Шрифт
Интервал
Цветовая схема
Изображения
На главную
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
20.07.14
АСПИРАНТУРА ИФП СО РАН

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова в 2014 году объявляет приём в аспирантуру по имеющим государственную аккредитацию образовательным программам подготовки научно-педагогических кадров в аспирантуре по очной форме обучения.

Направление подготовки: физика и астрономия;
специальности: физика полупроводников, физика конденсированного состояния
и докторантуру по специальностям: физика полупроводников; физика конденсированного состояния.

Институт имеет высококвалифицированных специалистов для руководства аспирантами по вышеперечисленным специальностям, обладает высокотехнологической базой для проведения исследований, поддерживает молодых специалистов выделением конкурсных и именных стипендий, обеспечивает материальную поддержку для проживания иногородних аспирантов.

Приём документов - с 1 июня по 19 июня 2014 г.; вступительные экзамены - с 20 июня по 20 июля 2014 г.

Полная информация о приеме в аспирантуру размещена на сайте Института, раздел аспирантура ИФП СО РАН.

 

За справками обращаться к заведующей аспирантурой Шерстяковой В.Н., тел. 330-66-31, e-mail: sher@isp.nsc.ru.