Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
13.01.09
Cеминар по проблеме "Рост и структура полупроводниковых пленок и кристаллов"
Семинар пройдет в конференц-зале ЛТК 14 января 2009 г. в 15-00.
Р. Жачук: сообщение по материалам статьи "Структура поверхности Si(331)-6x2, рассчитанная в рамках DFT по данным СТМ".
Авторы: Р. Жачук, Б. Ольшанецкий, S. Pereira, J. Coutinho, C. Ciobanu