Шрифт
Интервал
Цветовая схема
Изображения
На главную
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
11.07.13
Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности на условиях срочного трудового договора по соглашению сторон:

  • ведущего научного сотрудника по специальности 01.04.10 «физика полупроводников». Требования к кандидатам: опыт в разработке физико-химических основ технологии выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии слоев кадмий-ртуть-теллур на подложках из кремния и арсенида галлия;
  • ведущего научного сотрудника по специальности 01.04.10 «физика полупроводников». Требования к кандидатам: опыт работы в области явлений переноса, включая квантовый и классический электронный транспорт в полупроводниковых наноэлектромеханических системах;
  • ведущего научного сотрудника по специальности 01.04.10 «физика полупроводников». Требования к кандидатам: опыт работы в области ИК-спектроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света полупроводниковых наноструктур и гибридных наноструктур полупроводник-металл;
  • ведущего научного сотрудника по специальности 01.04.10 «физика полупроводников». Требования к кандидатам: опыт работы в области исследования полупроводниковых материалов и структур с пониженной размерностью на основе соединений А3В5 методом фотолюминесценции;
  • ведущего научного сотрудника по специальности 01.04.10 «физика полупроводников». Требования к кандидатам: опыт работы в области формирования и исследования низкоразмерных гетеросистем (в частности кремний-на-изоляторе) и приборов на их основе;
  • ведущего научного сотрудника по специальности 02.00.21 «химия твердого тела». Требования к кандидатам: опыт работы в области исследования физико-химических процессов на поверхности полупроводниковых материалов и диэлектриков, в том числе в области разработки процессов плазмохимического травления;
  • старшего научного сотрудника по специальности 01.04.10 «физика полупроводников». Требования к кандидатам: опыт в разработке полупроводниковых нанотехнологий, опыт руководства проектами;
  • старшего научного сотрудника по специальности 01.04.10 «физика полупроводников». Требования к кандидатам: опыт в разработке физико-химических основ технологии изготовления многоэлементных фотодиодных фотоприемников на основе кадмий-ртуть-теллур;
  • старшего научного сотрудника по специальности 01.04.04 «физическая электроника». Требования к кандидатам: владение экспериментальными методами лазерной и микроволновой спектроскопии атомов в газовых ячейках, лазерного охлаждения атомов, квантовой электроники, стабилизации частот лазеров;
  • старшего научного сотрудника по специальности 01.04.05 «оптика». Требования к кандидатам: владение экспериментальными и теоретическими методами лазерной и микроволновой спектроскопии ридберговских атомов, квантовых вычислений с нейтральными атомами, создания лазеров, стабилизации частот лазеров;
  • научного сотрудника по специальности 01.04.05 «оптика». Требования к кандидатам: владение экспериментальными и теоретическими методами лазерной и микроволновой спектроскопии ридберговских атомов, квантовых вычислений с нейтральными атомами, вакуумной техники, стабилизации частот лазеров.

Квалификационные характеристики в соответствии с постановлением Президиума РАН №196 от 25.03.2008 г. Документы подавать по адресу: г. Новосибирск, проспект ак. Лаврентьева, д. 13.

Дата проведения конкурса: по истечении 2-х месяцев со дня выхода объявления, на ближайшем заседании конкурсной комиссии.

Объявление о конкурсе и перечень необходимых документов размещены на сайтах РАН и Института (www.isp.nsc.ru).

Справки по тел.:

  • 333-24-88 (ученый секретарь)