Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
14.02.11
CEMИНАР по проблеме "Рост и структура полупроводниковых пленок и кристаллов"

В среду 16 февраля 2011 г. в 15-00 в конференц-зале ЛТК состоится семинар по проблеме "Рост и структура полупроводниковых пленок и кристаллов".

Сообщение О.Е.Терещенко по проблемам:

  1. Сурфактантные свойства цезия при молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs(100).
  2. Обсуждение возможности получения топологических изоляторов при выращивании полупроводниковых соединений IV-V-VI групп.