Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
19.11.09
Конкурс на замещение вакантной должности

Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН объявляет конкурс на замещение вакантной должности

  • заведующего лабораторией молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5 по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07)
на условиях срочного трудового договора по соглашению сторон.

Требования к кандидатам:

  • опыт работ в области проектирования, создания и использования аппаратуры МЛЭ;
  • опыт работы в области синтеза полупроводниковых наногетероструктур методом МЛЭ;
  • опыт организации работ в области физико-химических основ технологии полупроводников, полупроводниковых нанокластеров и сверхрешеток методом МЛЭ;
  • квалификационные характеристики в соответствии с постановлением Президиума РАН N196 от 25.03.2008г.

Срок подачи документов - один месяц со дня выхода объявления.

Документы подавать по адресу: г.Новосибирск, проспект ак. Лаврентьева, д.13.

Дата проведения конкурса 18 января 2010 года. Объявление о конкурсе и перечень необходимых документов размещены на сайтах РАН и Института.

Справки по телефону:

  • 333-24-72 (отдел кадров),
  • 333-24-88 (ученый секретарь).