Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
ПРИБОРЫ И ОБОРУДОВАНИЯ
КНИ-нанотранзистор
  • повышенное быстродействие ( ~1012 Гц)
  • понижение мощности потребления
  • иммунитет к сбоям памяти при радиационных воздействиях ( ~ 107 рад)
  • расширение температурного диапазона (до 300-350оС)
  • новые функциональные возможности

увеличить рисунок
Затворные характеристики КНИ КМОП транзисторов в диапазоне 25 - 250оС.
Работоспособность тестовых КНИ КМОП ИС сохраняется при температурах 250-300°С.
Пороги транзисторов уменьшаются на 0,5 В.


увеличить рисунок
Сток-затворные характеристики p-канальных транзисторов.
Транзистор закрыт при положительном смещении на подложке.

Пленка кремния легирована однородноснимается проблема смыкания обедненных областей стока-истока стандартных МОП-транзисторов.

увеличить рисунок
Сток-затворные характеристики при различном напряжении на подложке.
Металлический затвор охватывает каждый канал с 3-х сторон.
Пленка кремния легирована однородно.
назад