Высокоразрешающий электронный микроскоп Titan 80-300 — это следующее поколение просвечивающих микроскопов, работающих в диапазоне 80 — 300 кВ с возможностями коррекции сферической аберрации и монохроматичности. Удовлетворяющий всем требованиям по стабильности, производительности и гибкости, Титан обеспечивает разрешение на суб-ангстремном уровне и предлагает наилучшие технические характеристики в режимах TEM и STEM. Титан расширяет разрешающие возможности спектроскопии при измерении запрещенных энергетических зон и электронных свойств и позволяет получить четкие изображения границ раздела и наиболее полно интерпретировать полученные данные.

1. Марка - Titan 80-300
2. Производитель/страна - FEI, Нидерлады.
3. Технические характеристики -
   • Ускоряющее напряжение: 80-300 кВ;
   • Источник электронов с полевой или термополевой эмиссией;
   • Наличие энергетического фильтра и монохроматора (для прецизионного EELS анализа);
   • Наличие корректора сферической аберрации линз;
   • CCD камеры и детекторы для работы в режимах HREM, STEM, HAADF, EFTEM, CONVERGEN BEAM;
   • EDX и EELS спектрометры;
   • Разрешающая способность : STEM - 0.135 нм; HREM - 0.08 нм;
   • Разрешение по энергиям при EELS анализе - менее 0,5 эВ;
4. Местонахождение в ЦКП - Отделение высокоразрешающей электронной микроскопии, к. 103
5. Год модернизации - 2012.
6. Предоставляемые услуги:
   • Исследования атомной структуры веществ методами высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии с корректором сферических аберраций, включая исследования на просвет планарных структур и поперечных сечений.
   • Проведение измерений линейных размеров элементов структур микро- и нанорельефа поверхности твердотельных материалов и биологических объектов в нанометровом диапазоне.
   • Количественный анализ механических напряжений в гетероэпитаксиальных системах на основе обработки оцифрованных изображений высокоразрешающей электронной микроскопии.
   • Наноструктурирование нелитографическими методами посредством in-situ управления процессами самоорганизации структуры поверхности кристаллов в сверхвысоковакууумных условиях.
7. Используемые методики:
   • Методика количественного размерно-морфологического анализа различных типов материалов и измерений характеристик электронной дифракционной картины в веществе с применением просвечивающего электронного микроскопа.
   • Компьютерная методика количественного анализа механических напряжений в гетероэпитаксиальных системах на основе обработки оцифрованных картин высокоразрешающей электронной микроскопии.
   • Методика компьютерного моделирования атомной структуры нонообъектов, кластерных и протяженных конфигураций дефектов структуры, границ раздела для построения теоретических высокоразрешающих электронно-микроскопических изображений и последующего сравнения с экспериментальными изображениями с целью получения достоверной информации об атомной структуре анализируемых объектов.
   • Методика препарирования планарных кристаллических образцов для просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии, включающая химико-механическую полировку, химическое травление и термическое окисление.
   • Методика изготовления образцов поперечного сечения, основанная на ионном травлении тонких механических срезов склеенных структур, для изучения пространственного распределения, морфологии и атомной структуры нанообъектов, протяженных дефектов, границ раздела методами просвечивающей электронной микроскопии.
   • Оригинальная методика препарирования сложных химических соединений на основе А2В6 для просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии, позволяющая изготовление планарных и поперечных сечений на основе химико-механического утонения.