Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
14.11.14
Семинар отдела физики поверхности
Среда, 19 ноября 2014, 15.30, КЗ ТК
В.А. Голяшов, К.А. Кох, О.Е.Терещенко
Транспорт в кристаллах Bi2Te3 и Bi2-xSbxTe3 с градиентным p-n переходом

В работе показано, что в кристаллах Bi2Te3 (Bi2-xSbxTe3), выращенных вертикальным методом Бриджмена из нестехиометрического расплава (62% Te и38% Bi), коэффициент Зеебека и постоянная Холла меняют знак вдоль оси роста кристалла, при этом поверхностное состояние с линейным законом дисперсии(конус Дирака) наблюдается как в p- , так и n- областях кристалла. В области p-n перехода наблюдается  положительное магнетосопротивление, обусловленное присутствием двух типов носителей. Вблизи p-n перехода при переходе в n- область подвижность носителей увеличивается почти на порядок (подвижность электронов достигает 80000 см2В-1с-1), что, возможно, связано с эффектом экранировки. Обсуждается вопрос отделения  поверхностной проводимости от объемной.