Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
10.10.12
Семинар СНМ ИФП СО РАН

В четверг 11 октября  в 14:00 в конференц-зале АК состоится научный семинар Совета научной молодёжи ИФП СО РАН. На семинаре будет представлен доклад:

В.А. Тимофеев "Синтез двумерных псевдоморфных GeSi пленок при различных условиях роста"

Построена кинетическая диаграмма, описывающая 2D-3D переход GeSi пленок в диапазоне температур 300-700C. Значения, локализующиеся ниже 2D-3D перехода, выявляют область толщин GeSi такую, что GeSi слои представляют собой двумерные бездислокационные псевдоморфные пленки. Пленка GeSi есть сочетание (2х1) и (2xn) реконструкций. Мы измерили фактор n для GeSi слоя с помощью нашего программного обеспечения по отношению к видеозаписи картины дифракции быстрых электронов (ДБЭ) в течение роста. Число n достигает минимального значения около 8 для чистой пленки Ge, в то время как для пленок GeSi число n возрастает от 8 до 14 с уменьшением содержания Ge. Полученные данные о структуре и морфологии пленок GeSi позволяет анализировать нам как поверхностную диффузию, так и релаксацию упругих напряжений, накапливаемых в процессе роста. Зависимость 2D-3D перехода представляет интерес с точки зрения создания бездислокационных двумерных GeSi слоев, которые используются во время роста периодических многослойных Ge/Si структур, в том числе с Ge квантовыми точками.