ЛАБОРАТОРИЯ НЕРАВНОВЕСНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СИСТЕМ ИФП СО РАН

ЛАБОРАТОРИЯ НЕРАВНОВЕСНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СИСТЕМ		Русский\|English
	Института физики полупроводников СО РАН

ОСНОВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ НАУЧНОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ

Наноструктуры с квантовыми точками:

Повышение однородности массива квантовых точек по размерам с сохранением единой формы и элементного состава КТ; управление пространственным расположением, плотностью; снижение плотности дефектов - протяженных (дислокации) и точечных дефектов.

Эффекты межчастичного взаимодействия в ансамбле квантовых точек: кулоновское взаимодействие электронов/дырок внутри изолированной квантовой точки, кулоновское взаимодействие зарядов между квантовыми точками, взаимодействие (наложение) упругих полей, формируемых индивидуальными квантовыми точками.

Пористый кремний: микроканальные пластины, наномембраны для биологии и медицины.

ИСТОРИЯ ЛАБОРАТОРИИ

История создания лаборатории связана с развитием исследований и разработок в области радиационной физики твердого тела. подробнее

НАШИ КООРДИНАТЫ:

г. Новосибирск
Проспект Академика Лаврентьева, 13
телефон: +7 (383) 333-26-24
факс: +7 (383) 333-28-32, +7 (383) 333-24-66

ПОСЛЕДНИЕ ПУБЛИКАЦИИ
A. V. Nenashev, S. D. Baranovskii, M. Wiemer, F. Jansson, R. Osterbacka, A. V. Dvurechenskii, and F. Gebhard. Theory of exciton dissociation at the interface between a conjugated polymer and an electron acceptor. Phys. Rev. B, 2011, 84, 035210.	P.L. Novikov, J.V. Smagina, D.Yu. Vlasov, A.S. Deryabin, A.S. Kozhukhov, A.V. Dvurechenskii. Space arrangement of Ge nanoislands formed by growth of Ge on pit-patterned Si substrates. Journal of Crystal Growth, 2011, v. 323, iss. 1, p. 198-200.	Zh.V. Smagina, P.L. Novikov, V.A. Zinovyev, V.A. Armbrister, S.A. Teys, A.V. Dvurechenskii. Molecular-beam epitaxial growth of Ge/Si nanostructures under low-energy ion irradiation. Journal of Crystal Growth, 2011, v. 323, iss. 1, p. 244-246.

Последние обновления: 11/05/2012