Шрифт
Интервал
Цветовая схема
Изображения
На главную
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
15.05.12
Гигантское комбинационное рассеяние света наноструктурами

Исследовано гигантское комбинационное рассеяние света  (ГКРС) органическими и неорганическими полупроводниковыми наноструктурами, нанесенными на пластины Si и GaAs ориентации (001), с предварительно сформированными на их поверхности с помощью нанолитографии латерально-упорядоченных массивов нанокластеров Au диаметром 20-200 нм и периодом 80-350 нм. Было обнаружено резкое усиления интенсивности сигнала комбинационного рассеяния ультратонкими пленками органического полупроводника CoPc, нанесенными на наноструктурированные подложки. Сравнение спектров ГКРС и КРС пленок CoPc, выращенных на наноструктурированной и гладкой поверхности Si, представлено на Рис.1. Из рисунка видно, что при росте пленки CoPc толщиной 0.15 нм на гладкой поверхности Si спектры КРС обнаруживают лишь особенности, соответствующие оптическим фононам подложки Si. При нанесении пленок на наноструктурированные области дополнительно возникают новые интенсивные колебательные моды CoPc при 590, 680 и 750 см-1. Эти же моды наблюдаются и в спектрах КРС и ГКРС пленки CoPc толщиной 5 нм.

В результате исследований нанокристаллов (НК) CuS (рис.2), полученных при помощи технологии Ленгмюра-Блоджетт, было обнаружено, что комбинационное рассеяние света оптическими фононами CuS наблюдалось только для тех областей, где НК CuS приведены в непосредственный контакт с нанокластерами Au, в то время как сигнал КРС НК CuS на чистой подложке отсутствовал. Результаты работы будут представлены на 4-й международной конференции по самоорганизации наноструктур "Nanosea 2012" в Санта Маргарита ди Пула (Италия). Н.А.Ерюков