Шрифт
Интервал
Цветовая схема
Изображения
На главную
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
29.04.14
ПОЗДРАВЛЯЕМ ПОБЕДИТЕЛЕЙ ЮБИЛЕЙНОГО КОНКУРСА НАУЧНЫХ РАБОТ СОТРУДНИКОВ ИНСТИТУТА 2014 ГОДА!

В понедельник, 28 апреля, на заседании Ученого совета Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН состоялось утверждение результатов юбилейного конкурса научных работ сотрудников Института и торжественное награждение победителей и призеров конкурса.

В связи с тем, что этот конкурс приурочен к 50-летию образования Института, дирекцией было принято решение увеличить размер премий за 1-е, 2-е и 3-е места, а победителям конкурса, занявшим первое место, дополнительно был вручен сертификат на выделение 500 тысяч рублей на приобретение оборудования, комплектующих и материалов для проведения научных исследований.

Раздел "Конкурс научных работ"

Первое научное направление (6 премий):

1 премия:

Е.Б. Ольшанецкий, З.Д. Квон, М.В. Энтин, Л.И. Магарилл, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий
Влияние электронно-дырочного рассеяния на транспортные свойства двумерного полуметалла в квантовой яме HgTe.

2 премия:

Д.И. Рогило, Л.И. Федина, С.С. Косолобов, Ranguelov B. S., А.В. Латышев
Критическая ширина террасы для двумерного зарождения при росте Si на поверхности Si(111)-(7×7).

И.И. Бетеров, М. Саффман, Е.А.Якшина, В.П.Жуков, Д.Б.Третьяков, В.М.Энтин, И.И.Рябцев, К.Мансела, К.Маккормик, С.Бергамини и М.П. Федорук
Квантовые логические операции в мезоскопических атомных ансамблях на основе адиабатического прохождения и дипольной блокады.

3 премия:

А.Ф. Зиновьева, Н.П. Степина, А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский, Л.В. Кулик, N.A. Sobolev, M.C. Carmo
Электронные состояния в структурах с Ge/Si квантовыми точками: исследование методом ЭПР.

Ю.Б. Болховитянов, А.П. Василенко, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов
Особенности пластической релаксации метастабильного слоя GexSi1-x (x~0.3-0.5) нанометровой толщины, захороненного между подложкой Si и релаксированным слоем Ge.

А.А. Шевырин, А.Г. Погосов, М.В. Буданцев, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, С.С. Косолобов, Т.А. Гаврилова, А.С. Кожухов, С.В. Ишуткин, Е.В. Шестериков и А.С. Аракчеев
Кондактанс нелинейно колеблющейся нанопроволоки.

Второе научное направление (3 премии):

1 премия:

Ф.Н. Дульцев, Е.А. Колосовский, И.А. Мик, А.А. Ломзов, Д.В. Пышный
Новый метод получения генетической информации с помощью QCM-сенсора по измерению силы раскручивания двойной спирали ДНК.

2 премия:

А.Г. Журавлев, М.Л. Савченко, А.С. Ярошевич, А.Г. Паулиш, Г.Э. Шайблер, В.Л. Альперович
Электронные свойства поверхности GaAs(001) с неравновесными слоями цезия.

3 премия:

Н.А. Небогатикова, И.В. Антонова, В.Я. Принц, В.А. Володин, И.С. Жидков
Создание фторографена с разной степенью фторирования путем химической модификации графена.

Премия молодому (не старше 33 лет) участнику – соавтору премированной работы присуждена Н.А. Небогатиковой (3 место по направлению II).

Лучшим докладчиком признан И.И. Бетеров (2 место по I направлению).