменение структуры, микрорельефа и упругой деформации при МЛЭ смачивающего слоя Ge на Si" Известия АН, Серия физическая, т. 66 № 2 (2002) 172-175

  • А. Б. Талочкин, А. В. Ефанов, В. А. Марков, А. И. Никифоров, С. А. Тийс "Рамановский резонанс в напряженных квантовых точках германия" Автометрия №4 (2002) 3-16

    2001

  • В.И.Бержатый, Л.Л.Зворыкин, А.И.Иванов, О.П.Пчеляков, Л.В.Соколов. "Перспективы реализации вакуумных технологий в условиях орбитального полета". Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. №9 (2001) с.63-72 PDF-file

  • A.I. Nikiforov, V.A. Cherepanov, O.P. Pchelyakov, A.V. Dvurechenskii and A.I. Yakimov. "In situ RHEED control of self-organized Ge quantum dots" Thin Solid Films v.380 No.1-2 (2001) 158-163

  • A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov. "Interlevel optical transitions and many body effects in arrays of Ge/Si self-assembled QD" Thin Solid Films v.380, No.1-2 (2001) 82-85

  • Y.Wakayama, G.Gerth, P.Werner, U.Gosele and L.Sokolov."Structural transition of Ge dots induced by submonolayer carbon on Ge wetting layer" Appl.Phys.Lett. V 77 N 15 (2001) 2328-2330

  • N.A. Pylneva, V.I. Kosyakov, A.M. Yurkin, G.G. Basarova, V.V. Atuchin, A.V. Kolesnikov, E.M Trykhanov, and C.C. Ziling. "Real structure of LiB3O5 (LBO) crystals grown in Li2O - B2O3 - MoO3 system" Crystal Research and Technology 36 (12) (2001) 1377-1384

  • Vasilenko A.P., Kolesnikov A.V., Nikitenko S.G., Fedorov A.A., Sokolov L.V., Nikiforov A.I., Trukhanov E.M. "X-ray film interferometer as an instrument for semiconductor heterostructure investigation" Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A v.470/1-2 (2001) p.110 - 113

  • И.Г.Неизвестный, С.П.Супрун, А.Б.Талочкин, В.Н.Шумский, И.Г.Кожемяко. "Ансамбли квантовых точек Ge в ненапряженной гетеросистеме GaAs/ZnSe". Автометрия №3 (2001) с.97-107

  • S.B.Erenburg, N.V.Bausk, L.N.Mazalov, A.I.Nikiforov, N.P.Stepina, A.V.Nenashev, A.I.Yakimov. "Local structure of self-organized uniform Ge quantum dots on Si(001)" Solid State Ionics - Diffusion and Reactions 141-142 (2001) 137-141

  • S.B.Erenburg, N.V.Bausk, L.N.Mazalov, A.I.Nikiforov, N.P.Stepina, A.V.Nenashev. "Surface sensitive mode XAFS measurement of local structure of ordered Ge nanoclusters (quantum dots) on Si(001)" Nucl. Instr. & Meth. Phys. Res. A. 467(2001) 1229-1232

  • A. G. Milekhin, A. I. Nikiforov, O. P. Pchelyakov, S. Schulze, and D. R. T. Zahn "Phonons in Ge/Si Superlattices with Ge Quantum Dots" JETP Letters, Vol. 73, No. 9, 2001, pp. 461-464. PDF-file

  • S.B.Erenburg, N.V.Bausk, N.P.Stepina, A.I.Nikiforov, A.V.Nenashev, L.N.Mazalov. "Microscopic parameters of heterostructures containing nanoclusters and thin layers of Ge in Si matrix" Nucl. Instr. & Meth. Phys. Res. A. 470/1-2, (2001)283-289

  • T. M. Burbaev, T. N. Zavaritskaya, V. A. Kurbatov, N. N. Mel'nik, V. A. Tsvetkov, K. S. Zhuravlev, V. A. Markov, and A. I. Nikiforov "Optical Properties of Germanium Monolayers on Silicon" Semiconductors, Vol. 35, No. 8, 2001, pp. 941-946 PDF-file

  • Т.М.Бурбаев, Т.Н. Заварицкая, В.А.Курбатов, Н.Н.Мельник, В.А.Цветков, К.С. Журавлев, В.А.Марков, А.И.Никифоров "Оптические свойства монослоев германия на кремни" Физика и техника полупроводников, v. 35, № 8 2001, p.979 PDF-file

  • S.B.Erenburg, N.V.Bausk, A.V.Nenashev, N.P.Stepina, A.I.Nikiforov, A.I.Yakimov. "Local structure parameters of Ge quantum dots on Si(001) by XAFS spectroscopy" Proceedings of Sixth International Symposium on Quantum Confinement, Electochemical Society V. 2001-19, San Francisco, Remington, NY, 378-386 (2001)

  • А. Е. Долбак, Р. А. Жачук и Б. З. Ольшанецкий. "Диффузия Cu по чистой поверхности Si(111)" ФТП т. 35 № 9 (2001) 1063-1066

  • A. E. Dolbak, R. A. Zhachuk, and B. Z. Olshanetsky "Diffusion of Cu over a Clean Si(111) surface" Semiconductors Vol. 35 No. 9 (2001)1018-1021

  • C. Seifert, V. Horn-von-Hoegen, R. A. Zhachuk, B. Z. Olshanetsky. "Au induced reconstructions on Si(111)" Surface Sci. v. 488 N 2 (2001) 233-238

  • А.И.Никифоров, В.А.Черепанов, О.П.Пчеляков. "Исследование процесса роста пленки Ge на поверхности Si(100) методом регистрирующей дифрактометрии". Физика и техника полупроводников. т.35 вып.9 (2001) с.1032-1035 PDF-file

  • Ю.Б.Болховитянов, О.П.Пчеляков, С.И.Чикичев. "Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур". Успехи физических наук т.171 №7 (2001) с.689-714 PDF-file

  • A.I.Yakimov, N.P.Stepina, A.V.Dvurechenskii, A.I.Nikiforov, A.V.Nenashev. "Interband adsorption in charged Ge/Si type-II qoantum dots". Physical Review B, vol. 63 (2001) 045312 PDF-file

  • Yu.B.Bolkhovityanov, A.K.Gutakovskii, V.I.Mashanov, O.P.Pchelyakov, M.A.Revenko, L.V.Sokolov. "Solid solutions GeSi grown by MBE on a low temperature Si(001) buffer layer: specific features of plastic relaxation". Thin Solid Films 392 (2001) 98-106

  • Ю.Б.Болховитянов, О.П.Пчеляков, Л.В.Соколов, А.И.Никифоров, Б.Фойхтлендер. "Механизмы формирования и упорядочения ансамблей квантовых точек Ge X Si1-Xна поверхности Si при МЛЭ". Известия академии наук. Серия физическая, т.65 №2 (2001) с.180-186

  • V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, Yu.G. Musikhin, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner and U. Gosele. "Enhanced As-Sb intermixing of GaSb monolayer superlattices in low-temperature grown GaAs" Appl. Phys. Lett., 79, 1294 (2001).

  • L.S. Braginsky, M.Yu. Zaharov, A.M. Gilinsky, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, and K.S. Zhuravlev "Kinetics of exciton photoluminescence in type-II semiconductor superlattices". Phys. Rev. B 63, 195305 (2001).

  • N.N. Ledentsov, D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen, I.P. Soshnikov, V.A. Shchukin, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, V.A. Volodin, M.D. Efremov, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, D. Bimberg, Zh.I. Alferov "Interface structure and growth mode of quantum wire and quantum dot GaAs-AlAs structures on corrugated (311)A surface". - Journal of Electronic Materials 30(5) (2001) pp. 463-470


  • A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenski, A. I. Nikiforov "Spatial Separation of Electrons in Ge/Si(001) Heterostructures with Quantum Dots" JETP Letters, Vol. 73, No. 10 (2001) 529–531. PDF-file


  • 2000

  • A.Milekhin, N.Stepina, A.Yakimov, A.Nikiforov, S.Schulze, T.Kampen, D.R.T.Zahn. "Raman scattering in Ge quantum dot superlattices" ICPS25, Osaka, Japan, 17-22 september, (Springer Proceedings in Physics 87) ed N.Miura, T.Ando (Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York) 2000 p.879


  • V.A. Markov, H.H. Cheng, Chih-ta Chia, A.I. Nikiforov, V.A. Cherepanov, O.P. Pchelyakov, K.S. Zhuravlev, A.B. Talochkin, E. McGlynn, M.O. Henry. "RHEED studies of nucleation of Ge islands on Si(001) and optical properties of ultra-small Ge quantum dots". Thin Solid Films 369 (2000) 79-83 PDF-file


  • А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков. "Отрицательная межзонная фотопроводимость в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2-го типа". Письма в ЖЭТФ, 2000, т.72, № 4, с.267-272.

  • A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, and C.J. Adkins. "Hopping Transport through an Ensemble of Ge Self-Assembled Quantum Dots". Phys. Stat. Sol. (b) 218, 99 (2000).

  • O.P. Pchelyakov, Yu.B. Bolkhovityanov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, A.I. Yakimov, B. Voigtlaender. "Molecular beam epitaxy of silicon-germanium nanostructures". Thin Solid Films 367 (2000) 75-84. PDF-file

  • A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Kirienko, Yu.I. Yakovlev, A.I. Nikiforov, and C.J. Adkins. "Long-range Coulomb interaction in arrays of self-assembled quantum dots". Phys. Rev. B v. 61, No. 16, (2000) 10868- 10876 PDF-file




  • О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов. "Молекулярно-лучевая эпитаксия наноструктур на основе кремния и германия". Физ. и техн. полупров. 2000, т.34, в.11, с.1281-1299.

  • С.Б. Эренбург, Н.В. Бауск, А.В. Ненашев, Н.П. Степина, А.И. Никифоров, Л.Н. Мазалов. "Микроскопические характеристики гетероструктур, содержащих нанокластеры и тонкие слои Ge в Si-матрице". Журнал структурной химии, 2000, v.41. № 5, p.890-895.

  • A. I. Yakimov,a) A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, and Yu. Yu. Proskuryakov "Interlevel Ge/Si quantum dot infrared photodetector" Journal of Applied Physics Vol.89, №10, (2001) p. 5676 PDF-file

  • A.I. Yakimov, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, A.V. Nenashev. "Exitons in charged Ge/Si type II quantum dots". Semicond. Sci. Technol. 2000, v.15, p. 1-6.

  • A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.I. Nikiforov. "Depolarization shift of the in-plane polarized interlevel resonance in a dense array of quantum dots".- Phys. Rev. B, v.62, № 15, 2000, p.9939-9942. PDF-file

  • A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, A.A. Nenashev. "Evidence for a negative interband photoconductivity in arrays of Ge/Si type-II quantum dots". Phys. Rev. B., v.62, № 24, 2000, p.16283 PDF-file

  • А.А. Федоров, А.В. Колесников, А.П. Василенко, О.П. Пчеляков, С.И. Романов, Л.В. Соколов, Е.М. Труханов "Эпитаксиальный пленочный рентгеновский интерферометр - инструмент для изучения структуры полупроводниковой гетеросистемы" Приборы и техника эксперимента №2. с.135-139 (2000).

  • A.A. Fedorov, A.V. Kolesnikov, A.P. Vasilenko, O.P. Pchelyakov, S.I. Romanov, L.V. Sokolov, and E.M. Trukhanov "An X-Ray Epitaxial film interferometer as a tool for studying the structure of a semiconductor heterosystem". Instruments and Experimental Techniques Vol.43, No 2, 2000, pp. 271-274

  • А.А. Федоров, М.А. Ревенко, Е.М. Труханов, С.И. Романов, А.А.Каранович, В.В. Кириенко, М.А. Ламин, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов, А.К. Гутаковский. "Интерференционные эффекты при рентгеновской топографии в системе эпитаксиальный кремний / пористый кремний / кремний". Поверхность, №4, с.19-26, 2000

  • A.P. Vasilenko, A.V. Kolesnikov, E.M. Trukhanov, L.V. Sokolov, A.A. Fedorov, O.P. Pchelyakov, S.I. Romanov. "Precise structure investigations of heterosystem epitaxial Si/ porous Si /substrate Si". Inst. Phys. Conf. Ser. No 166: Chapter 3 (IOP Publishing Ltd), p. 173-176 (2000)

  • A.V. Kolesnikov, A.P. Vasilenko, E.M. Trukhanov, L.V. Sokolov, A.A. Fedorov, O.P. Pchelyakov, S.I. Romanov, "Investigation of the atomic crystal plane relief by x-ray epitaxial film interferometer" Applied Surface Science Vol. 166/1-4, pp. 82-86 (2000)

  • Y.Wakayama, G.Gerth, P.Werner, U.Gosele and L.Sokolov "Structural transition of Ge dots induced by submonolayer carbon on Ge wetting layer". Appl.Phys.Lett, V 77, N 15. (2000), P2328-2330.

  • O. P. Pchelyakov, Yu. B. Bolkhovityanov, A. V. Dvurechenski, L. V. Sokolov, A. I. Nikiforov, A. I. Yakimov, and B. Voigtlander "Silicon-Germanium Nanostructures with Quantum Dots: Formation Mechanisms and Electrical Properties". Semiconductors -- November 2000 -- Volume 34, Issue 11, pp. 1229-1247. PDF-file

  • О.П.Пчеляков, Ю.Б.Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И.Никифоров, А.И.Якимов, Б.Фойхтлендер "Кремний-германиевые наноструктуры с квантовыми точками: механизмы образования и электрические свойства". Обзор. Физика и техника полупроводников, Vol. 34, № 11 (2000) p. 1281 PDF-file

  • О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, Б. Фойхтлендер. "Молекулярно-лучевая эпитаксия наноструктур на основе кремния и германия". Известия АН, сер. физ., 64, 2, 205-214 (2000).

  • O. A. Shegai , K. S. Zhuravlev, V. A. Markov, A. I. Nikiforov, and O. P. Pchelyakov "Photoresistance of Si/Ge/Si Structures with Germanium Quantum Dots" Semiconductors, Vol. 34, No. 11, (2000) pp. 1311-1315. PDF-file

  • О.А. Шегай, К.С. Журавлев, В.А. Марков, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков "Фотосопротивление Si/Ge/Si структур с квантовыми точками германия". ФТП,т.34, в.11 (2000), стр.1363-1367 PDF-file

  • A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenski, A. I. Nikiforov, O. P. Pchelyakov "Negative Interband Photoconductivity in Ge/Si Heterostructures with Quantum Dots of the Second Type" JETP Letters, Vol. 72, No. 4 (2000) 186–189 PDF-file


  • 1999

  • A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii, A.I.Nikiforov, and O.P.Pchelyakov. "Charging dynamics and electronic structure of exited state in Ge self-assembled quantum dots". Phys.Low-Dim.Struct., 3/4, (1999) 99-110.

  • A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii, V.V.Kirienko, A.I.Nikiforov, and C.J.Adkins. "Oscillations of hopping conductance in an array of charge-tunable self-assembled quantum dots". J.Phys.: Condens.Matter, 11 (1999) 9715-9722.

  • А.Б.Талочкин, В.А.Марков, А.И.Никифоров, С.А.Тийс. "Спектр оптических фононов квантовых точек германия". Письма в ЖЭТФ, т.70, вып.4, 279-283 (1999).

  • А.В.Двуреченский, А.И.Якимов, В.А.Марков, А.И.Никифоров, О.П.Пчеляков. "Энергетический спектр дырочных состояний в самоорганизующихся квантовых точках Ge в Si". Известия АН, сер.Физическая, т.63, №2, (1999) 307-311.

  • A.B.Talochkin, V.A.Markov, A.I.Nikiforov, and S.A.Teys. "Raman Eo resonance in a system of germanium quantum dots". Phys.Low-Dim.Struct., 7/8, (1999) 117-128.

  • А.Б.Талочкин, А.В.Ефанов, В.А.Марков, А.И.Никифоров. "Рамановский Ео-резонанс квантовых точек германия в структурах Si/Ge/Si". Известия АН, сер.Физическая, т.63, №2, (1999) 290-298.

  • О.П.Пчеляков, А.В.Двуреченский, В.А.Марков, А.И.Никифоров, А.И.Якимов. "Прямой синтез наноструктур при молекулярно-лучевой эпитаксии германия на кремнии". Известия АН, сер.Физическая, т.63, №2, (1999) 228-234.

  • I.G.Neizvestni, A.I.Nikiforov, O.P.Pchelyakov, L.V.Sokolov, N.L.Shwartz, and Z.Sh.Yanovitskaya. "RHEED oscillation during the MBE process under the coexistence of step flow and two-dimensional nucleation growth modes". Phys.Low-Dim.Struct., 1/2, (1999) 81-96.

  • S.A.Teys, I.G.Kozhemyako, B.Z.Olshanetsky "STM study of the structure and morphology of vicinal Si(111) surface at Ag coadsorption". Physics of Low-Dimensional Structures, № 7/ 8, 1999, p. 81-88.

  • A.E.Dolbak, B.Z.Olshanetsky, R.A.Zhachuk "Effect of Ag adsorption on the structure and morphology of vicinal Si(111) surfaces". Physics of Low-Dimensional Structures, № 7/ 8, 1999, p. 163-164.

  • А.Е.Долбак, Б.З.Ольшанецкий, С.А.Тийс, Р.А.Жачук. "Поверхностная диффузия Ni на Si(111) при коадсорбции Co". Физика твердого тела, т. 23, № 8, 1999, с. 1489-1494.

  • Куркан А.И., Баннова Т.А., Корецкая О.Б., Пороховниченко Л.П., Пчеляков О.П., Преображенский В.В., Семягин Б.Р., Путято М.А. "GaAs-диоды Ганна миллиметрового диапазона с двухбарьерным инжектором горячих электронов". Электронная промышленность №1-2, 1999, с.95-97.

  • Чалдышев В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Преображенский В.В., Пчеляков О.П., Хан А.В., Канаев В.Г., Широкова Л.С., Голиков А.В., Кагадей В.А., Лиленко Ю.В., Карпович Н.В. "Интегральные схемы на основе арсенида галлия, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии". Электронная промышленность №1-2, 1999, с.154-158.

  • Ефремов М.Д., Володин В.А., Преображенский В.В., Семягин Б.Р., Сачков В.А., Болотов В.В., Галактионов Е.А., Кретинин А.В. "Латеральная локализация оптических фононов в квантовых островках GaAs". Письма в ЖЭТФ. 1999г. 25 июля, том 70, вып. 2, стр. 73-79. (Efremov M.D., Volodin V.A., Preobrazhenskii V.V., Semjagin B.R. Sachkov V.A., Bolotov V.V., Galaktionov D.A., Kretinin A.V. "Lateral localization of optical phonons in GaAs quantum islands". JETP Lett. 1999, July 25, Vol. 70, No.2, pp. 75-81).

  • Preobrazhenskii V.V., Putyato M.A., Pchelyakov O.P., Semyagin B.R. "Experimental determination of the incorporation factor of As4 during molecular beam epitaxy of GaAs". -J. Cryst. Growth, V.201/202, 1999, p.170-173.

  • Preobrazhenskii V.V., Putyato M.A., Pchelyakov O.P., Semyagin B.R. "Surface structure transitions on (001) GaAs during MBE".-J. Cryst. Growth, V.201/202, 1999, p.166-169.

  • Chaldyshev V.V., Faleev N.N., Bert N.A., Musikhin Yu.G., Kunitsyn A.E., Preobrazhenskii V.V., Putyato M.A., Semyagin B.R., And Werner P. "Ordered Arrays of Arsenic Clusters Coincided With InAs/GaAs Superlattices Grown By Low-Temperature MBE". -J. Cryst. Growth, V.201/202, 1999, p.214.

  • Volodin V.A.,Efremov M.D., Preobrazhenskii V.V., Semjagin B.R., Bolotov V.V. "Raman study of confined TO phonons in GaAs/AlAs superlattices grown on GaAs (311)A and B surfaces". - Superlattices and microstructures, Vol. 26, No. 1, 1999, pp.11-16.

  • Вилисова М.Д., Ивонин И.В., Лаврентьева Л.Г., Субач С.В., Якубеня М.П., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Берт Н.А., Мусихин Ю.Г., Чалдышев В.В. "Структура и свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре". - ФТП, 1999, том 33, выпуск 8, стр. 900-906.

  • Дричко И.Л., Дьяконов А.М., Преображенский В.В., Смирнов И.Ю., Торопов А.И. "Взаимодействие поверхностных акустических волн с двумерным электронным газом в условиях спинового расщепления зон Ландау". - ФТП, 1999, том 33, выпуск 8, стр.979-985.

  • Куницын А.Е., Чалдышев В.В., Вуль С.П., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. "Влияние легирования индием на формирование комплексов кремний--вакансия галлия в арсениде галлия, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре". - ФТП , 1999, том 33, выпуск 10, стр.1187-1191.

  • N.A. Bert,V.V. Chaldyshev, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner "Enhanced precipitation of excess As on antimony delta layers in low-temperature-grown GaAs". - Appl. Phys. Lett. V. 74, N.11, 15 March 1999, pp.1588-1590.

  • N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, Yu.G. Musikhin, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner "In-Ga intermixing in low-temperature grown GaAs delta doped with In". - Appl. Phys. Lett. V. 74, N.10, 8 March 1999, pp.1442-1444.

  • А.К.Гутаковский, С.И.Романов, О.П.Пчеляков, В.И.Машанов, Л.В.Соколов, И.В.Ларичкин. "Эпитаксия кремния и твердых растворов германий-кремний на пористом кремнии". Известия Академии наук, серия физическая, 1999, т. 63, вып.2, с. 255-261.

  • A.I.Yakimov, C.J.Adkins, R.Boucher, A.V.Dvurechenskii, A.I.Nikiforov, O.P.Pchelyakov. "Hopping conduction and field effect in Si modulation doped structures with embedded Ge quantum dots". Phys.Rev.B, 1999, v.59, No.19, p.12598-12603. PDF-file

  • A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii, V.V.Kirienko, A.I.Nikiforov, C.J.Adkins. "Oscillations of Hopping Conductance in Array of Charge-Tunable Self-Assembled Quantum Dots". J.Phys.: Condens. Matter, 1999, v.11, p.1-8.

  • A.K. Gutakovsky, A.V. Katkov, M.I. Katkov, O.P. Pchelyakov, M.A. Revenko. "Effect of Ga predeposition layer on the growth of GaAs on vicinal Ge(0 0 1)". Journal of Crystal Growth 201/202 (1999) 232-235 PDF-file

  • S.I.Romanov, V.I.Mashanov, L.V.Sokolov, A.Gutakovskii, O.P.Pchelyakov. "GeSi films with reduced dislocation density grown by molecular beam epitaxy on compliant substrates based on porous silicon". Applied Physics Letters, 1999, v.75, N26, p.1-3.

  • A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, Yu. Yu. Proskuryakov, A. I. Nikiforov, O. P. Pchelyakov, S. A. Teys, and A. K. Gutakovskii. "Normal-incidence infrared photoconductivity in Si p-i-n diode with embedded Ge self-assembled quantum dots". Appl.Phys.Lett., v.75, No.6 (1999) 1413-1415.

  • А.Е.Долбак, Б.З.Ольшанецкий, С.А.Тийс, Р.А.Жачук. "О механизме переноса Ni вдоль поверхности Si(111) в присутствии адсорбированных атомов Со". Письма в ЖЭТФ, т.69, №6, 1999, с.423-425