Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
25.04.12
Транспортное время рассеяния и квантовое время жизни в селективно-легированных гетероструктурах GaAs/AlAs

 Исследованы низкотемпературные зависимости транспортного времени рассеяния и квантового времени жизни от концентрации двумерного электронного газа в квантовых ямах GaAs с боковыми сверхрешеточными барьерами AlAs/GaAs. Обнаружено экспоненциальное возрастание квантового времени жизни с увеличением электронной концентрации. Экспоненциальный рост квантового времени жизни объясняется экранировкой случайного рассеивающего потенциала Х-электронами, локализованными в боковых сверхрешеточных барьерах AlAs/GaAs. Установлено, что в исследуемых структурах отношение транспортного времени рассеяния к квантовому времени жизни зависит от концентрации немонотонно. Обнаруженное поведение не описывается существующими теориями. Данная работа была представлена на XIX Уральской международной зимней школе по физике полупроводников в Новоуральске 20-25 февраля 2012г. Д.В.Дмитриев