Шрифт
Интервал
Цветовая схема
Изображения
На главную
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
01.11.12
Kinetics of Band Bending and Electron Affinity at GaAs(001) Surface with Nonequilibrium Cesium Overlayers

Атомные и электронные релаксационные процессы, происходящие на поверхности полупроводников при адсорбции, диффузии и аккомодации адатомов, представляют научный интерес и оказывают влияние на работу полупроводниковых приборов, таких как GaAs(Cs,O) фотокатоды с отрицательным электронным сродством, однако физическая картина этих процессов далека от завершенности. Нами проанализированы различия в кинетике тока фотоэмиссии при различных величинах потока цезия на поверхность сильнолегированного p-GaAs. Эти различия свидетельствуют о незавершенности процесса аккомодации атомов цезия на поверхности GaAs(001). Изучена эволюция спектров квантового выхода фотоэмиссии границы раздела Cs/GaAs(001) в процессе нанесения цезия и последующей релаксации адсорбционного слоя после выключения цезиевого источника. По поведению спектрального порога фотоэмиссии установлено, что эффективное электронное сродство как функция цезиевого покрытия Cs ведет себя немонотонно и проходит через минимум вблизи θCs=0.5 ML. На основе полученных данных получена возможная микроскопическая картина неравновесных процессов на поверхности Cs/GaAs(001). Результаты данной работы представлены на конференции "31st International Conference on the Physics of Semiconductors", Цюрих, Швейцария, 29 июля - 3 августа 2012.  А.Г.Журавлев