Шрифт
Интервал
Цветовая схема
Изображения
На главную
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
03.02.12
Сибирские физики получили самые тонкие в мире алмазные пленки

Сибирские ученые научились делать алмазные пленки толщиной 30 нанометров — на порядок тоньше, чем производят в Европе и США, сообщил завлабораторией Института физики полупроводников (ИФП) имени Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук Владимир Попов.

Ученый пояснил, что, чем меньше толщина материала микросхемы, тем меньше возникает паразитных эффектов и помех, ниже энергозатраты, поэтому пленка наноразмерной толщины — идеальная основа для микросхем. Например, кремниевые пленки толщиной до одного нанометра, разработанные в ИФП СО РАН, используют организации Росатома и Роскосмоса при создании приборов радиационно-стойкой электроники; институты РАН и РАМН пользуются ими в приборах наноэлектроники и биосенсорах.

Владимир Попов уточнил, что сейчас алмазные пленки толщиной до 300 нанометров получают в нескольких лабораториях мира, но все их бесспорные плюсы перечеркиваются так называемыми остаточными дефектами, которые образуются при отделении пленки от кристалла.

«Мы нашли способ избежать появления дефектов на всех этапах процесса и сохранить исходную структуру синтетического кристалла, который выращивают наши коллеги из Института геологии и минералогии СО РАН», — пояснил Попов.

Использование квантовых оптических эффектов в алмазных микросхемах на порядки повысит объем вычислений компьютеров. Кроме того, алмазные микросхемы могут работать при температурах до плюс 800 градусов Цельсия, что, в частности, позволило бы создавать приборы прямого контроля и регулировки работы реактивных и других двигателей.

Ученый отметил, что когда появится технология, позволяющая делать микросхемы из самого твердого минерала на Земле, алмаз может вытеснить с рынка кремниевую микроэлектронику. Но для этого нужно вырастить кристалл с заданными свойствами, научиться отслаивать от него тончайшие пленки и встраивать в его кристаллическую структуру другие химические элементы (легировать), чтобы повысить его низкую электропроводность.

Источник RusNanoNet.ru