Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
15.11.16
Расписание конкурса стипендий ИФП-2016

 

  Расписание выступлений молодых учёных на конкурсе  стипендий ИФП СО РАН 2016 года
  16 ноября 2016 года, актовый зал гл. корпуса ИФП СО РАН
  Время Конкурсант Виза Название работы
  9:00 Приветственное слово директора ИФП СО РАН академика РАН А.В.Латышева
  9:05 Аксенов Максим Сергеевич Н.А.Валишева   Формирование границы раздела мeталл/In0.52Al0.48As для создания приборных СВЧ-фотодиодов с барьером Шоттки
   
  9:20 Бацанов Степан Анатольевич А.К.Гутаковский Исследование атомной структуры и механизмов формирования нанокристаллов сульфидов металлов в плёнках Ленгмюра-
Блоджетт
   
  9:35 Боев Максим Вадимович В.М.Ковалев Бозе-Эйнштейновский конденсат двумерного газа экситонов
   
  9:50 Гайдук Алексей Евгеньевич В.Я.Принц Плазмонные структуры на основе субволновых дифракционных решеток:дизайн, моделирование, свойства
   
  10:05 Есин Михаил Юрьевич А.И.Никифоров Исследование механизма упорядочения массива островков Ge на
ступенчатой поверхности Si(100)
   
  10:20 Зайцева Эльза Гайнуллаевна О.В.Наумова Исследование подвижности носителей заряда в условиях эффекта зарядовой связи в кремниевых тонкопленочных структурах
         
  10:35 Иванов Артем Ильич И.В.Антонова Резистивные переключения в материалах на основе
фторированного графена
         
  10:50 Казанцев Дмитрий Михайлович В.Л.Альперович Моделирование процессов разупорядочения поверхности полупроводников
         
   11:05-11:20 Перерыв (Кофе)    
         
  11:20 Кривякин Григорий Константинович В.А.Володин Нанокристаллы в аморфной матрице, сформированные с применением импульсного лазерного отжига
         
  11:35 Коляко Александр Владимирович Д.Б.Третьяков Исследование особенностей генерации квантового ключа в протяженных атмосферных линиях связи
         
  11:50 Конфедератова Ксения Александровна К.С.Журавлев Процессы формирования GaN квантовых точек низкой
плотности на поверхности (0001)AlN методом аммиачной МЛЭ.
   
  12:05 Милахин Денис Сергеевич К.С.Журавлев Начальная стадия эпитаксии A3-нитридов на сапфире
   
  12:20 Осинных Игорь Владимирович К.С.Журавлев Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев AlGaN сильно легированных кремнием
         
  12:35 Петрушков Михаил Юрьевич М.А.Путято Влияние условий зарождения на свойства пленок GaSb/Si при МЛЭ
   
  12:50 Плешков Александр Сергеевич Д.Б.Третьяков Исследование распределения однофотонного квантового ключа в однопроходной и двухпроходной оптоволоконных квантовых линиях связи
   
  13:05 Туктамышев Артур Раисович А.В.Двуреченский Псевдоморфные многослойные структуры GeSiSn на Si(100), выращенные методом МЛЭ
         
  13:20-14:15 Перерыв на обед    
         
  14:15 Хандархаева Саяна Евгеньевна А.К.Гутаковский Атомная структура границ раздела в полупроводниковых гетеросистемах с большим структурно-химическим несоответствием кристаллических решеток
         
  14:30 Юданова Екатерина Сергеевна О.И.Семенова Синтез и физико-химические свойства фотоактивного материала - органоминерального перовскита
         
  14:45 Якшина Елена Алексеевна И.И.Рябцев Радиочастотные резонансы Фёрстера в ансамблях холодных атомов рубидия
         
  15:00 Журавлев Андрей Григорьевич В.Л.Альперович Фотоэмиссия из p-GaAs(Cs,O) с положительным и отрицательным электронным сродством
   
  15:15 Емельянов Евгений Александрович В.В.Преображенский Молеулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов (AIII) SbxAs1-x изопериодичных с GaSb
   
         
  15:30 Малин Тимур Валерьевич К.С.Журавлев In-situ пассивированные гетероструктуры AlN/GaN для E-HEMT
   
  15:45 Небогатикова Надежда Александровна И.В.Антонова Наноструктурирование пленок графена и фторографена
тяжелыми ионами высоких энергий.
         
  16:00 Перевалов Тимофей Викторович В.А.Гриценко Электронная структура вакансий кислорода в орторомбической фазе Hf0.5Zr0.5O2: ab initio моделирование
         
   16:15-16:30 Перерыв (Кофе)    
         
  16:30 Рожков Станислав Александрович А.С.Терехов Изучение неупругого рассеяния фотоэлектронов на границе раздела p-GaN(Cs,O)-вакуум
         
  16:45 Шевырин Андрей Анатольевич А.Г.Погосов Наномеханические системы с двумерным электронным газом