Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
ПРИБОРЫ И ОБОРУДОВАНИЯ
Многослойные структуры на кремнии
Разработана технология получения многослойных структур методом
прямого сращивания пластин кремния (ПСК) для создания элементной
базы силовой интеллектуальной микроэлектроники

Тепловизионное изображение двухслойных структур

ПРЕИМУЩЕСТВА ТЕХНОЛОГИИ ПСК

  • высокая воспроизводимость электрофизических параметров рабочего слоя (применение FZ-Si)
  • отсутствие структурных дефектов, свойственных эпитаксиальным слоям
  • возможность встраивания на границе раздела легированных "буферных"слоев n- и p-типа
  • возможность встраивания на границе раздела диэлектрических слоев (КНИ-структуры)
  • низкая стоимость
  • экологическая чистота
  • отсутствие длительных высокотемпературных процессов
ПСК-структуры позволяют обеспечить выпуск сильноточных (I=20-100A) высоковольт ных (U=1000-1700В) транзисторов с вертикальным каналом (МОП, СИТ, IGBT) и быстродействующхе диодов с высоким выходом годных изделий
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:

1. Рабочий слой

  • Материал
FZ-Si (КОФ)
  • Уд. сопротивление, Ом.см
40-350
  • Толщина, мкм
50-150

2. Подложка:

  • Диаметр, мм
76, 100
  • Материал
Si (КЭМ, КДБ)
  • Уд. сопротивление, Ом.см
менее 0,01
  • Толщина, мкм
360-380
На ПСК-структурах выпущена партия транзисторов со статической индукцией АООТ "НЭВЗ-СОЮЗ" на напряжение 800-1200В, характеризующихся: низкими потерями в открытом состоянии, высоким быстродействием, повышенной ра- диационной стойкостью.
Коммерческие предложения:
  • изготовление партий ПСК-структур типа n--n+, n--p+, p--p+;
  • разработка технологии создания приборов силовой микро- электроники с вертикальным каналом на ПСК-структурах
назад