Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
26.03.09
Конкурс на замещение вакантных должностей

Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН объявляет конкурс на замещение вакантных должностей на условиях срочного трудового договора:

  • младшего научного сотрудника по специальности 05.27.03 "квантовая электроника" - 1 ставка, опыт работы в областях: газовые лазеры, сильноточная электроника, физика газового разряда и генерации заряженных частиц, стаж работы по специальности не менее 2-х лет;
  • младшего научного сотрудника по специальности 01.04.10 "физика полупроводников" - 1 ставка, опыт работы с криогенным оборудованием, исследования гальваномагнитных и фотоэлектрических явлений в HgCdTe и AlGaN/GaN, стаж работы по специальности не менее 3-х лет;
  • младшего научного сотрудника по специальности 01.04.07 "физика конденсированного состояния" - 1 ставка, опыт работы на установках МЛЭ отечественного и импортного производства, синтеза эпитаксиальных структур Ge/Si, стаж работы по специальности не менее 3-х лет;
  • младшего научного сотрудника по специальности 01.04.07 "физика конденсированного состояния" - 1 ставка, опыт работы в области химического синтеза оксидных материалов, рентгеноструктурного анализа, ИК и КР спектроскопии, стаж работы по специальности не менее 3-х лет.

Требования к кандидатам в соответствии с квалификационными характеристиками, утвержденными постановлением Президиума РАН N196 от 25.03.2008 г.

Срок подачи документов - один месяц со дня выхода объявления.

Документы подавать по адресу: г. Новосибирск, проспект ак. Лаврентьева, д. 13.

Дата проведения конкурса 28 мая 2009 года.

Объявление о конкурсе и перечень необходимых документов размещены на сайтах РАН и Института.

Справки по тел.: 333-24-72 (отдел кадров), 333-24-88 (ученый секретарь).