Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
19.04.12
Полупроводниковый источник перепутанных пар фотонов

Канадские и австрийские физики разработали монолитный источник перепутанных по поляризации пар фотонов на основе GaAs. Перепутанные пары фотонов возникают в результате параметрической генерации. Хотя GaAs обладает высокой нелинейностью, выполнить условия фазового синхронизма для реализации параметрической генерации довольно трудно. Эта проблема была успешно решена благодаря использованию полупроводниковой структуры в виде волновода с брэгговскими решетками. В таком волноводе возникали две моды - за счет полного внутреннего отражения и отражения от брэгговских решеток. Генерирующий модуль выполнен в виде монолитного полупроводникового чипа. Результаты работы опубликованы в журнале Phys. Rev. Lett. И.И.Бетеров

photon pairs