Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
24.01.07
О присвоении имени академика А.В.Ржанова Институту физики полупроводников СО РАН
Российская академия наук
ПРЕЗИДИУМ
ПОСТАНОВЛЕНИЕ

О присвоении имени академика А.В.Ржанова Институту физики полупроводников СО РАН
(представление Сибирского отделения и Отделения информационных технологий и вычислительных систем)

В целях увековечения памяти выдающегося ученого в области физики твердого тела, физики полупроводников и физических основ полупроводниковых интегральных схем микроэлектроники и микрофотоэлектроники академика Анатолия Васильевича Ржанова, заместителя председателя СО РАН, члена Президиума СО РАН, организатора и первого директора Института физики полупроводников СО РАН (1962-1990 гг.) Президиум Российской академии наук ПОСТАНОВЛЯЕТ:

  1. Присвоить Институту физики полупроводников Сибирского отделения РАН имя академика А.В.Ржанова и впредь именовать его - Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук.

  2. Контроль за выполнением настоящего постановления возложить на Сибирское отделение и Отделение информационных технологий и вычисли тельных систем РАН.

И.о. президента Российской академии наук
академик А.Д.Некипелов

Главный ученый секретарь Президиума Российской академии наук
академик В.В.Костюк