Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
Завершенные гранты и госконтракты
  1. Проект научного обмена №.247475 "COLIMA" в рамках 7 Европейской рамочной программы FP7-PEOPLE-2009-IRSES
    Когерентное управление светом и веществом посредством интерференции состояний, одетых лазерным полем
    Сроки: 2011-2014 гг.
    Руководитель: д.ф.-м.н. И.И. Рябцев
  2. Грант ERA.NET - СО РАН (RUS, SQUAD:PA), Германия, Швейцария, Голландия
    Кристалл самоорганизованных квантовых точек: физика и применение
    (Self-assembled quantum dot crystal: Physics and Application)
    Сроки: 2012-2014 гг.
    Руководитель: к.ф.-м.н. Н.П. Стёпина
  3. ГрантEP/K022938/1, The Open University, Milton Keynes, UK
    Исследование вычислительной мощности квантового дискорда
    (Testing the computational power of discord)
    Сроки: 2012-2014 гг.
    Руководитель: к.ф.-м.н. И.И. Бетеров
  4. 13-02-92105 Россия-Япония, Радиационный центр Университета Хиросимы
    Исследование электронной структуры новых топологических материалов с разрешением по спину
    Руководитель: Терещенко О.Е.
  5. 13-02-91182_ГФЕН_а Россия-Китай, Институт полупроводников Академии наук Китая
    Исследование механизмов пластической релаксации в буферных слоях AIIIBV при молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках: выявление путей уменьшения плотности прорастающих дислокаций
    Руководитель: Преображенский В.В.
  6. 13-02-90619 Россия-Армения, Ереванский Университет
    Электрон-фононное взаимодействие в процессах термоэмиссии и захвата носителей заряда в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками
    Руководитель: Двуреченский А.В.
  7. 14-32-50030 Терещенко О.Е., «Лазерно-индуцированные процессы в топологических изоляторах на основе соединений Bi2Se3(Te3)».
  8. 14-07-00809 Курочкин В.Л., «Теоретическое и экспериментальное моделирование спутниковой квантово-криптографической системы связи».
  9. 14-02-20112 Двуреченский А.В., «Проект организации «Конференция и Школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных учёных)».
  10. 14-00-10238 Шабурова Н.Н., «Доступ к электронным научным информа- ционным ресурсам зарубежных издательств».
  11. 13-02-12114 Пчеляков О.П. "Фундаментальные проблемы молекулярной эпитаксии наногетероструктур AIIIBV на кремниевой подложке для преобразователей солнечной энергии".
  12. 13-00-14064 Шабурова Н.Н. "Доступ к электронным научным информационным ресурсам зарубежных издательств".
  13. 12-07-00145-a Павский В.А. "Разработка средств анализа и организации отказоустойчивого функционирования большемасштабных распределенных вычислительных систем".
  14. 12-07-00019-a А.Ю.Поляков "Разработка алгоритмов и программного инструментария отказоустойчивости распределенных вычислительных и GRID-систем".
  15. 12-07-00018-a А.В.Царев "Эффективное прохождение оптической волны в пересекающихся кремниевых проволоках за счет прямого и обратного туннелирования в прилегающий волновод".
  16. 12-02-01275-a В.Я.Принц "Трёхмерные квантовые структуры на основе графена и мультиграфена".
  17. 12-02-01254-a С.В.Голод "Создание и исследование перестраиваемых метаматериалов на основе тонкопленочных гибридных нанооболочек для терагерцового и инфракрасного диапазонов".
  18. 12-02-01128-a С.А.Тийс "Структурное состояние и морфология эпитаксиальных слоев Ge(111) на Si в зависимости от условий их получения".
  19. 12-02-00930-a О.П.Пчеляков "Синтез AlGaN/AlN структур с квантовыми точками, исследование их люминесцентных и генерационных свойств при возбуждении низковольтными электронными пучками".
  20. 12-02-00918-a А.Б.Воробьев "Магнитотранспорт двумерного газа носителей заряда в полупроводниковых оболочках с управляемой кривизной".
  21. 12-02-00532-a М.В.Буданцев "Исследование одноэлектронного транспорта, когерентного с механическими колебаниями в наноэлектромеханическом транзисторе и создание эталона малых токов".
  22. 12-02-00427-a А.И.Никифоров "Формирование напряженных наноструктур с квантовыми точками и квантовыми ямами на основе GeSi".
  23. 12-02-00418-a А.С.Терехов "Цезий-индуцированная адсорбция кислорода и формирование окисного слоя на поверхностях полупроводников А3В5".
  24. 12-02-00327-a Н.Н.Рубцова "Оптическая когерентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур A3B5".
  25. 12-02-00226-a О.Е.Терещенко "Управление уровнем Ферми в объёме и на поверхности топологических изоляторов".
  26. 12-02-00152-a Т.И.Батурина "Когерентные явления в низкоразмерных системах с куперовским спариванием".
  27. 12-02-00149-a А.И.Якимов "Энергетический спектр и внутризонные оптические переходы дырок в квантовых ямах SiGe с инвертированной структурой валентной зоны".
  28. 12-02-00054-a Е.Б.Ольшанецкий "Электронный транспорт в топологических изоляторах на основе HgTe".
  29. Госконтракт №16.552.11.7026 «Проведение центром коллективного пользования научным оборудованием «Наноструктуры» поисковых научно-исследовательских работ в области создания и диагностики функциональных твердотельных наносистем и материалов для решения задач био- и нанотехнологий», научный руководитель – член-корреспондент РАН А.В. Латышев;
  30. Госконтракт №02.470.11.0791 "Методы формирования высокочувствительных нанопроволочных систем, предназначенных для детектирования белковых маркеров гепатита В и раковых заболеваний (альфа-фетопротеин) с уровнем чувствительности от 10-14М и ниже по модельному белку BSA", головной исполнитель ИБМХ РАМН (от ИФП СО РАН, д.ф.-м.н. В.П. Попов).
  31. Госконтракт №02.740.11.0114 "Атомные процессы, структурная диагностика и технология изготовления наносистем", научный руководитель - член-корреспондент РАН А.В. Латышев;
  32. Госконтракт №02.740.11.0519 "Новое поколение интерферометров наоснове атомно-гладких зеркал" научный руководитель - член-корреспондент РАНА.В. Латышев;
  33. Госконтракт №12.741.11.0254 «Организационно-техническое обеспечение проведения международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах»», научный руководитель – член-корреспондент РАН А.В. Двуреченский;
  34. 13-02-90757-мол_рф Рыбка Д.В. "Исследование лазерной генерации на ИК-линиях аргона и гелия в фотоэлектронном открытом разряде наносекундной длительности в условиях формирования электронных пучков keV-диапазона энергий при средних давлениях". Научный проект из Института сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук, г. Томск, выполненный в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, г. Новосибирск.
  35. 13-02-90619-м Двуреченский А.В. "Электрон-фононное взаимодействие в процессах термоэмиссии и захвата носителей заряда в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками".
  36. 12-08-31141_мол_а П.П.Гугин "Исследование физико-технических принципов высоковольтной быстродействующей коммутации больших мощностей для создания коммутаторов нового поколения с субнаносекундными фронтами коммутации с высокой частотой (десятки килогерц) следования импульсов на основе разрядных структур типа «открытый разряд»".
  37. 12-08-31084_мол_a Т.В.Перевалов "Исследование туннельного транспорта электронов через диэлектрики c высокой диэлектрической проницаемостью".
  38. 12-07-31133_мол_a А.А.Лямкина "МЛЭ совместимый метод создания плазмонных наноантенн для квантовых точек с вертикальным упорядочением на основе нанокапельной эпитаксии".
  39. 12-07-31016_мол_a А.А.Пазников "Алгоритмы и программное обеспечение оптимизации выполнения параллельных программ на пространственно-распределённых вычислительных системах эксафлопсного уровня производительности".
  40. 12-03-31235_мол_a А.В.Шапошников "Природа механизма резистивного эффекта памяти в диэлектриках на атомарном уровне".
  41. 12-02-31709_мол_a А.В.Горан "Квантовое время жизни в селективнолегированных GaAs/AlAs гетероструктурах".
  42. 12-02-31561_мол_a С.С.Косолобов "Исследование атомных механизмов диффузии точечных дефектов в приповерхностной области кремния".
  43. 12-02-31412_мол_а_мол_а Н.А.Ерюков "Исследование фазовых переходов в полупроводниковых нанокристаллах CuS с помощью гигантского комбинационного рассеяния света".
  44. 12-02-31302_мол_а_мол_а А.Ю.Миронов "Эффекты синхронизации в наноструктурах на основе тонких сверхпроводящих плёнок".
  45. 12-02-31149_мол_a А.А.Шевырин "Упругие напряжения и электронный транспорт в полупроводниковых наноэлектромеханических системах".
  46. 12-02-31077_мол_a П.А.Кучинская "Рост упорядоченных кольцевых структур Ge/Si с квантовыми точками".
  47. 12-02-31076_мол_a Е.В.Бельская "Исследование возможности получения лазерной генерации в УФ - диапазоне спектра в газовых лазерах со столкновительным девозбуждением нижних лазерных рабочих уровней".
  48. 12-02-31051_мол_a В.А.Тимофеев "Влияние релаксации напряжений и сегрегации Ge на реконструкцию поверхности в Ge/Si гетеросистеме".
  49. 12-02-31012_мол_a В.М.Ковалев "Теория экситонов Ванье-Мотта в квантовых ямах со спин-орбитальным взаимодействием".
  50. 12-08-98047-р_сибирь_а Ю.А.Стенькин "Получение и исследование функциональных нанокомпозитов на основе кремния и оксидов металлов; изучение процессов адсорбции и десорбции в полученных гетерофазных структурах".
  51. 12-08-98043-р_сибирь_а С.Н.Поворознюк "Создание и исследование нанокомпозитов на основе пористого кремния и оксидов металлов с использованием мощных ионных пучков".
  52. 12-08-31147_мол_а МОЛ_А_2012 Н.С.Филиппов "Исследование управляемого электрокинетического транспорта частиц через кремниевые канальные мембраны".
  53. 12-08-00533-a В.В.Болотов "Исследование изменений структуры и электронных конфигураций углеродных нанотрубок в слоях, полученных методом CVD, при структурных и дефектных трансформациях в результате термических обработок, введения дефектов и легирования".
  54. 12-02-90806-мол_рф_нр О.Д.Чимитова, В.В.Атучин "Cинтез, исследование микроструктурных и электронных параметров кристаллов сложных молибдатов и боратов. Научный проект Чимитовой Ольги Доржицыреновны из Байкальского института природопользования СО РАН, г. Улан-Удэ в Институте физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск".
  55. 12-02-90704-моб_ст В.В.Преображенский "Научная работа Новикова Вадима Александровича из Томского государственного университета г. Томск, в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск. Исследование влияния условий кристаллизации и химических обработок поверхности полупроводников группы AIIIBV на их статистические и фрактальные характеристики".
  56. 12-02-31889_мол_a Ю.С.Воробьева "Статический скин-эффект в двумерном электронном газе на цилиндрической поверхности".
  57. 12-02-31721_мол_a А.А.Блошкин "Деполяризации света в упорядоченных цепочках квантовых точек Ge/Si".
  58. 12-02-90443-Укр_а, Россия-Украина, Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН, Украины; "Фундаментальные характеристики и проблемы диагностики нанопроволочных и атомарно тонких полевых приборов на основе алмаза, кремния и графена".Руководители: Асеев А.Л., Попов В.П.
  59. 12-02-90437-Укр_а Россия–Украина, Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины; "Электронная структура кремниевых квантовых точек в германии". Руководитель: Двуреченский А.В.
  60. 12-02-90036-Бел_а, Россия-Беларусь, Институт физики им. Б.И. Степанова НАНБ; "Структурные и оптические свойства многослойных Ge/Si наноструктур с совмещенными квантовыми точками и квантовыми кольцами" Руководитель: Двуреченский А.В.
  61. 11-02-92004-ННС_а, Россия-Тайвань, Центр по изучению конденсированного состояния Государственного Тайваньского университета; "Создание прямозонных полупроводников IV группы добавлением олова". Руководитель: Машанов В.И.
  62. 11-08-00669-a Л.И.Вострикова "Фундаментальные исследования возможностей получения из композитных стеклянных сред кристаллоподобных материалов путём оптического полинга, пригодных для мощной лазерной техники и оптоэлектроники".
  63. 11-07-00475-a А.А.Шкляев "Резонансная люминесценция на основе микрополостей в слоях кремния с высокой концентрацией дислокаций, полученных методом роста".
  64. 11-07-00129-a В.Л.Курочкин "Создание высокоскоростных квантовых линий связи".
  65. 11-07-00109-a С.Н.Мамойленко "Алгоритмы управления ресурсами вычислительных систем при решении масштабируемых задач".
  66. 11-03-00900-a Б.Г.Вайнер "Исследование кинетики, физико-химических механизмов и количественных характеристик адсорбции путем применения матричного тепловидения высокого разрешения".
  67. 11-02-00991-a В.Л.Альперович "Неравновесные атомные и электронные процессы на реконструированных поверхностях полупроводников А3В5 с адсорбированными слоями цезия".
  68. 11-02-00982-a З.Д.Квон "Неравновесные и нелинейные эффекты в наноструктурах на основе двумерного электронного газа".
  69. 11-02-00925-a А.А.Быков "Адмиттанс низкоразмерных полупроводниковых структур при больших факторах заполнения".
  70. 11-02-00730-a М.В.Энтин "Оптические и фотоэлектрические свойства графена".
  71. 11-02-00722-a И.В.Антонова "Гетероструктуры на основе графена и органических монослоев с регулируемыми электронными свойствами".
  72. 11-02-00629-a А.В.Двуреченский "Декогеренция запутанных состояний в наноструктурах Ge/Si с квантовыми точками".
  73. 11-02-00141-a В.А.Решетов "Когерентные переходные процессы в многоуровневой системе".
  74. 11-02-00060-a А.В.Чаплик "Взаимодействие элементарных возбуждений в наноструктурах с высокочастотными полями".
  75. 11-02-00045-a И.Г.Неизвестный "Механизмы бескаталитического роста нитевидных нанокристаллов (моделирование, эксперимент)".
  76. 11-07-12067-офи-м-2011 В.Г.Кеслер "Разработка и создание опытного образца многоэлементного ИК-фотоприёмника на основе пассивации поверхности InAs сверхтонкими собственными окисными слоями в плазме тлеющего разряда".
  77. 11-07-12014-офи-м-2011 В.Г.Хорошевский, М.Г.Курносов "Архитектура распределенных вычислительных систем и инструментарий параллельного предсказательного моделирования иерархических многомасштабных процессов в геофизических средах".
  78. 11-02-12142-офи-м-2011 А.В.Чаплик "Низкоразмерные электронные системы в квантовых ямах с инвертированным зонным спектром".
  79. 11-02-12141-офи-м-2011 И.Г.Неизвестный "Теоретические и экспериментальные исследования, расчеты и анализ направленные на создание систем формирования изображения в терагерцовом диапазоне при помощи прямого детектирования и схемы с тепловым экраном на основе матричных приемников Pb1-xSnxTe:In".
  80. 11-02-12119-офи-м-2011 О.П.Пчеляков "Физико-технологические основы создания высокоэффективных тандемных преобразователей солнечной энергии на основе наногетероструктур AIIIBV на активной кремниевой подложке".
  81. 11-02-12018-офи-м-2011 А.В.Двуреченский "Разработка метода синтеза трехмерного кристалла из квантовых точек в кристаллической полупроводниковой матрице".
  82. 11-02-12007-офи-м-2011 А.И.Якимов "Разработка опытных образцов длинноволновых неохлаждаемых фотоприемников на базе гетероструктур с квантовыми точками Ge, встроенными в квантовые ямы SiGe в матрице Si".
  83. 10-08-01288-a В.А.Селезнев "Разработка самоочищающихся покрытий и исследование их свойств в зависимости от внешних условий и микро- и наноструктурированой морфологии поверхности".
  84. 10-08-00851-a Ю.Г.Галицын "Термодинамика образования массива квантовых точек в системе арсенид индия на поверхности (001) арсенида галлия".
  85. 10-08-00246-a П.А.Бохан "Исследование методов генерации мощных электронных пучков в газе среднего давления и создание источника для накачки газовых лазеров ВУФ диапазона спектра на импульсную мощность до 500 МВт".
  86. 10-07-00537-a Е.Б.Горохов "Пленки твёрдого монооксида германия (GeO) — материал с широким спектром новых применений в технологии наноэлектроники и нанооптики".
  87. 10-07-00157-a К.В.Павский "Методы и алгоритмы анализа и организации функционирования большемасштабных распределенных вычислительных систем".
  88. 10-02-01181-a Ж.В.Смагина "Физические явления и закономерности роста упорядоченных массивов наноостровков германия на кремнии".
  89. 10-02-01124-a А.Г.Погосов "Электронный транспорт в колеблющихся подвешенных наностуктурах".
  90. 10-02-01011-a А.В.Латышев "Атомные процессы и технологии изготовления функциональных поверхностных структур с регулируемыми свойствами".
  91. 10-02-00926-a А.Л.Асеев "Электронный транспорт в предельно малых кремниевых нанопилларах".
  92. 10-02-00902-a Е.М.Труханов "Равновесная дислокационная структура границ раздела (111) в наносистемах GeSi".
  93. 10-02-00782-a А.К.Гутаковский "Атомное строение полупроводниковых гетеросистем и новые аспекты дефектообразования при эпитаксии на вицинальных и несингулярных поверхностях подложки".
  94. 10-02-00722-a Л.В.Соколов "Выращивание биаксиально растянутых пленок германия на буфере InGaAs и изучение их структурных, оптических и электрических свойств".
  95. 10-02-00618-a Н.П.Степина "Делокализация носителей заряда в двумерном массиве квантовых точек германия в кремнии".
  96. 10-02-00513-a А.И.Торопов "Новый подход в анализе процессов эпитаксии на поверхности (001) полупроводников А3В5".
  97. 10-02-00240-a Т.С.Шамирзаев "Спиновая релаксация экситонов в непрямозонных квантовых точках первого рода".
  98. 10-02-00199-a Б.З.Ольшанецкий "Атомные процессы на поверхностях кремния и германия при адсорбции инородных атомов и формировании наноразмерных структур".
  99. 10-02-00133-a И.И.Рябцев "Спектроскопическое исследование механизма формирования ультрахолодной плазмы в холодном ридберговском газе".
  100. 10-02-00071-a И.В.Евсеев, В.Н.Ищенко "Когерентные переходные процессы в смесях иттербия с атомарными буферами".
  101. 11-02-90706 В.В.Атучин "Научная работа Гроссман Виктории Георгиевны из Байкальского института природопользования, г. Улан-Удэ, в Институте физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск. Исследование микроморфологии, структурных и электронных характеристик многокомпонентных кристаллов молибдатов и боратов".
  102. 11-02-05036 А.Л.Асеев "Создание и исследование твердотельных полупроводниковых наноструктур и низкоразмерных электронных систем".
  103. 11-02-01824 А.Л.Асеев "Экстренная поддержка материально-технической базы для проведения исследований по области знаний 02".
  104. 10-07-00531 Ю.Н.Новиков "Атомная и электронная структура кремниевых нанокластеров в диэлектрической среде".
  105. 10-02-90050 С.В.Голод "Разработка и создание на основе оптимальных спиральных элементов метаматериалов, имеющих волновой импеданс близкий к импедансу свободного пространства".
  106. 09-08-00232 Д.Э.Закревский "Исследование роли и механизма фотоэмиссии электронов в газовых разрядах".
  107. 09-07-00248 Г.Н.Камаев "Формирование методом прямого сращивания кремния и исследование гетероструктур с резонансным туннелированием".
  108. 09-07-00185 В.А.Павский "Разработка моделей и методов анализа эффективности функционирования большемасштабных распределенных вычислительных систем".
  109. 09-02-01390 В.Я.Принц "Формирование и исследование графена, гибридных оболочек и наноприборов на его основе".
  110. 09-02-01262 А.И.Никифоров "Влияние упругих деформаций на формирование и свойства вертикально упорядоченных наноструктур на основе Ge/Si".
  111. 09-02-01205 Т.И.Батурина "Макроскопические квантовые явления вблизи перехода сверхпроводник-изолятор".
  112. 09-02-01171 Л.И.Федина "Собственные нанокластерные структуры в кристаллах Si и Ge,инициированные вакансионно-междоузельным упорядочением".
  113. 09-02-01045 О.Е.Терещенко "Адсорбат-индуцированное изменение стехиометрии и структуры поверхности полупроводников III-V".
  114. 09-02-00974 В.Г.Мансуров "Многочастичные экситонные комплексы в вюртцитных GaN квантовых точках".
  115. 09-02-00882 В.А.Зиновьев "Зарождение дислокаций в наноразмерных объектах со сложной геометрией поверхности".
  116. 09-02-00775 О.П.Пчеляков "Синтез широкозонных полупроводниковых наноструктур и исследования их люминесцентных и геннерационных свойств при возбуждении электронным пучком, формируемым в открытом разряде".
  117. 09-02-00504 Ю.Б.Болховитянов "Тонкие (~100 нм) эпитаксиальные пленки GexSi1-x на подложках Si (x=0.5-1): Исследование механизмов релаксации гетероэпитаксиальных систем GeSi/Si(001) в условиях модификации поверхности растущей пленки поверхностно-активными примесями (сурьма, атомарный водород)".
  118. 09-02-00467 Е.Б.Ольшанецкий "Свойства квантовых ям на основе теллурида ртути".
  119. 09-02-00458 А.Г.Милехин "Гигантское комбинационное рассеяние света и фотолюминесценция в полупроводниковых квантовых точках: от массива к одиночной квантовой точке".
  120. 09-02-00087 А.Б.Талочкин "Релаксация механических напряжений в Si/Ge структурах с квантовыми точками Ge, влияние на спектр электронных состояний".
  121. 09-02-00050 А.И.Якимов "Многочастичные дырочные состояния в двойных квантовых точках Ge в Si".
  122. 09-02-00030 Н.Н.Рубцова "Оптическая память в полупроводниковых наноразмерных гетероструктурах, модифицированных лазерным излучением".
  123. 10-02-92624 И.И.Бетеров "Сильно взаимодействующие ридберговские атомы для применения в быстрых квантовых логических ключах".
  124. 10-02-91155 А.В.Двуреченский "Оптические переходы в неоднородных полях упругих деформаций, наведенных плотным массивом квантовых точек в наноструктурах второго типа Ge/Si".
  125. 10-02-91067 О.Е.Терещенко "Оптическая регистрация спина электрона в спин-фильтрах на основе структур ферромагнетик/полупроводник".
  126. 10-02-05047 А.Л.Асеев "Развитие материально-технической базы для проведения исследований по области знаний 02. Cоздание и исследование твердотельных полупроводниковых наноструктур и низкоразмерных электронных систем".
  127. 09-07-90403 В.Г.Хорошевский "Разработка технологии параллельного мультипрограммирования и пространственно-распределенной мультикластерной вычислительной системы для моделирования задач энергетики".
  128. 09-07-12016 В.Г.Хорошевский "Распределенные информационновычислительные системы: развитие фундаментальных основ, создание алгоритмического и программного обеспечения и параллельное моделирование сложных физических сред".
  129. 09-07-00106 А.А.Шкляев "Источник света в диапазоне 1.5-1.6 мкм на основе кремния, выращенного на наноструктурированной поверхности".
  130. 09-02-92650 К.С.Журавлев "Влияние поверхности и органической матрицы на колебательные и электронные свойства нанокристаллов, синтезированных методом Ленгмюра-Блоджетт".
  131. 09-02-92007 К.С.Журавлев "Электрические и оптические свойства сформированных массивов нанокристаллов".
  132. 09-02-90480 А.В.Двуреченский "Анизотропное обменное взаимодействие в процессах спиновой релаксации и рекомбинации в структурах с Ge/Si квантовыми точками".
  133. 09-02-90427 И.И.Рябцев "Микроволновая спектроскопия ридберговских атомов в тепловых пучках и магнитооптической ловушке".
  134. 09-02-12421 А.И.Никифоров "Образование гетероэпитаксиальных GeSi тонких пленок и саморганизованных наноостровков как единой взаимосвязанной системы различных квантовых объектов методом МЛЭ".
  135. 09-02-12393 А.И.Якимов "Разработка опытного образца модулятора оптического излучения на основе эффекта Штарка в многослойных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками Ge".
  136. 09-02-12303 В.Я.Принц "Исследование взаимодействия терагерцового излучения с новыми функциональными резонансными метаматериалами для устройств управления поляризацией, фазой, интенсивностью и направлением распространения излучения".
  137. 09-02-12291 А.В.Чаплик "Коллективные эффекты в двумерном полуметалле и наноструктурах на его основе".
  138. 08-08-12232 В.А.Смирнов "Исследование лабораторных прототипов создаваемых методом оптического полинга нового класса термостойких элементов для современной микро и нано фотоэлектроники и силовой оптики (получение массива данных по перспективным материалам, объёмным и волноводным схемам)".
  139. 08-08-00300 К.В.Павский "Комплексирование пространственнораспределенной кластерной вычислительной системы и разработка алгоритмического и программного инструментария отказоустойчивости и дистанционного доступа".
  140. 08-07-00230 В.Г.Кеслер "Формирование сверхтонких (5-10 нм) собственных окисных слоёв на InAs методом сухого окисления в плазме тлеющего разряда".
  141. 08-07-00022 С.Н.Мамойленко "Методы и алгоритмы управления ресурсами большемасшабных распределённых вычислительных (GRID) систем в мультипрограмнных режимах".
  142. 08-02-92008 В.И.Машанов "Молекулярно-лучевая эпитаксия перспективных материалов Ge1-x-ySixSny/GeSn с прямозонной структурой".
  143. 08-02-90441 А.Г.Милехин "Спектроскопия поверхностных и интерфейсных фононов полупроводниковых структурах с квантовыми точками".
  144. 08-02-90010 Н.Н.Рубцова "Когерентные переходные процессы в полупроводниковых наноструктурах".
  145. 08-02-12095 Н.П.Степина "Разработка технологии и создание опытного образца однофотонного детектора излучения нового поколения на 0.9- 1.55 мкм на основе наноструктур Ge/Si с квантовыми точками".
  146. 08-02-01434 С.В.Голод "Создание и исследование новых искусственных электромагнитных сред на основе трехмерных микро- и нанооболочек для терагерцового и инфракрасного диапазонов (среды с отрицательным показателем преломления, киральные и анизотропные среды)".
  147. 08-02-01379 С.П.Супрун "Исследование низкотемпературного формирования гетерограницы GaAs/Ge".
  148. 08-02-01322 М.В.Буданцев "Магнитоиндуцированное неравновесное состояние двумерного электронного газа в режиме квантового эффекта Холла".
  149. 08-02-01236 В.Л.Альперович "Атомные реконструкции и электронные состояния атомно-гладкой поверхности GaAs с изовалентными адсорбатами".
  150. 08-02-01101 С.А.Тийс "Начальные стадии роста пленок Ge на подложках Si (111): структурные состояния псевдоморфного слоя и возникновение дислокаций".
  151. 08-02-01051 А.А.Быков "Электронный транспорт в полупроводниковых гетероструктурах в скрещенных электрическом и магнитном полях".
  152. 08-02-01007 З.Д.Квон "Свойства двумерного и одномерного электронного газа в короткопериодном модулированном потенциале".
  153. 08-02-00506 М.В.Энтин "Электронные процессы в квантовых наноструктурах в сильном локальном электромагнитном поле".
  154. 08-02-00221 И.В.Антонова "Упорядоченные системы нанокристаллов кремния в слоях SiO2, создаваемые облучением ионами высоких энергий: процессы формирования, перезарядки и транспортные явления".
  155. 08-02-00152 А.В.Чаплик "Коллективные моды и составные частицы в наноструктурах".
  156. 08-02-00121 А.В.Двуреченский "Эффекты структурной асимметрии квантовых точек в спиновой релаксации в системах Ge/Si и Ge/SiO2".
  157. 08-02-00068 И.Г.Неизвестный "Кинетика и механизмы роста полупроводниковых нитевидных кристаллов (моделирование, эксперимент)".
  158. 07-08-00438 Е.Б.Горохов "Наноструктурирование с применением сканирующей зондовой микроскопии и соединений германия".
  159. 07-08-00434 Ю.В.Настаушев "Разработка и создание универсального эталона высоты для метрологических применений и стандартизации в области нано- и биотехнологий".
  160. 07-08-00413 Д.В.Щеглов "Наноструктурирование и исследование полупроводниковых, металлических и органических материалов методами зондовой модификации и диагностики".
  161. 07-07-00263 В.Л.Курочкин "Теоретическое и экспериментальное исследование квантовых каналов связи и методов повышения их пропускной способности".
  162. 07-07-00142 В.Г.Хорошевский "Методы и алгоритмы анализа осуществимости параллельного решения задач и живучести распределенных вычислительных систем".
  163. 07-03-00262 Ф.Н.Дульцев "Новый подход в исследовании процессов селективной адсорбции газов на поверхности тонких пленок".
  164. 07-02-12070 А.В.Чаплик "Исследование физических процессов детектирования, модуляции и преобразования частоты в терагерцовом диапазоне".
  165. 07-02-12037 А.М.Шалагин "Фундаментальные проблемы взаимодействия излучения и потоков заряженных частиц с веществом".
  166. 07-02-01472 А.Б.Воробьев "Баллистический транспорт и спиновая поляризация двумерного электронного газа на цилиндрической поверхности".
  167. 07-02-01336 В.Н.Шумский "Изучение взаимодействия субмиллиметрового излучения с фононной подсистемой PbSnTe:In вблизи точки сегнетоэлектрического фазового перехода".
  168. 07-02-01277 А.Г.Погосов "Кулоновская блокада и термоэлектрические явления в одноэлектронном транзисторе с квантовой точкой, отделенной от подложки".
  169. 07-02-01250 А.Л.Асеев "Свойства нанокристаллов кремния (нановискеров) пассивированных нанослоями оксида титана".
  170. 07-02-01122 М.Д.Ефремов "Электронный спектр наношаров, сепарируемых из нанопорошка кремния".
  171. 07-02-01106 О.А.Шегай "Фотопроводимость при межзонной подсветке Si/Ge и AlGaAs/InGaAs структур с квантовыми ямами и сверхрешетками".
  172. 07-02-01005 А.С.Терехов "Спин-зависимая эмиссия баллистических фотоэлектронов из p-GaAs(Cs,O) в вакуум".
  173. 07-02-01003 А.В.Латышев "Интердиффузия в атомных слоях и изолированных наноструктурах на поверхности кремния".
  174. 07-02-00671 А.К.Гутаковский "Применение высокоразрешающей электронной микроскопии для визуализации и количественного анализа полей деформации в низкоразмерных гетеросистемах".
  175. 07-02-00337 М.А.Путято "Исследование механизмов одновременной пластической релаксации в первоначально псевдоморфных многослойных гетероструктурах типа GaAs/GexSi1-x/Si(001), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии".
  176. 07-02-00299 А.Б.Талочкин "Исследование аномального поведения межзонной плотности состояний полупроводниковых квантовых точек".
  177. 07-02-00274 Б.З.Ольшанецкий "Атомные процессы и закономерности формирования низкоразмерных структур при адсорбции инородных атомов на чистых поверхностях элементарных полупроводников".
  178. 07-02-00134 Т.С.Шамирзаев "Спиновая релаксация экситонов в квантовых точках InAs, синтезированных в широкозонных матрицах AlGaAs".
  179. 07-02-00091 И.В.Евсеев "Долгоживущее фотонное эхо и деполяризующие столкновения в парах иттербия".
  180. 06-02-72003 З.Ш.Яновицкая "Роль моноокиси кремния в переносе избыточного кремния и формировании излучающих нанокластеров в SiOх слоях".
  181. 06-02-39006 А.В.Двуреченский "Разработка и создание лабораторного образца энергозависимых элементов памяти на основе наноструктур с квантовыми точками".
  182. 06-02-17476 Е.М.Труханов "Теоретическое и экспериментальное изучение влияния винтовой дислокационной составляющей на релаксацию механических напряжений в эпитаксиальных пленках".
  183. 06-02-03067 А.Л.Асеев "Развитие МТБ для проведения исследований по области знаний".
  184. 06-02-16869 А.К.Бакаров "Магнетотранспорт электронов в GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами при больших факторах заполнения".
  185. 06-02-16704 Т.И.Батурина "Сверхпроводимость и локализация в неупорядоченных плёнках и массивах сверхпроводящих островков".
  186. 06-02-16923 Э.Г.Батыев "Теория перехода металл-диэлектрик в двумерных электронных системах".
  187. 06-08-00178 В.А.Володин "Фазовые превращения в тонких плёнках кремния стимулированные сверхкороткими (до фемтосекундных) лазерными импульсами".
  188. 06-08-01502 Л.И.Вострикова "Разработка и исследование научных основ создания методом оптического полинга нового класса термостойких элементов оптики (в том числе для микро и нанофотоники)".
  189. 06-02-16621 В.А.Гриценко "Изучение электронной структуры дефектов в диэлектриках с высокой диэлектрической проницаемостью".
  190. 06-02-08209 К.С.Журавлев "Разработка МЛЭ технологии создания гетероструктур AlGaN/GaN для мощных СВЧ транзисторов".
  191. 06-08-00272 Закревский Д.Э., "Непрерывные ультрафиолетовые лазеры на парах металлов с электронно-пучковым возбуждением".
  192. 06-02-16988 А.В.Ненашев "Аналитическая модель электронной структуры самоформирующихся квантовых точек".
  193. 06-02-17412 А.И.Никифоров "Вертикально упорядоченные наноразмерные структуры на основе Ge/Si".
  194. 06-02-16129 Е.Б.Ольшанецкий "Эффекты электрон-электронного взаимодействия в транспорте двумерного электронного газа в гетероструктуре Si/ SiGe".
  195. 06-02-17275 О.П.Пчеляков " Молекулярно- и ионно-лучевой синтез наногетероструктур на основе самоорганизованных массивов наночастиц в эпитаксиальных слоях кремния и германия".
  196. 06-02-17485 В.Я.Принц "Трехмерные квантовые наносистемы на основе напряженных гетероструктур".
  197. 06-02-16527 Н.Н.Рубцова "Когерентный контроль в атомах, молекулах и полупроводниковых наноразмерных гетероструктурах".
  198. 06-02-16093 О.Е.Терещенко "Селективное взаимодействие щелочных ато- мов и галогенов с полярными поверхностями полупроводниковых соединений А3В5".
  199. 06-02-16914 А.И.Торопов "Фазовые переходы порядок-беспорядок и процессы эпитаксии на поверхности (001) GaAs".
  200. 06-02-17340 В.А.Швец "Изучение динамики образования нанокластеров Si, Ge и SiGe в слоях диэлектриков, имплантированных ионами кремния и германия методом быстродействующей эллипсомтерии in situ".
  201. 06-02-16143 А.И.Якимов "Электронные состояния в многослойных напряженных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2-го типа".
  202. 06-02-08077 А.В.Двуреченский "Разработка и создание лабораторного образца энергозависимых элементов памяти на основе наноструктур с квантовыми точками".
  203. РФФИ 06-02-90870-Мол (Россия-Молдова) "Изготовление и изучение колебательных свойств наноструктур А3В5" 2006-2007 гг. (к.ф.-м.н. А.Г.Милехин).
  204. РФФИ 06-02-81001-Бел (Россия-Беларусь) "Импульсное лазерное воздействие на гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками" 2006-2007 гг. (д.ф.-м.н., профессор А.В.Двуреченский).
  205. 05-02-17265 В.Л.Альперович "Атомная структура и электронные состояния поверхности арсенида галлия с адсорбированными слоями цезия".
  206. 05-02-16479 И.В.Антонова "Создание наноструктур методами высокоэнергетической ионной имплантации в многослойных эпитаксиальных слоях на основе кремния и исследование их свойств".
  207. 05-02-17200 М.В.Буданцев "Ферромагнитный порядок квантовой холловской жидкости и гистерезис магнетосопротивления одномерного наноструктурированного проводника".
  208. 05-03-32660 Ю.Г.Галицын "Роль латеральных взаимодействий в формировании двумерного реакционного фронта в эпитаксии на поверхности (001)GaAs".
  209. 05-02-17842 С.В.Голод "Создание и исследование искусственных сред, предназначенных для динамического управления поляризацией, фазой, направлением и интенсивностью электромагнитного излучения".
  210. 05-02-16285 А.В.Двуреченский "Спиновый транспорт и спиновая релаксация в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками".
  211. 05-02-16901 К.С.Журавлев "Механизмы релаксации и рекомбинации неравновесных носителей заряда в квантовых точках GaN в матрице AlN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии".
  212. 05-02-16591 З.Д.Квон "Квантовые явления в полупроводниковых системах сверхмалых размеров".
  213. 05-02-17259 В.Г.Мансуров "Электронная зонная структура, электрические и оптические свойства AlGaN/GaN гетероструктур с двумерным электронным газом".
  214. 05-08-01301 В.А.Мелентьев "Формальные основы отказоустойчивости. Модели, методы анализа и синтеза отказоустойчивых систем в подходе, свободном от надежностных приоритетов".
  215. 05-02-16455 И.Г.Неизвестный "Кинетика атомно-молекулярных процессов и роль самоорганизации при формировании светоизлучающих нанокластеров кремния в слоях SiO2, обогащенных кремнием (моделирование, эксперимент)".
  216. 05-02-16991 В.М.Осадчий "Электронные свойства квантовых наногофрированных структур".
  217. 05-02-16181 И.И.Рябцев "Лазерная и микроволдновая спектроскопия холодных ридберговских атомов в магнито-оптической ловушке, оптических решетках и атомном пучке".
  218. 05-02-17250 В.А.Селезнев "Использование сверхкритических сред в нанотехнологии".
  219. 05-02-16800 Б.Р.Семягин "Исследование процессов дефектообразования при молекулярно-лучевой эпитаксии фосфор-содержащих релаксированных буферных слоев (GaAsP, InGaP, AlInP) на кремниевой подложке".
  220. 05-02-17220 В.А.Смирнов "Исследование оптического полинга слабопроводящих аморфных и кристаллических сред, сопутствующих линейно- и нелинейнооптическим явлениям".
  221. 05-02-16943 Н.П.Степина "Эффекты кулоновского стекла в двумерного массиве туннельно-связанных квантовых точек Ge в Si".
  222. 05-08-50278 С.А.Тийс "Разработка и создание лабораторного образца термофотоэлектрического автономного источника электроэнергии с полупроводниковым преобразователем тепла от сгорания углеводородного топлива".
  223. 05-07-90009 В.Г.Хорошевский "Разработка пространственно-распределенной кластерной вычислительной системы".
  224. 05-02-16939 А.В.Чаплик "Теория геометрических и топологических эффектов в низкоразмерных полупроводниковых системах".
  225. 05-02-08118 А.В.Царев "Научные основы сверхузкополосных перестраиваемых акустооптических фильтров/демультиплексоров для перспективных гибких волоконно-оптических линий связи на основе высокоплотного частотного уплотенения".
  226. 05-02-08022 В.Н.Шумский "Создание технологии и исследование свойств пленок PbSnTe:In с предъявлением по окончании работы макета линеек фотоприемников на их основе".
  227. 05-07-08011 В.Г.Хорошевский "Разработка технологии параллельного мультипрограммирования, ориентированной на большемасштабные распределенные вычислительные системы (параллельное мультипрограммирование в GRID-системах)".
  228. РФФИ-ГФЕН 05-02-39006-ГФЕН (Россия-Китай) "Спиновая динамика в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками" 2006-2007 гг. (д.ф.-м.н., профессор А.В.Двуреченский)
  229. 04-02-08146 В.Я.Принц "Новый класс наноструктур и нанокомпозитов для управления оптическим и рентгеновским излучением".
  230. 04-02-16541 А.Л.Асеев "Исследование нанокристаллов кремния, сформированных методами электронной и зондовой нанолитографии в слоях КНИ".
  231. 04-02-20069 А.Л.Асеев "Создание и исследование твердотельных наноструктур и приборов на их основе".
  232. 04-02-17407 П.А.Бохан "Теоретическое и экспериментальное исследование фотоэлектронного разряда".
  233. 04-02-16789 А.А.Быков "Транспорт носителей заряда в GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами и микроструктурах на их основе".
  234. 04-02-16910 А.Б.Воробьев "Двумерные электронные системы на цилиндрической поверхности: создание, магнитотранспортные и электронные свойства".
  235. 04-02-16642 Е.Б.Горохов "Квантовые точки Ge в матрице GeO2: синтез, структура, оптические свойства".
  236. 04-02-16286 А.К.Гутаковский "Электронномикроскопические исследования атомной структуры границ раздела, морфологии и механизмов формирования нанокристаллических систем".
  237. 04-02-16361 И.В.Евсеев "Физические основы записи, считывания и обработкиоптической инфрмации на основе фотонного эхо и его модификаций в парах иттербия".
  238. 04-02-16774 А.В.Ефанов "Исследование процессов релаксации спина экситонов в трехмерных структурах AlGaAs".
  239. 04-07-90432 В.Л.Курочкин "Теоретическая разработка и экспериментальная реализация новых алгоритмов релятивистской квантовой криптографии".
  240. 04-02-16693 А.В.Латышев "Атомные ступени, монослойные покрытия и нанокластеры на поверхности кремния".
  241. 04-02-16138 Б.З.Ольшанецкий "Атомные процессы на чистых поверхностях элементарных полупроводников при адсорбции инородных атомов".
  242. 04-02-16894 А.Г.Погосов "Увлечение электронов фононами в мезоскопических электронных и фононных проводниках".
  243. 04-02-16747 Л.В.Соколов "Экспериментальное изучение процессов формирования наноструктур в гетеросистеме Ge/CaF2/Si(111) при эпитаксии из молекулярных пучков".
  244. 04-02-16425 А.Б.Талочкин "Оптические резонансы в полупроводниковых квантовых точках".
  245. 04-02-16639 А.С.Терехов "Исследование переноса электронов через интерфейсы AlN-GaN(Cs,O)-вакуум и создание быстродействующих однофотонных фотоприемников".
  246. 04-02-17552 А.А.Черненко "Аномальный резонанс насыщенного поглощения в атомах с вырожденными уровнями и эффект светового давления".
  247. 04-02-16653 Т.С.Шамирзаев "Механизмы рекомбинации и релаксации экситонов в системе квантовых точек InAs, синтезированных в широкозонных матрицах AlGaAs".
  248. 04-02-16398 М.В.Энтин "Теория поляризационнозависимых и родственных им фотоэлектрических эффектов в полупроводниках".
  249. 02-02-16159 Э.Г.Батыев "Свойства вигнеровской жидкости".
  250. 02-02-16388 Л.С.Брагинский "Теоретическое и экспериментальное исследование электронных и оптических свойств неидеальных GaAs/AlAs структур типа II".
  251. 02-03-32307 Ю.Г.Галицин "Применение топохимического подхода к проблемам зародышеобразования в гомоэпитаксии GaAs и InAs".
  252. 02-02-17719 А.М.Гилинский "Механизмы формирования и рекомбинации автолокализированных экситонов в структурах с нанокристаллами Si, сформированными в матрице SiO2" .
  253. 02-02-16020 А.В.Двуреченский "Электронная структура самоорганизующихся квантовых точек Ge/Si".
  254. 02-02-16516 З.Д.Квон "Электрон-электронное взаимодействие и спиновые эффекты в квантовых проволоках, точках и интерферометрах".
  255. 02-02-17746 А.Г.Милехин "Эффекты локализации и интерференции фононов в структурах с самоорганизованными точками германия".
  256. 02-02-17726 И.Г.Неизвестный "Атомная диффузия при формировании эпитаксиальных слоев на поверхностях со сложным рельефом, включая поверхности пористых материалов".
  257. 02-02-17897 В.М.Осадчий "Зависимость электронных свойств наноструктур с искривленными поверхностями от внутренних механических напряжений".
  258. 02-02-16332 И.И.Рябцев "Экспериментальное моделирование логических элементов квантового компьютера на атомах в ридберговских состояниях".
  259. 02-02-17695 В.А.Смирнов "Исследование механизмов формирования и свойств долгоживущей оптической поляризации, наведенной двухчастотным когерентным светом в стеклах и высокоомных кристаллах".
  260. 02-02-17800 С.П.Супрун "Механизмы формирования и оптические переходы в напряженных квантовых точках германия".
  261. 02-02-16593 А.И.Торопов "Физико-химические проблемы реконструкционных фазовых переходов на поверхностях GaAs и InAs".
  262. 02-07-9379 В.Г.Хорошевский "Исследование и разработка инструментальных средств для моделирования, анализа и организации функционирования большемасштабных систем распределенной обработки информации".
  263. 02-07-90380 В.Г. Хорошевский, В.К. Трофимов "Исследование и разработка живучей масштабируемой кластерной системы для моделирования параллельных вычислительных технологий".
  264. 02-02-16377 А.В.Чаплик "Зарядовые и спиновые возбуждения в наноструктурах: влияние внешних полей".
  265. 02-02-16718 О.А.Шегай "Прыжковая фотопроводимость Si/Ge/Si-структур с самоорганизующимися квантовыми точками германия".
  266. 02-02-17802 В.Н.Шумский "Исследование влияния электронной подсистемы на фазовый переход в твердом растворе PbSnTe(In)".
  267. 01-02-17694 В.Л.Альперович "Фазовые переходы и электронные возбуждения в слоях цезия на поверхностях полупроводников".
  268. 01-02-16986 И.В.Антонова "Исследование и оптимизация свойств границ раздела кремний-двуокись кремния в структурах кремний на изоляторе".
  269. 01-02-17560 А.Л.Асеев "Наноструктуры на поверхности кремния".
  270. 01-02-16892 А.А.Быков "Когерентный транспорт в мезаскопических системах на основе модулированных полупроводников с высокой концентрацией носителей заряда".
  271. 01-02-17438 А.К.Гутаковский "Электронномикроскопические исследования твердофазных реакций в многокомпонентных системах пониженной размерности".
  272. 01-02-17578 И.В.Евсеев"Когерентные переходные процессы в оптически плотном атомарном газе".
  273. 01-02-16967 К.С.Журавлев "Динамика формирования и релаксации свободных экситонов в трехмерных структурах на основе высокочистых твердых растворов алюминий-галий-мышьяк".
  274. 01-02-17464 А.В.Латышев "Изучение атомных процессов на поверхности кремния при самоорганизации нанообъектов методом in situ СВВ отражательной электронной микроскопии".
  275. 01-01-00790 В.А.Мелентьев "Моделирование отказоустойчивых архитектур вычислительных систем. Постановка и решение задач анализа живучисти и синтеза оптимальных вычислительных систем с отказоустойчивой архитектурой".
  276. 01-02-16830 П.Л.Новиков "Эффекты самоорганизации поверхностных структур при гетероэпитаксии германия на фрактальных пористых слоях кремния".
  277. 01-02-16844 Б.З.Ольшанецкий "Атомные процессы на чистых поверхностях элементарных полупроводников при адсорбции инородних атомов".
  278. 01-02-17698 А.Г.Погосов "Термомагнитные свойства твердотельных электронных биллиардов".
  279. 01-02-32795 С.М.Репинский "Создание и исследование гибридных функциональных материалов микросистемной техники для рецепции газов".
  280. 01-02-32796 Л.Л.Свешникова "Создание и исследование мультимолекулярных систем, содержащих металлические и полупроводниковые нанокластеры".
  281. 01-02-17329 Н.П.Степина "Экситоны в квантовых точках второго типа".
  282. 01-02-16969 А.С.Терехов "Генерация каскада оптических фононов электроном при эмиссии из арсенида галлия с отрицательным электронным сродством".
  283. 01-02-16969 Д.А.Тэннэ "Синтез и спектроскопия комбинационного рассеяния света новых полупроводниковых наноструктур с самоорганизованными квантовыми точками".
  284. 01-02-17451 Л.И.Федина "Низкоразмерные структуры собственных точечных дефектов в кристаллах кремния и германия".
  285. 00-02-17965 Т.И.Батурина "Квантовый транспорт в тонких сверхпроводящих пленках силицидов металлов и гибридных мезоскопических системах на их основе".
  286. 00-02-17461 Ю.Б.Болховитянов "Теоретическое и экспериментальное исследование релаксационных процессов, способствующих снижению плотности пронизывающих дислокаций в напряженных эпитаксиальных слоях".
  287. 00-02-17924 Ю.В.Бржазовский "Лазерная спектроскопия интерференционных явлений в холодных атомах рубидия в магнитооптической ловушке".
  288. 00-03-32375 В.А.Вьюн "Акустический метод исследования молекулярных связей на поверхности твердых тел".
  289. 00-02-17963 Г.А.Качурин "Влияние облучения на фотолюминесценцию и структурные превращения в кремниевых квантово-размерных частицах".
  290. 00-02-17896 Ю.В.Настаушев "Магнетотранспортные свойства пространственно-модулированного двумерного электронного газа".
  291. 00-02-18012 А.И.Никифоров "Исследование процессов зарождения и роста островков GeSi на атомарно-чистой поверхности окиси кремния".
  292. 00-02-16764 В.Я.Принц "Формирование и свойства сложных трехмерных наноструктур".
  293. 00-02-17638 О.П.Пчеляков "Исследование процессов самоорганизации и упорядочения ансамблей квантовых точек на базе гетероструктур GeхSi1-х/Si".
  294. 00-02-17993 Н.Н.Рубцова "Исследование динамического эффекта Штарка в атомах и молекулах методами бездопплеровской когерентной спектроскопии".
  295. 00-02-17900 Л.В.Соколов "Изучение закономерностей самоформирования Ge островков и создание наноструктур в гетеросистеме Ge/CaF2/Si".
  296. 00-02-17994 Е.М.Труханов "Изучение взаимосвязи между напряженным состоянием и распределением дислокаций несоответствия в эпитаксиальных системах с твердыми растворами соединений А3В5 на СaF2 и GeSi на Si".
  297. 00-02-17485 А.А.Федоров "Развитие метода интерференционной топографии для изучения структуры полупроводниковых гетероструктур".
  298. 00-01-00126 В.Г.Хорошевский "Методы анализа и алгоритмы организации функционирования большемасштабных распределенных систем обработки информации".
  299. 00-02-17658 М.В.Энтин "Электронные состояния и кинетические явления в системах многоэлектронных квантовых точек".
  300. 00-02-17885 А.И.Якимов "Электронные фазовые переходы и эффекты взаимодействия в плотных массивах квантовых точек".
  301. 99-02-39051 А.В.Двуреченский (РФФИ-ГФЕН Китая) "Эффекты корреляций и размерного квантования в тунельном транспорте по массиву самоорганизующихся квантовых точек германия с управляемым заполнением".
  302. 99-02-39044 В.А.Смирнов (РФФИ-ГФЕН Китая) "Исследование оптических свойств стекол и кристаллов на основе когерентного фотогальванического эффекта".