Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
ПРИБОРЫ И ОБОРУДОВАНИЯ
Разработка технологии создания мощных кремниевых резисторов
с низким температурным коэффициентов сопротивления (ТКС)

Характеристика

Совместно с ОАО "НЭВЗ-Союз" разработана технология снижения температурного коэффициента сопротивления (ТКС) и корректировки параметров резистивных элементов мощных резисторов таблеточного исполнения, изготовленных из нейтронно-легированного БЗП-кремния, путем введения точечных дефектов с глубокими уровнями в запрещенной зоне при облучении высокоэнергетичными электронами или γ-квантами и последующих термообработок. Созданы резисторы у которых изменение сопротивления не превышает ±10% в диапазоне температур 20÷180°С.


Рис. Изменение удельного сопротивления кремния с температурой до (светлые значки) и после (черные значки) выравнивания ТКС для разных образцов.

Технико-экономические преимущества

    Мощные кремниевые резисторы имеют:
  • высокое значение допустимой мощности рассеяния на единицу объёма;
  • высокую стабильность номинального значения сопротивления в широком интервале температур;
  • низкие значения паразитной индуктивности и ёмкости;
  • возможность точной подгонки номинального значения сопротивления.

Область применения

Мощные кремниевые резисторы в таблеточном исполнении найдут широкое применение в силовой электротехнике. Такие резисторы наиболее оптимальны для использования в единой унифицированной системе охлаждения с современными мощными полупроводниковыми приборами: диодами, тиристорами, IGBT-модулями и т.д. Это позволяет значительно улучшить массо-габаритные показатели устройств коммутации и управления энергоемким оборудованием.

Лаборатория радиационной стойкости полупроводников и полупроводниковых приборов (М.Д.Ефремов, Г.Н.Камаев).

назад