Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
01.12.14
Конференция памяти Григория Аркадьевича Качурина

С 27 по 31 октября 2014 года в Нижегородском государственном университете имени Н.И. Лобачевского проходила V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», посвященная памяти ведущего научного сотрудника Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, доктора физико-математических наук, лауреата Государственной премии СССР КАЧУРИНА Григория Аркадьевича.

Г.А. Качурин приехал в Академгородок 5 апреля 1963 года. После окончания Московского Энергетического института по специальности «диэлектрики и полупроводники» он получил направление в Институт физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР. По времени это совпало со строительством лаборатории радиационной физики №10, которую возводили силами сотрудников института. Сейчас это корпус прочности ИФП СО РАН. Одновременно ученые проводили первые эксперименты на оборудовании, созданном своими руками.

Григорий Аркадьевич был высокообразованным человеком. Он свободно владел английским, немецким, французским и украинским языками, имел энциклопедические знания, был прекрасным инженером. По его чертежам была изготовлена первая в институте ионная пушка с жидкометаллическим источником. На этой пушке затем проводили имплантацию многие поколения его учеников.

Первые исследования Г.А. Качурина были посвящены исследованию теллурида кадмия. Уже в 1967 году вышла первая статья Г.А. Качурина с соавторами «Бомбардировка тонких слоев CdTe ионами индия». К этому времени Григорий Аркадьевич стал руководителем группы. В 1968 году Г.А. Качурин защитил кандидатскую диссертацию по теме «Ионное легирование тонких пленок теллурида кадмия».

В 1968 году Г.А. Качурину было поручено съездить в ГДР на приемку ускорителя «Ван-де-Грааф». После этой поездки началось сотрудничество с исследовательским центром в Россендорфе (Дрезден), совместные исследования с которым продолжаются в ИФП СО РАН и сейчас.

Дальнейшие исследования Г.А. Качурина были связаны с ионной имплантацией соединений типа A3B5. Его докторская диссертация, защищенная летом 1981 года, называлась «Ионное легирование полупроводниковых соединений».

В начале 70-х годов Г.А. Качурин занялся исследованием процессов в полупроводниках под действием лазерных импульсов. К тому времени в ИФП СО РАН уже был сформирован отдел «Квантовая электроника», в котором были лазеры с модулированной добротностью, позволяющие генерировать мощные световые импульсы длительностью в несколько десятков наносекунд. Первые же эксперименты показали, что лазерного импульса наносекундной длительности нс достаточно для кристаллизации полупроводниковых слоев, аморфизированных ионной бомбардировкой. Результаты первых исследований были опубликованы в осенью 1975 года. Одновременно с новосибирской группой аналогичные эксперименты проводились независимо в Казанском физико-техническом институте. В 1988 году за разработку и исследование импульсного лазерного отжига группа сотрудников Казанского физико-технического института и Института физики полупроводников была удостоена Государственной премии СССР в области науки и техники. Ученик Г.А. Качурина Евгений Васильевич Нидаев в 1983 году за комплекс работ по исследованию, созданию и внедрению методов аппаратуры импульсного отжига полупроводниковых структур источниками интенсивного некогерентного света был удостоен премии Ленинского комсомола.

Последующие работы Григория Аркадьевича были посвящены в основном ионно-лучевой модификации кремния: легирование кремния ионами низких энергий, изучение эффектов в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации, ионный синтез структур «кремний-на-изоляторе», синтез и свойства полупроводниковых нанокристаллов в диэлектрических пленках. Г.А. Качурин – автор 183 статей и трех монографий.

Многолетние совместные научные исследования связывали Григория Аркадьевича Качурина с Нижегородским государственным университетом им. Н.И. Лобачевского. Он был членом организационного и программного комитетов всероссийских семинаров, а затем и четырех конференций «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», которые были организованы еще в 90-х годах Павлом Васильевичем Павловым, одним из основоположников ионной имплантации не только в Советском Союзе, но и в мире. Поэтому закономерно, что V конференция по ионной имплантации была посвящена памяти Г.А. Качурина. Он ушел из жизни 25 марта 2013 года, не дожив всего 10 дней до «золотого юбилея» его работы в лаборатории №10 ИФП СО РАН. Вся его жизнь была посвящена науке и ионной имплантации.

На конференции стороны личности и научных интересов Г.А. Качурина были представлены в докладах Н.Н. Герасименко «Памяти Григория Аркадьевича Качурина – ученого и человека», И.Е. Тысченко «Ионный синтез структур на основе кремния», П.П. Трофимчука «Влияние исследований Г.А. Качурина на создание релаксационной оптики». Воспоминаниями о Г.А. Качурине поделился заместитель начальника ЦКБ ОАО «Швабе – фотосистемы», д.т.н. В.П. Астахов. О многолетнем сотрудничестве с Г.А. Качуриным рассказал профессор ННГУ им. Н.И. Лобачевского Д.И. Тетельбаум. В работе конференции приняли участие более 100 специалистов в области ионной имплантации из России, Белоруссии, Украины, Португалии и Японии. Конференция, посвященная памяти ученого, послужила дискуссионной площадкой для обсуждения наиболее перспективных вопросов ионной имплантации представителями Академии Наук, вузовской науки и промышленности.

Автор: И.Е. Тысченко
www.sbras.ru