Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
18.11.10
Конкурс на замещение вакантных должностей

Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН объявляет конкурс на замещение вакантных должностей на условиях срочного трудового договора по соглашению сторон:

  • ведущего научного сотрудника по специальности 01.04.10 «физика полупроводников» — 1 ставка, опыт работы в области ИК фотоприемных устройств, разработки кремниевых интегральных схем считывания, стаж работы по специальности не менее 5 лет;
  • младшего научного сотрудника по специальности 01.04.10 «физика полупроводников» — 0,5 ставки, опыт работы в области исследования электронных процессов в инфракрасных приемниках и светоизлучателях, программном комплексе LabView.

Требования к кандидатам в соответствии с квалификационными характеристиками, утвержденными постановлением Президиума РАН № 196 от 25.03.2008 г.

Срок подачи документов — один месяц со дня выхода объявления. Документы подавать по адресу: г.Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 13.

Дата проведения конкурса — 17 января 2011 года

Объявление о конкурсе и перечень необходимых документов размещены на сайтах РАН (http://www.ras.ru) и института (www.isp.nsc.ru).

Справки по тел.:

  • 333-24-72 (отдел кадров),
  • 333-24-88 (ученый секретарь).