Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ
2007
Т.И. Батурина, А.Ю. Миронов
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.
А.Г. Погосов, М.В. Буданцев
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
А.И.Якимов, А.В.Двуреченский, А.И.Никифоров, Г.Ю.Михалев
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем
А. Ф. Зиновьева, А. В. Двуреченский, Н. П. Стёпина, А. С. Дерябин, А. И. Никифоров, R. Rubinger, N. A. Sobolev, J. P. Leitao, M. C. Carmo
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5.
Departamento de Fisica e I3N, Universidade de Aveiro, Aveiro, Portugal.
А.Г. Милёхин
Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик.
Д.Бимберг, В.А.Гайслер, А.И.Торопов, М.Шольц
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5.
Институт физики твердого тела, г.Берлин, Германия.
Институт физики, Университет им.А.Гумбольта, г.Берлин, Германия.
В.А.Гайслер, А.И.Торопов
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе.
Institut fur Festkorperphysik and Center of NanoPhotonics Technische Universitat, Berlin.
Fraunhofer Institut fur Nachrichtentechnik.
Heinrich-Hertz-Institut Berlin.
NL-Nanosemiconductor GmbH, Dortmund.
Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle, Germany.
В.М.Ковалев, А.В.Чаплик
Лаборатория теоретической физики
Р.З.Витлина, Л.И.Магарилл, А.В.Чаплик
Лаборатория теоретической физики
А.А.Быков, А.К.Бакаров, Д.В.Номоконов
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5
А.К. Гутаковский, А.В.Латышев, Н.Г. Галкин, Е.А. Чусовитин
Лаборатория электронной микроскопии субмикронных структур.
Институт автоматики и процессов управления ДО РАН.
Л.И.Федина, Н.Д.Захаров, А.Л.Чувилин, Н.А.Соболев
Лаборатория электронной микроскопии субмикронных структур.
Max-Plank Institute of Microstructure Physics, 06120 Halle/Saale, Germany.
University Ulm, Albert-Einstein Allee 11, D-89081 Ulm, Germany.
Физико-технический и институт им. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия.
Д.А. Насимов, Т.А. Батурина, А.В. Латышев
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.
Лаборатория электронной микроскопии субмикронных структур.
Ю.В.Настаушев, Т.А.Гаврилова, О.В.Наумова, Ф.Н.Дульцев, Д.В.Щеглов, А.В.Латышев
Лаборатория электронной микроскопии субмикронных структур
А.А. Пахневич, В.В. Бакин, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов
Лаборатория неравновесных процессов в полупроводниках
В.П.Попов, О.В.Наумова, Ю.В.Настаушев, А.В.Латышев
Лаборатория физических основ материаловедения кремния.
Лаборатория электронной микроскопии субмикронных структур
В.П.Попов, И.Е.Тысченко
Лаборатория физических основ материаловедения кремния
А.Б.Воробьев, Ю.С.Юкечева, В.Я.Принц
Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур.
Д.Г.Есаев
Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках.
Лаборатория технологии кремниевой микроэлектроники.
А.А.Андронов, А.А.Бабенко, В.С.Варавин, Д.Г.Икусов
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков А2В6.
Институт физики микроструктур РАН, г.Нижний Новгород.
И.Б.Чистохин, Е.Г.Тишковский, В.И.Ободников, О.П.Пчеляков, В.В.Максимов, А.А.Иванов
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5.
Лаборатория технологии кремниевой микроэлектроники.
В.В.Атучин, И.С.Солдатенков
Лаборатория оптических материалов и структур.
Институт лазерно-физических исследований РФЯЦ ВНИИЭФ.
И.Г.Неизвестный, И.И.Рябцев
Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики
И.Г.Неизвестный, З.Ш.Яновицкая, Н.Л.Шварц
Группа моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники
С.В.Перминов
Лаборатория лазерной спектроскопии и лазерных технологий
П.А.Бохан, Д.Э.Закревский
Лаборатория мощных газовых лазеров