Шрифт
Интервал
Цветовая схема
Изображения
На главную
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
21.08.08
Российско-тайваньский симпозиум "Нанофотоника и наноэлектроника: материалы и физика"
Российско-тайваньский симпозиум "Нанофотоника и наноэлектроника: материалы и физика".
25-27 августа 2008 г.
С 25 по 27 августа в Институте проводится российско-тайваньский симпозиум "Нанофотоника и наноэлектроника: материалы и физика". Симпозиум проводится в рамках совместной программы Российского фонда фундаментальных исследований и Национального научного совета Тайваня (National Science Council of Taiwan), направленной на предоставление ученым обеих стран возможности найти перспективных партнеров для выполнения совместных проектов и представить результаты совместных научных исследований. На симпозиуме будут рассмотрены результаты и перспективы фундаментальных исследований в различных областях физики и материаловедения полупроводниковых наноразмерных объектов. Симпозиум нацелен на обсуждение вопросов создания наноструктур различных видов, их характеризации с атомарным разрешением и исследования их электронных, фононных и оптических свойств.
Сопредседатели симпозиума - К.С.Журавлев (ИФП СО РАН, Новосибирск) с российской стороны и проф. Юэн-Ву Суэн (Y.-W. Suen, National Chung Hsing University, Taichung) с тайваньской стороны.
Программа заседаний симпозиума
Понедельник, 25 августа
10:00-10:15 Opening Ceremony
10:15-10:45 Ge/Si Quantum Dot Nanostructures: Physics and Application. A. V. Dvurechenskii, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia.
10:45-11:15 Structural Diagnostic of Semiconductor Material and Nanostructures. A. V. Latyshev, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia.
11:15-11:45 Edge Excitations of Quantum Hall States of a Quantum Wire Array. Y.‑W. Suen, National Chung Hsing University, Taichung, Taiwan, R.O.C.
11:45-12:05 Coffee break
12:05-12:35 Si0.2Ge0.8 Quantum well PFET and NiGe Stressors. C. W. Liu, National Taiwan University, Taipei, Taiwan, R. O. C.
12:35-13:05 Subband Properties of PMOS Inversion Layer Using Strained Si1-xCx Alloys on (110) Si Substrate. C.-Y. Lin, National Chung Hsing University, Taichung, Taiwan, R.O.C.
13:05-13:35 Molecular Beam Epitaxy of ordered Ge-Si Nanostructures for Applications in Photovoltaics. O. P. Pchelyakov, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia.
13:40-15:00 Lunch
15:00-15:20 Kinetics of Formation and Growth of GaN/AlN Quantum Dots by Ammonia Molecular Beam Epitaxy. V. G. Mansurov, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia.
15:20-15:40 Electrostatic Screening In Nanostructures With Multycomponent Electron Plasma. A. V. Chaplik, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia.
15:40-18:30 Visit to the laboratories of the Institute of Semiconductor Physics.
Вторник, 26 августа
10:00-10:20 The Creation and Investigation of the Functional Characteristics of Semiconductor Nanoclusters on the Basis of Langmuir-Blodgett Layers. O. I. Semenova, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia.
10:20-10:50 InGaAs Quantum Dots and Wires Grown by Molecular Beam Epitaxy. T. S. Lay, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan, R.O.C.
10:50-11:10 Nonradiative Recombination in GaN/AlN Quantum Dots by MBE. K. S. Zhuravlev, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia.
11:10-11:30 Coffee break
11:30-12:00 Terahertz Photosensitivity of Submicron PbSnTe:In Films Under the Condition of Charge Carriers Injection from Contacts. A. E. Klimov, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia.
12:00-12:20 Matrix Microbolometer Detector for Registration of Terahertz Radiation. D. G. Esaev, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia.
12:20-12:50 The Impact of Nanocontact on Nanowire Based Nanoelectronics. W.-B. Jian, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan, R.O.C.
13:00-15:00 Lunch
16:00-16:30 Generation of Quantum Key in Fiber-Optic Communication Lines. I. I. Ryabtsev, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia.
16:30-17:00 Polymer Based on Photonic Crystals Fabricated with Single Step Electron Beam Lithography. C.-S. Wu, National Changhua University of Education, Changhua Taiwan, R.O.C.
17:00-17:20 Fundamentals of Nanophotonic Multi-Reflector Filtering Technology for DWDM. A. V. Tsarev, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia.
17:30-18:30 Poster session. Presentations of young scientists.
Среда, 27 августа
10:00-10:20 Phonons in Semiconductor Nanostructures. A. G. Milekhin, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia.
10:20-10:40 Coulomb Blockade in a Suspended Quantum Dot. A. G. Pogosov, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia.
10:40-11:00 Energy Structure and Spin Relaxation Phenomena in InAs/AlAs Quantum Dots. T. S. Shamirzaev, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia.
11:00-11:20 Coffee break
11:20-11:40 STM Study of Atomic Mechanism of Formation of Wetting Layer of Ge on Si. S. A. Teys, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia.
11:40-12:00 Spin Relaxation in AlGaAs Compounds: Evidence for Size Quantization? A. M. Gilinsky, Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk, Russia.
12:00-14:00 Lunch
14:00-16:00 Round-table discussion
16:00-16:15 Closing session