Шрифт
Интервал
Цветовая схема
Изображения
На главную
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
14.10.14
Семинар по проблеме "Рост и структура полупроводниковых пленок и кристаллов"

Д.Н. Придачин
Исследование адсорбционных слоев и начальных стадий формирования пленок AIIBVI на кремнии
(кандидатская диссертация)
Конференц-зал ЛТК, 15 октября 2014 г., среда 15-оо

Научный руководитель д.ф.-м.н. М.В.Якушев
Рецензент: к.ф.-м.н. С.А.Тийс

На защиту выносятся следующие основные научные положения:

  1. Теллур и цинк не адсорбируются в виде сплошного монослоя на чистой поверхности Si(013), и на поверхности Si(013), стабилизированной мышьяком (Si(013):As).
  2. Формирование пленки ZnTe на Si(013):As состоит из III этапов: образование «смачивающего» адсорбционного слоя нестехиометрического состава, образование и коалесценция зародышей и стационарная стадия, протекающая с постоянной скоростью роста.
  3. Состав «смачивающего» нестехиометрического адсорбционного слоя, предшествующего эпитаксиальному росту ZnTe/Si, соответствует формуле Zn2Te. Такой слой формируется со скоростями, соответствующими скорости поступления осаждаемого материала.
  4. После формирования «смачивающего» слоя, дальнейший рост пленки до толщины ~ 2 нм имеет индукционную природу.  При этом скорость роста пленки определяется скоростью образования зародышей критического размера, а не скоростью поступления осаждаемого материала.