ЛАБОРАТОРИЯ НЕРАВНОВЕСНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СИСТЕМ

RU
EN

Института физики полупроводников СО РАН

 

ГЛАВНАЯ

ПУБЛИКАЦИИ

РАЗРАБОТКИ

ПРИБОРЫ

СОТРУДНИКИ

ПАТЕНТЫ

АСПИРАНТЫ
 И CОИСКАТЕЛИ

Разработки лаборатории:
Фотоприемные элементы на диапазон длин волн l =1,3-1,55 мкм
Назначение:

встраивание в комплекс фотонных компонентов волоконно-оптических линий связи, в том числе на едином кремниевом чипе.

Характеристики:
  • диапазон длин волн 1.3-1.55мкм,

  • квантовая эффективность до 21%,

  • комнатная температура функционирования.

Технологические основы:

гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками, молекулярно-лучевая эпитаксия.

 

Полевой транзистор на структурах Ge/Si с квантовыми точками
Автоматизированная установка
молекулярно-лучевой эпитаксии
для синтеза многослойных
полупроводниковых структур
Нанокластеры Ge в Si

плотность островков Ge 3x1011 см-2
латеральный размер 10-30 нм
  • Разработана технология получения массивов квантовых точек Ge в Si
  • Создан макет нанотранзистора на структурах с квантовыми точками Ge в Si
Макет полевого нанотранзистора с квантовыми
точками Ge в канале
Применение
  • Новые квантовые электронные и оптоэлектронные приборы, функционирующие при комнатной температуре (электрометры, элементы памяти).
  • Элементная база вычислительной техники ХХI века с повышенным быстродействием.

Последнее обновление: 05.07.2010

© www.isp.nsc.ru/24