Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
19.06.15
CEMИНАР по проблеме "Рост и структура полупроводниковых пленок и кристаллов"

Конференц-зал ЛТК   
22 июня 2015 г, понедельник, 15:00

Отчеты аспирантов аспирантуры ИФП

1. А.Р. Туктамышев "Синтез гетероструктур на базе материалов Si-Ge-Sn, выращенных на Si(100) методом МЛЭ"
Научный руководитель - А.И. Никифоров

2. М.Ю. Есин "Исследования морфологии и реконструкции поверхности структур GexSi1-x/Si(100), полученных методом МЛЭ"
Научный руководитель - А.И. Никифоров

3. Д.М. Леган "Исследование свойств и оптимизация гетероэпитаксиальных микро- и нанослоев соединений А3В5, выращенных для высокоэффективных солнечных элементов."
Научный руководитель - О.П. Пчеляков

4. М.О. Петрушков "GaAs на вицинальных подложках Si(001): влияние условий зарождения и роста на свойства эпитаксиальных слоев"
Научный руководитель - М.А. Путято