Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
29.04.14
ПОЗДРАВЛЯЕМ ПОБЕДИТЕЛЕЙ ЮБИЛЕЙНОГО КОНКУРСА НАУЧНЫХ РАБОТ СОТРУДНИКОВ ИНСТИТУТА 2014 ГОДА!

В понедельник, 28 апреля, на заседании Ученого совета Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН состоялось утверждение результатов юбилейного конкурса научных работ сотрудников Института и торжественное награждение победителей и призеров конкурса.

В связи с тем, что этот конкурс приурочен к 50-летию образования Института, дирекцией было принято решение увеличить размер премий за 1-е, 2-е и 3-е места, а победителям конкурса, занявшим первое место, дополнительно был вручен сертификат на выделение 500 тысяч рублей на приобретение оборудования, комплектующих и материалов для проведения научных исследований.

Раздел "Конкурс научных работ"

Первое научное направление (6 премий):

1 премия:

Е.Б. Ольшанецкий, З.Д. Квон, М.В. Энтин, Л.И. Магарилл, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий
Влияние электронно-дырочного рассеяния на транспортные свойства двумерного полуметалла в квантовой яме HgTe.

2 премия:

Д.И. Рогило, Л.И. Федина, С.С. Косолобов, Ranguelov B. S., А.В. Латышев
Критическая ширина террасы для двумерного зарождения при росте Si на поверхности Si(111)-(7×7).

И.И. Бетеров, М. Саффман, Е.А.Якшина, В.П.Жуков, Д.Б.Третьяков, В.М.Энтин, И.И.Рябцев, К.Мансела, К.Маккормик, С.Бергамини и М.П. Федорук
Квантовые логические операции в мезоскопических атомных ансамблях на основе адиабатического прохождения и дипольной блокады.

3 премия:

А.Ф. Зиновьева, Н.П. Степина, А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский, Л.В. Кулик, N.A. Sobolev, M.C. Carmo
Электронные состояния в структурах с Ge/Si квантовыми точками: исследование методом ЭПР.

Ю.Б. Болховитянов, А.П. Василенко, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов
Особенности пластической релаксации метастабильного слоя GexSi1-x (x~0.3-0.5) нанометровой толщины, захороненного между подложкой Si и релаксированным слоем Ge.

А.А. Шевырин, А.Г. Погосов, М.В. Буданцев, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, С.С. Косолобов, Т.А. Гаврилова, А.С. Кожухов, С.В. Ишуткин, Е.В. Шестериков и А.С. Аракчеев
Кондактанс нелинейно колеблющейся нанопроволоки.

Второе научное направление (3 премии):

1 премия:

Ф.Н. Дульцев, Е.А. Колосовский, И.А. Мик, А.А. Ломзов, Д.В. Пышный
Новый метод получения генетической информации с помощью QCM-сенсора по измерению силы раскручивания двойной спирали ДНК.

2 премия:

А.Г. Журавлев, М.Л. Савченко, А.С. Ярошевич, А.Г. Паулиш, Г.Э. Шайблер, В.Л. Альперович
Электронные свойства поверхности GaAs(001) с неравновесными слоями цезия.

3 премия:

Н.А. Небогатикова, И.В. Антонова, В.Я. Принц, В.А. Володин, И.С. Жидков
Создание фторографена с разной степенью фторирования путем химической модификации графена.

Премия молодому (не старше 33 лет) участнику – соавтору премированной работы присуждена Н.А. Небогатиковой (3 место по направлению II).

Лучшим докладчиком признан И.И. Бетеров (2 место по I направлению).