Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ
2010
М.В.Якушев, Ю.Г.Сидоров, А.В.Сорочкин, А.Л.Асеев
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков полупроводниковых соединений А2В6.
М.В.Якушев, Ю.Г.Сидоров, В.С.Варавин, И.В.Сабинина, А.В.Сорочкин, В.В.Васильев, А.Г.Клименко, И.В.Марчишин, В.Г.Ремесник, А.Л.Асеев
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков полупроводниковых соединений А2В6
Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе полупроводниковых соединений А2В6
Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках
С.В.Голод, Е.Б.Горохов, В.А.Володин, В.Я.Принц, А.А.Пахневич, В.А.Селезнев
Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур.
Лаборатория радиационной стойкости полупроводников и полупроводниковых приборов.
В.А.Гайслер, А.И.Торопов, А.К.Бакаров, А.К.Калагин, И.А.Деребезов, А.С.Ярошевич, Д.В.Щеглов, А.В.Гайслер, А.В.Латышев
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5.
Г.М.Гусев, Е.Б.Ольшанецкий, З.Д.Квон, Н.Н.Михайлов, С.А.Дворецкий, J.C.Portal
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6.
Instituto de Física da Universidade de São Paulo, Brazil.
LNCMI-CNRS, France.
INSA Toulouse, France.
Institut Universitaire de France, France.
Т.И.Батурина, А.Ю.Миронов, В.М.Винокур, Н.М.Щелкачев, A.Glatz, Д.А.Насимов, А.В.Латышев
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Materials Science Division, Argonne National Laboratory, Argonne, USA.
Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау, Черноголовка.
Кафедра теоретической физики, МФТИ, Москва.
А.В.Чаплик
Лаборатория теоретической физики.
М.В.Энтин, Л.И.Магарилл
Лаборатория теоретической физики.
О.А.Ткаченко, В.А.Ткаченко, З.Д.Квон, А.В.Латышев, А.Л.Асеев
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников A3B5.
А.И. Якимов, А.И.Никифоров, А.А.Блошкин, А.В.Двуреченский
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений A3B5.
А.Ф.Зиновьева, А.В.Ненашев, А.В.Двуреченский
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
В.В.Бакин, С.Н.Косолобов, Г.Э.Шайблер, А.С.Терехов, В.Н.Жмерик, А.М.Мизеров, С.В.Иванов
Лаборатория неравновесных процессов в полупроводниках.
ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург.
О.В.Наумова, Б.И.Фомин, Д.А.Насимов, Н.В.Дудченко, Э.Д.Жанаев, В.П.Попов
Лаборатория физических основ материаловедения кремния.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Лаборатория технологии кремниевой микроэлектроники.
А.Н.Акимов, А.Э.Климов, И.Г.Неизвестный, Н.С.Пащин, В.Н.Шерстякова, В.Н.Шумский
Лаборатория физики и технологии гетероструктур.
А.К.Гутаковский, Т.С.Шамирзаев, М.А.Путято
Лаборатория физических основ материаловедения кремния.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5.
Т.Т.Корчагина, В.А.Володин, Г.Н.Камаев, М.А.Неклюдова, Л.И.Федина, А.К.Гутаковский, А.В.Латышев
Лаборатория радиационной стойкости полупроводников и полупроводниковых приборов.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
С.В.Ситников, C.C.Косолобов, А.В.Латышев
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
П.Л.Новиков, Ж.В.Смагина, В.А.Зиновьев, А.В.Двуреченский, А.С.Дерябин, Д.А.Насимов, А.С.Кожухов, Б.И.Фомин
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Лаборатория технологии кремниевой микроэлектроники.
А.И.Никифоров, В.А.Тимофеев, В.В.Ульянов, С.А.Тийс, О.П.Пчеляков
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соедине- ний А3В5.
Ю.Б.Болховитянов, А.К.Гутаковский, А.С.Дерябин, Л.В.Соколов
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5.
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
В.Г.Кеслер, А.П.Ковчавцев, А.А.Гузев, З.В.Панова, Г.Л.Курышев
Лаборатория физических основ интегральной микроэлектроники.
В.В.Атучин, Л.И.Исаенко, В.Г.Кеслер, А.Ю.Тарасова
Лаборатория оптических материалов и структур.
Лаборатория физических основ интегральной микроэлектроники.
Институт геологии и минералогии СО РАН.
А.Г.Настовьяк, И.Г.Неизвестный, Н.Л.Шварц, З.Ш.Яновицкая
Группа моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники.
В.В.Болотов, В.Е.Росликов, Е.А.Курдюкова, Ю.А.Стенькин
Омский филиал ОФ ИФП СО РАН.
С.А.Волков, М.А.Демьяненко, А.Г.Клименко, В.Н.Овсюк
Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках.
А.В.Царев
Лаборатория оптических материалов и структур.
Е.В.Бельская, П.А.Бохан, Д.Э.Закревский, М.А.Лаврухин
Лаборатория газовых мощных лазеров.
Д.Б.Третьяков, И.И.Бетеров, В.М.Энтин, Е.А.Якшина, И.И.Рябцев
Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики.
В.Г.Хорошевский, В.А.Павский, К.В.Павский
Лаборатория вычислительных систем.