Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
МЕЖДУНАРОДНЫЕ СВЯЗИ
[Ильина Лариса Александровна]
Главный специалист по международным связям Института

Ильина Лариса Александровна
к.х.н.
Тел. +7(383)333-32-60
Факс: +7(383)333-27-71
E-mail:

Международные связи с зарубежными странами Институт осуществляет в виде совместных научно-исследовательских работ с ведущими институтами, фирмами, университетами; участия сотрудников Института в международных совещаниях, симпозиумах, конференциях; по линии приема зарубежных ученых, представителей фирм; подготовки проектов, программ в рамках зарубежных фондов; проведении научно-технических мероприятий с участием зарубежных ученых.

Гранты, договоры, контракты, 2014-2016 гг.

    Совместные гранты РФФИ

  1. Грант РФФИ М 14-02-91371 СТ_а (Россия- Турция, Университет Гази), "Управление свойствами двумерного электронного газа с помощью in situ пассивации поверхности AlGaN/GaN гетероструктур при молекулярно-лучевой эпитаксии", 2014-2015 гг. (К.С. Журавлёв)
  2. Грант РФФИ М 14-02-92007 (Россия – Тайвань, Национальный Чиао Тун Университет) "InGaN/AlN квантовые точки для источников одиночных и запутанных фотонов, работающих при комнатной температуре", 2014-2016гг. (К.С.Журавлёв).
  3. Грант РФФИ М 14-02-90410 Укр_а (Россия-Украина, Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва НАН Украины), «Закономерности формирования фононного спектра полупроводниковых нанокристаллов со структурой ядро/оболочка в условиях сильного пространственного ограничения», 2014-2015 гг. (А.Г. Милёхин).
  4. Грант РФФИ М 14-02-90036 Бел_а (Россия- Беларусь, Институт физики им.Б.И.Степанова НАНБ), «Электронная структура планарных молекул из квантовых точек Ge в Si», 2014-2015 гг. (А.В. Двуреченский).
  5. Грант РФФИ М 14-07-90403 Укр_а (Россия - Украина, Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва НАН Украины), «Формирование и свойства гетероструктур Si/SiO2/Si со встроенными в диэлектрик нанокластерами кремния: эксперимент, моделирование, влияние углерода», 2014-2015 гг. (И.Г. Неизвестный).
  6. Грант РФФИ 15-52-50017 ЯФ_а (Россия-Япония, Радиационный центр Университета Хиросимы), «Структура спин-поляризованных электронных состояний в дираковских материалах на основе Ge», 2015-2016 гг. (О.Е. Терещенко).
  7. Грант РФФИ 15-52-53080 ГФЕН_а ( Россия- Китай, Университет науки и технологии), «Структурные и люминесцентные свойства люминофоров на основе твердых растворов гранатов», 2015-2016 гг. (В.В. Атучин).
  8. Грант РФФИ 15-52-16008 НЦИЛ_а (Россия-Франция, Университет Монпелье), «Свойства поверхностных состояний трехмерного топологического изолятора на основе теллурида ртути», 2015-2017 гг. (Н.Н. Михайлов).
  9. Грант РФФИ 15-52-16017 НЦИЛ_а (Россия-Франция, Университет Монпелье), «Терагерцовая спектроскопия двумерных топологических изоляторов HgTe/CdHgTe». (С.А. Дворецкий).
  10. Другие гранты

  11. Грант № 295264 “COSMA” в рамках 7 Европейской рамочной программы FP7-PEOPLE-2009-IRSES, «Когерентные оптические сенсоры для медицинских применений», 2012-2016 гг. (В.М. Энтин).
  12. Договоры о научном сотрудничестве с научными организациями зарубежных стран

  13. Университет технологии (Кемниц, Германия) «Исследование полупроводниковых наноструктур», 2006-2016 гг. (А.Г. Милехин)
  14. Университет Дортмунда (Дортмунд, Германия) «Синтез и исследование новейших полупроводниковых самоорганизованных структур с квантовыми точками», 2009-2019 гг. (Т.С. Шамирзаев)
  15. Университет Регенсбурга (Регенсбург, Германия) «Исследование электрических и фотогальванических эффектов в низкоразмерных электронных системах под воздействием терагерцового излучения», 2009-2015 гг. (Квон Зе Дон)
  16. Университет Авейро (Авейро, Португалия) «Влияние поверхностных реконструкций на атомные процессы», 2010-2015 гг. (Р.А. Жачук).
  17. Институт физики (Сан-Пауло, Бразилия) «Исследования в области физики двумерных систем», 2008-2015гг. (Квон Зе Дон)
  18. Институт полупроводников Академии наук Китая (Пекин, Китай) «Исследования в области электроники и фотоники» , 2015-2020 гг. (О.И. Семёнова)
  19. Филиппс Университет (Марбург, Германия) «Моделирование структурных и оптических свойств современных полупроводниковых соединений», 2012-2018 гг. (А.В. Ненашев).
  20. Университет Линкопинг (Линкопинг, Швеция) «Изучение транспорта электронов в графене и других графеноподобных системах (в особенности силиценах) и термоэлектрические свойства органических полупроводников» (“ The study of electron transport in grapheme-like systems (in particular, silicone) and thermoelectric properties of organic semiconductors”), 2012-2015 гг. (М.М. Махмудиан)
  21. Миланский университет (Милан, Италия) «Квантовые точки, выращенные методом капельной эпитаксии» («Quantum dots by droplet epitaxy”), 2014-2016 гг. (А.И. Торопов).
  22. Университет науки и технологии (Пекин, Китай) «Исследование в области новых люминесцентных материалов» (“The investigation in the field of new luminescent materials”), 2014-2017 гг. (В.В. Атучин).
  23. Центр развития оптоэлектронной технологии (Лоян, Китай) «Исследование физических процессов при эпитаксиальном росте материалов на основе полупроводниковых структур и изучение их свойств» (Basic physics on epitaxial growth of semiconductor nanostructure materials and study of their properties), 2013-2016 гг. (В.В. Преображенский)
  24. Институт физики ПАН (Варшава, Польша), Университет Жешув (Жешув, Польша) «Исследование квантового спинового эффекта Холла и топологических изоляторов в одномерных II – VI квантовых наноструктурах» (“The investigation of Quantum Spin Hall Effect and topological insulators in one- dimensional II-VI quantum nanostructures”), 2014-2016 гг. (С.А. Дворецкий).
  25. Контракты, Договоры с фирмами

  26. Контракт 823-14 с Лоянгским Центром развития оптоэлектронной технологии (Лоянг, Китай) «Изучение возможных путей получения и исследования гетеропереходов на основе материалов AIIIBV (AlInSn и InSb)», 2014-2016 гг. (В.В. Преображенский)
  27. Партнерские Соглашения

  28. Соглашение о сотрудничестве с компанией “Daresbury Laboratory CCLRC” (Вэррингтон, Великобритания) “Research and development in accelerator physics and related techniques” 2011-2019 гг. (А.С. Терехов)
  29. Техасский центр по сверхпроводимости и перспективным материалам, Университет Хьюстона (Хьюстон, США) Меморандум о договоренности о проведении исследований в области взаимных интересов, 2009-2016 гг. (О.П. Пчеляков)
  30. Университет Нагойя (Япония, г. Нагойя), Меморандум о договоренности о проведении исследований в области взаимных интересов, 2016-2021 гг. (А.В. Латышев)

Отчётные данные за 2015 год

Приём иностранных ученых и специалистов

Организация приема иностранных ученых и специалистов осуществляется согласно Положению о порядке организации приёма зарубежных делегаций, отдельных иностранных ученых и специалистов, приказ № 8 ИФП СО РАН от 22.04.2013.

В 2015 году Институт посетили 46 зарубежных ученых для научной работы, а также представителей фирм для переговоров, наладки оборудования и в ознакомительных целях из 14 стран мира. Во время визитов было прочитано около 10 лекций зарубежными учёными.

Выезд сотрудников Института за рубеж

Для участия в конференциях, для проведения научной работы и других целей в 2012 году выехали за рубеж 62 научных сотрудникав Института в 19 стран мира.

Сотрудники Института участвовали в 36 Международных конференциях, симпозиумах, совещаниях с представлением приглашенных, устных и стендовых докладов.

Проведение научных мероприятий с международным участием

12 октября 2015 года в Малом зале Дома ученых открылась пятидневная Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участим иностранных ученых), «Фотоника 2015». Это уже четвертая Конференция с широкой географией форума.

В Конференции приняли участие 166 научных сотрудников, инженеров, технологов и руководителей 46 институтов, научно-производственных предприятий и объединений из Москвы, Новосибирска, Санкт-Петербурга, Нижнего Новгорода, Владивостока, Львова, Минска, Красноярска, Томска, Зеленограда, Ижевска, Казани, Мытищи, Омска, Самары, Черноголовки. В конференции приняли участие и сделали доклады ученые из Польши и Франции, Белоруси, Украины, Китая.

На Конференции заслушаны и обсуждены 156 докладов, в которых были представлены результаты работ, направленных на создание методов и технологий перспективных метаматериалов и нанотехнологий для фотоприемных матриц различных диапазонов спектра (инфракрасного, видимого, ультрафиолетового и терагерцового), материалов и элементов для радиофотоники, солнечных элементов, электронно-оптических преобразователей, лазеров, исследования фотоэлектрических явлений в полупроводниках и квантовых наноструктурах, новых принципов построения средств ночного видения и тепловизионных приборов, электронных систем обработки оптической информации для нужд обороны, промышленности, науки, медицины и техники.

Участие сотрудников ИФП СО РАН в Международных организациях

  • директор Института, член-корреспондент РАН А.В.Латышев – член Международного центра по электронной микроскопии при Макс-Планк Институте Физики Микроструктур, г. Галле/Заале, Германия.
  • заместитель директора Института, член-корреспондент РАН А.В.Двуреченский – член Комиссии Международного Союза Фундаментальной и прикладной Физики (International Union of Pure and Applied Physics, IUPAP).
  • Заместитель директора Института, член-корреспондент РАН А.В.Двуреченский – руководитель Российской секции Американского общества по нанонауке (ANS Local Section of Russia).
  • ведущий научный сотрудник, д.ф-м.н. Т.С. Шамирзаев – член Американского общества по нанонауке (ANS, full member).
  • заведующий лабораторией, д.ф-м.н. И.И. Рябцев – кооптированный член Совета по атомной физике и оптике Европейского физического общества (EPS Atomic, Molecular and Optical Physics Division, AMOPD EPS).