Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
ПРИБОРЫ И ОБОРУДОВАНИЯ
Кремний для современной электроники

ВЫРАЩИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ (Si-БЗП) МЕТОДОМ БЕСТИГЕЛЬНОЙ ЗОННОЙ ПЛАВКИ

ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ Si-БЗП:
  • малошумящая аппаратура;
  • силовые преобразователи в бортовой аппаратуре;
  • кремниевые фотоприемники, в том числе матричные, для приборов обнаружения, наблюдения и наведениия

Основные параметры установки FZ-20 фирмы HALDOR TOPSOE:

  • производительность, т/г
5
  • диаметр выращиваемых слитков, мм
150
  • длина выращиваемых слитков, мм
1500
  • стоимость установки, млн. долл. США
1.5
ПАРАМЕТРЫ СЛИТКОВ КРЕМНИЯSi-ЧSi-БЗП
Кол-во электрически активных фоновых примесей, ат/см3<1x1012<1x1012
Концентрация атомов, ат/см3:
-кислорода
-углерода
-тяжелых и щелочных металлов

2-11x1017
<1x1016
<5x1012

-
<1x1016
1x1012
Удельное электросопротивление, омxсм0,05 - 200более 800
Разброс У.Э.С. по диаметру слитка,%3 - 5 3
Диаметр слитка, мм203152
Коммерческие предложения:
поставка шлифованных и полированных пластин кремния
по техническим требованиям заказчика
Разработка технологии выращивания и организация малотоннажного производства высокосовершенных слитков кремния диаметром до 150 мм методом бестигельной зонной плавки для изготовления элементов силовой электроники и спецприменения (детекторы ядерного излучения, фотоприемники).
Исполнитель - ИФП СО РАН
Требуется дополнительное финансирование в объеме - 30 млн. руб.
Срок окупаемости - 5 лет.
назад