| |
РЕГИСТРАЦИЯ УЧАСТНИКОВ 19 АВГУСТА В 9:00.
Цель совещания - обсудить современное состояние работ, проблемы и дальнейшие пути развития в области полупроводниковой фотоэлектроники на основе полупроводниковых соединений А3В5, А2В6 и элементарных полупроводников.
Предполагается участие специалистов, работающих в областях разработки методов и технологии получения полупроводниковых структур, оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках, разработки и производства фотоэлектронных устройств и оптоэлектронных систем.
Совещание проводится при содействии:
- Сибирское отделение РАН
- Министерство образования и науки РФ
- Научный совет РАН по проблеме «Квантовые наноструктуры»
- Российский фонд фундаментальных исследований
Председатель Совещания:
Алферов Ж.И.
С.-Петербургский научно-образовательный физико-технологический центр РАН
Организатор:
Институт физики полупроводников СО РАН г. Новосибирск
Основные направления:
- методы и технологии получения наноструктурированных материалов для перспективных фотоприемников ИК-диапазона;
- фотоэлектрические явления в полупроводниковых структурах;
- фотодетекторы ближнего и дальнего ИК-диапазонов на основе соединений А2В6 и А3В5, элементарных полупроводников и квантовых наноструктур (сверхрешетки, квантовые ямы, квантовые проволоки, квантовые точки);
- приборы ночного видения: принципы построения, фотоэлектрические характеристики;
- солнечные элементы, приборы терагерцового диапазона;
- полупроводниковые излучатели ближнего и дальнего ИК-диапазонов;
- новые направления в создании тепловизионных приборов, многоспектральные и комплексные устройства ночного видения, электронные системы обработки оптической информации.
Программный комитет
Председатель |
Асеев А.Л. | | ИФП СО РАН, г. Новосибирск |
Зам. председателя: |
Двуреченский А.В. | | ИФП СО РАН, г. Новосибирск |
Члены программного комитета |
Борисов А.А. | | МО РФ, г. Москва |
Бетелин В.Б. | | НИИСИ РАН, г. Москва |
Васильев А.Г. | | ФГУП «Пульсар», г. Москва |
Гуляев Ю.В. | | ИРЭ РАН, г. Москва |
Ежов В.П. | | ОАО МЗ «САПФИР», г. Москва |
Иванов В.П. | | ФГУП «НПО ГИПО», г. Казань |
Крайлюк А.Д. | | МО РФ, г. Москва |
Красников Г.Я. | | ОАО «НИИМЭ и Микрон», г. Зеленоград |
Крохин О.Н. | | ФИ РАН, г. Москва |
Лень Н.А. | | МО РФ, г. Москва |
Метельский Ю.В. | | ФГУП ПО «НПЗ», г. Новосибирск |
Овсюк В.Н. | | ИФП СО РАН, г. Новосибирск |
Орликовский А.А. | | ФТИ РАН, г. Москва |
Сизов Ф.Ф. | | ИФП НАН Украины, г. Киев |
Солдатенков В.А. | | ФГУП «Геофизика НВ», г. Москва |
Тарасов В.В. | | ОАО ЦНИИ «ЦИКЛОН», г. Москва |
Филачев А.М. | | ФГУП «НПО ОРИОН», г. Москва |
Шабанов В.Ф. | | ИФ СО РАН, г. Красноярск |
Шалагин А.М. | | ИАиЭ СО РАН, г. Новосибирск |
Организационный комитет
Председатель |
Девяткин П.Т. | | ИФП СО РАН, г. Новосибирск |
Ученый секретарь: |
Ильина Л.А. | | ИФП СО РАН, г. Новосибирск |
Члены оргкомитета: |
Виноградов А.В. | | МО РФ, г. Москва |
Войцеховский А.В. | | ТГУ, г. Томск |
Гайслер В.А. | | НГТУ, г. Новосибирск |
Гамкрелидзе С.А. | | СПП РАН, г. Москва |
Дегтярев Е.В. | | МО РФ, г. Москва |
Есаев Д.Г. | | ИФП СО РАН, г. Новосибирск |
Журавлев П.В. | | ИФП СО РАН, г. Новосибирск |
Казак А.П. | | ФГУП НПП «Восток», г. Новосибирск |
Карпов В.В. | | ОАО МЗ «САПФИР», г. Москва |
Копьев П.С | | ФТИ РАН, г. С.-Петербург |
Красильник З.Ф. | | ИФМ РАН, г. Н.Новгород |
Курышев Г.Л. | | ИФП СО РАН, г. Новосибирск |
Ларцев И.Ю. | | ФГУП «Альфа», г. Москва |
Локтионов В.И. | | АООТ «Катод», г. Новосибирск |
Потатуркин О.И. | | ИАиЭ СО РАН, г. Новосибирск |
Попов Г.Н. | | ЦКБ «Точприбор», г. Новосибирск |
Рубцова Н Н. | | ИФП СО РАН, г. Новосибирск |
Сидоров Ю.Г. | | ИФП СО РАН, г. Новосибирск |
Сибельдин Н.Н | | ФИ РАН, г. Москва |
Терехов А.С. | | ИФП СО РАН, г. Новосибирск |
Шлишевский В.Б. | | ИФП СО РАН, г. Новосибирск |
Адрес Оргкомитета СОВЕЩАНИЯ
Ильина Лариса Александровна
Тычинская Светлана Анатольевна
Институт физики полупроводников СО РАН
пр. Ак. Лаврентьева 13
600090 Новосибирск, Россия
Тел.: (383) 3333260, Факс: (383) 3332771
e-mail: ilina@isp.nsc.ru
|