Новости

20 октября 2015г. в рамках конференции «Центры коллективного пользования и уникальные научные установки в организациях, подведомственных ФАНО России», г.Москва руководитель ЦКП «Наноструктуры» А.В. Латышев прочитал доклад «Опыт работы Ассоциации ЦКП Сибирского отделения Российской академии наук».

Проведены электронномикроскопические исследования структуры DLC-пленок на кремниевых подложках. Заказчик ИТиПМ СО РАН.

Опубликована статья "Critical behavior at a dynamic vortex insulator­-to-­metal transition". N.Poccia, T.I.Baturina, et al. Science 09/2015; 349(6253):1202-5. DOI:10.1126/science.1260507.

Доклады "Formation of periodic structure with photonic band gap by scanning electron lithography" Уткин Д.Е. и др., "Conductive DPN-fabricated indium nanowires on silicon surface" Кожухов А.С. и др., отмечены грамотами за лучшие доклады на 3-ей международной Школе-семинаре молодых ученых "Фотоника нано- и микроструктур (ФНМС-2015)", 7-11 сентября 2015 г., Томск.

Представлены научные доклады "2D-islands Nucleation on Si(111) at High Temperature During Sublimation and Thermal Etching by O2",""Two-dimensional Si/Si(111)-(7?7) nucleation affected by step permeability and sink to atomic steps" на 5-й Европейской конференции по росту кристаллов "ECCG5", 9-11 сентября 2015 г., Болония, Италия.

Методом высокоразрешающей электронной литографии изготовлен тестовый образец с наноструктурированными диэлектрическими слоями диэлектрика. Заказчик ИТПЭ РАН.

Опубликована статья "Giant microwave photo-conductance of a tunnel point contact with a bridged gate", A. D. Levin et al., Appl. Phys. Lett. 107, 072112 (2015)

В рамках международного сотрудничества с Институтом полупроводников Академии наук Китая проведены исследования механизмов пластической релаксации в буферных слоях AIIIBV при молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках с целью выявления путей уменьшения плотности прорастающих дислокаций.

Опубликована статья "Интерференция соизмеримых и индуцированных микроволновым излучением осцилляций магнетосопротивления двумерного электронного газа в одномерной латеральной сверхрешетке", Быков А.А. и др., ПЖЭТФ 101, 10, с.781.

Предс­тав­лен от­чет о вы­пол­нен­ных ра­бо­тах по Сог­ла­ше­нию о пре­дос­тав­ле­нии суб­си­дии № 14.621.21.0004 от 22 ав­гус­та 2014 г. (за 1-ое по­лу­го­дие 2015 го­да).