Laboratory of Nonequilibrium Semiconductor Systems

STAFF MEMBERS

Zhanna V. Smagina an ISP SB RAS researcher, PhD in phys.-math. sci.

Scientific activities:

MBE of semiconductor heterostructures, ways of epitaxial control, radiation phenomena, electron phenomena in semiconductors..

Educational background:

• 1994 — graduated from the Tomsk State University of Control and Radioelectronics Systems on the speciality "Microelectronics and semiconductor devices".
• 2003 —completed her post-graduate studies.
• 2008 — defended her PhD thesis in "Effects of low-energy ion impact under Ge epitaxy on Si."

Empoyment activities:

• 1994 — Research Institute of Semiconductor Devices, Tomsk.
• became an ISP SB RAS staffer (1999 — 2001 — engineer, since 2001 — researcher).

Selected publications:

1. Двуреченский А. В., Зиновьев В. А., Кудрявцев В. А., Смагина Ж. В. Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при гетероэпитаксии Ge/Si из молекулярных пучков. – Письма в ЖЭТФ, 2000, т. 72, вып. 3, с. 190-194.
2. Двуреченский А. В., Зиновьев В. А., Смагина Ж. В. Эффекты самоорганизации ансамбля наноостровков Ge при импульсном облучении низкоэнергетическими ионами в процессе гетероэпитаксии на Si. – Письма в ЖЭТФ, 2001, т. 74, вып. 5, с. 296-299.
3. Двуреченский А. В., Смагина Ж. В., Зиновьев В. А., Армбристер В. А., Володин В. А., Ефремов М. Д. Элементный состав нанокластеров, формируемых импульсным облучением низкоэнергетическими ионами в процессе эпитаксии Ge/Si. – Письма в ЖЭТФ, 2004, т. 79, вып. 7, с. 411-415.
4. Смагина Ж. В., Зиновьев В. А., Ненашев А. В., Двуреченский А. В. Армбристер В. А., Тийс С. А. Самоорганизация Ge наноостровков при импульсном облучении пучком низкоэнергетических ионов в процессе гетероэпитаксии Ge/Si(100). – ЖЭТФ, 2008, т. 133, вып. 3, c. 593.