Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
СЕМИНАРЫ

2013

В среду, 11 декабря в 10 часов в конференц-зале административного корпуса состоится институтский семинар. Марин Денис Викторович выступит с докладом "Оптические свойства нанокристаллов германия в плёнках оксида германия: влияние квантоворазмерного эффекта".

Диссертация на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 - Физика полупроводников.

Рецензент - д.ф.-м.н. Гриценко Владимир Алексеевич.

Научный руководитель - к.ф.-м.н. Володин Владимир Алексеевич.

В среду 4 декабря 2013 г. в 10-00 в конференц-зале административного корпуса состоится институтский семинар.

Тимофеев Вячеслав Алексеевич выступит с докладом "Изменение морфологии и структуры поверхности на начальных стадиях роста тонких пленок GeSi и GeSiSn на Si(100)"

Специальность 01.04.07 – Физика конденсированного состояния

Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Рецензент – д.ф.-м.н. Шкляев Александр Андреевич

Научный руководитель – к.ф.-м.н. Никифоров Александр Иванович

В среду, 27 ноября в 10 часов в конференц-зале административного корпуса состоится институтский семинар. Асеев Павел Павлович выступит с докладом "Влияние неидеальных контактов и межэлектронного взаимодействия на электронные и спиновые свойства низкоразмерных систем".

Диссертация на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.07 - Физика конденсированного состояния.

Работа выполнена в Федеральном государственном бюджетном учреждении науки Институте радиотехники и электроники им.В.А.Котельникова РАН, г. Москва.

Рецензент - д.ф.-м.н. Квон Зе Дон.

В среду, 20 ноября в 15 часов в конференц-зале административного корпуса состоится семинар. Тема семинара – Оптические свойства нанокристаллов германия в пленках оксида германия: влияние квантоворазмерного эффекта.

Диссертация на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук.

Докладчик - Марин Д.В.

Научный руководитель - Володин В.А.

Рецензент - Гриценко В.А.

В среду, 20 ноября в 10 часов в конференц-зале административного корпуса состоится институтский семинар. Жолудев Максим Сергеевич выступит с докладом "Терагерцовая спектроскопия квантовых ям HgCdTe/CdHgTe".

Диссертация на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук по специальности 05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.

Работа выполнена в Федеральном государственном бюджетном учреждении науки Институте физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород.

Рецензент - д.ф.-м.н. Квон Зе Дон.

В среду, 23 октября в 10 часов в конференц-зале административного корпуса состоится институтский семинар. Гордеева Анастасия Борисовна выступит с докладом "Оптическая анизотропия поверхностей (001) GaAs и InAs".

Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10- Физика полупроводников.

Работа выполнена в Федеральном государственном бюджетном учреждении науки Институте физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук (ИФ СО РАН).

Рецензенты: д.ф.-м.н. Виталий Львович Альперович, к.ф.-м.н. Олег Евгеньевич Терещенко.

Уважаемые коллеги!

16 октября 2013 г. в 10:00 в конференцзале АК состоится Институтский семинар.

Prof. Maki Suemitsu
Heteroepitaxy of 3C-SiC on Si Substrate and
Formation of Epitaxial Graphene


Head of the solid state electronics group at the Research Institute of Electrical Communication,
Tohoku University, Sendai, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan

Приглашаются все.
Краткая аннотация доклада:

ABSTRACT

By forming a SiC thin film on Si substrates and by thermally converting the film’s top surface into graphene, an epitaxial graphene (EG) layer can be formed on Si substrates [1-7]. In this graphene-on-silicon (GOS) technology, heteroepitaxy of 3C-SiC thin films are firstly conducted on silicon substrates by using gas-source molecular beam epitaxy using monomethylsilane (MMS-GSMBE). With this growth method, high-quality 3C-SiC films can be grown at practical temperatures around 1000°C. The challenge from the low growth rate by GSMBE can be overcome by use of a two-step growth method [8]. While on-axis 3C-SiC films normally grow on Si substrates like 3C-SiC(111)/Si(111), (110)/(110) and (100)/(100), tuning of the growth conditions provides crystallographic rotation, i.e. 3C-SiC(111)/ Si(110) [9]. EG films are then formed by annealing the 3C-SiC films at ~1250°C in UHV, in which Si atoms sublimate from the surface. One of our surprises, and the benefits as well, is the fact that EG grows not only on the crystallographically coherent 3C-SiC(111) surface but also on the incoherent 3C-SiC(100) and (110) surfaces [4,6]. As for the EG/3C-SiC(111)/Si(111), it is shown that the growth proceeds in a quite similar manner as on the Si-terminated 6H-SiC(0001) surface. The inerfacial structure, the stacking, and the electronic structure of EG are shared by these to surfaces. This observation is consistent with the fact that the MMS-GSMBE-grown 3C-SiC(111)/Si(111) thin film is Si-terminated [5]. In sharp contrast, MMS-GSMBE- grown 3C-SiC(111)/Si(110) thin film is C-terminated. The EG on this surface shows essentially the same structural properties as on the C-terminated 6H-SiC(000-1) surface [7]. Similar behavior is observed on EG/3C-SiC(100)/Si(100) and EG/3C-SiC(110)/Si(110) as well, where no buffer layers form at the interface and the electronic structures are metallic [4,6]. Despite a lot of room for betterment, GOS technology has a high potential to introduce graphene into Si technology.

References

[1] Suemitsu et al., e.-J. Surf. Sci. Nanotech. 7 (2009) 311.
[2] Miyamoto et al. , e.-J. Surf. Sci. Nanotech. 7 (2009) 107.
[3] Fukidome et al., Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 01AH03.
[4] M. Suemitsu and H. Fukidome, J. Phys. D: Appl. Phys. 43 (2010) 374012
[5] R. Takahashi et al., Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 070103
[6] H. Fukidome,et al., J. Mater. Chem. 21, 17242 (2011).
[7] H. Fukidome, et al., Appl. Phys. Exp. 4, 115104 (2011).
[8] E. Saito, S. N. Filimonov and M. Suemitsu: Jpn. J. Appl. Phys. 50 010203(2011)
[9] A. Konno et al.,ECS Transactions 3, 449 (2006).


В среду, 25 сентября в 11 часов в конференц-зале административного корпуса состоится институтский семинар. Тарасов Антон Сергеевич выступит с докладом "Магнитотранспортные свойства гибридных структур Fe/SiO2/p-Si"

Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.11 – физика магнитных явлений.

Работа выполнена в Федеральном государственном бюджетном учреждении науки Институте физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук (ИФ СО РАН)

Рецензент - к.ф.-м.н. Зиновьева Айгуль Фанизовна

В среду, 19 июня в 10 часов в конференц-зале административного корпуса состоится институтский семинар. Лошкарев Иван Дмитриевич выступит с докладом "Напряженное состояние и дислокационная структура пленок GaAs, GaP GeSi" (кандидатская диссертация).

Специальность - 01.04.07 "Физика конденсированного состояния"

Научный руководитель - д.ф.-м.н. Труханов Евгений Михайлович

Рецензент - к.ф.-м.н. Торопов Александр Иванович

 

Во вторник, 11 июня в 16 часов 30 минут в конференц-зале административного корпуса состоится защита диссертации Гуляевым Дмитрием Владимировичем "Взаимодействие экситонов и носителей заряда в электрическом поле поверхностной акустической волны в GaAs/AlAs сверхрешетках второго рода", представленной на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 "Физика полупроводников".

Научный руководитель - д.ф.-м.н. Журавлев Константин Сергеевич

Во вторник, 11 июня в 15 часов в конференц-зале административного корпуса состоится защита диссертации Кожемякиной Еленой Владимировной "Процесс формирования экситонов в GaAs и AlGaAs при нерезонансном оптическом возбуждении", представленной на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.-4.10 "Физика полупроводников".

Научный руководитель - д.ф.-м.н. Журавлев Константин Сергеевич

В среду, 22 мая в 10 часов в конференц-зале административного корпуса состоится институтский семинар. Павский Кирилл Валериевич выступит с докладом "Методы расчета показателей и анализ эффективности функционирования большемасштабных распределенных вычислительных систем"

Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук по специальности 05.13.15 - Вычислительные машины, комплексы и компьютерные сети.

Научный консультант - член-корреспондент РАН Хорошевский Виктор Гаврилович

Рецензент - главный научный сотрудник ИВМиМГ СО РАН, д.ф.-м.н. Попков Владимир Константинович

В среду, 8 мая в 10 часов в конференц-зале административного корпуса состотися институтский семинар. Шаяпов Владимир Равильевич выступит с докладом  "Физико-химические свойства пленок, образующихся в плазмохимическом процессе осаждения из паров гексаметилдисилазана".

Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  по специальности 02.00.04 "Физическая химия".

Рецензент - к.х.н. Семенова Ольга Ивановна

Работа выполнена в ИНХ СО РАН

Во вторник 26 марта в 10 часов в конференц-зале административного корпуса состоится институтский семинар. Терещенко Олег Евгеньевич выступит с докладом "Сверхструктурные переходы на поверхностях полупроводников А3В5 с адсорбатами".

Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по специальности 01.04.10 "Физика полупроводников".

Научный консультант - д.ф.-м.н. Альперович Виталий Львович

Рецензент - д.ф.-м.н. Ольшанецкий Борис Зейликович

В среду 20 марта в 11 часов в конференц-зале административного корпуса состоится институтский семинар. Деребезов Илья Александрович выступит с докладом "Лазеры с вертикальным резонатором на основе гетероструктур в системе материалов InGaAs-AlGaAs".

Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 "Физика полупроводников".

Научный руководитель - д.ф.-м.н. Гайслер Владимир Анатольевич

Рецензент - д.ф.-м.н. Рябцев Игорь Ильич

В среду 20 марта в 10 часов в конференц-зале административного корпуса состоится институтский семинар. Ахундов Игорь Олегович выступит с докладом "Формирование террасированных поверхностей арсенида галлия в равновесных условиях".

Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10"Физика полупроводников".

Научный руководитель - д.ф.-м.н. Альперович Виталий Львович

Рецензент - д.ф.-м.н. Шкляев Александр Алексеевич

В среду 13 марта в 10 часов в конференц-зале административного корпуса состоится институтский семинар. Гуляев Дмитрий Владимирович выступит с докдатом на тему "Взаимодействие экситонов и носителей заряда в электрическом поле поверхностной акустической волны в GaAs/AlAs сверхрешетках второго рода". Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 "Физика полупроводников".

Научный руководитель - д.ф.-м.н. Журавлев Константин Сергеевич

Рецензент - д.ф.-м.н. Милехин Александр Германович

Во вторник 12 марта в 15 часов в конференц-зале административного корпуса состоится защита диссертации Абрамкиным Демидом Суадом на тему "Энергетический спектр гетероструктур GaAs/GaP  и GaSb/GaP".

Специальность - 01.04.10 "Физика полупроводников"

Научный руководитель - к.ф.-м.н. Шамирзаев Тимур Сезгирович

В среду 6 марта в 10 часов в конференц-зале административного корпуса состоится институтский семинар. Кожемякина Елена Владимировна  выступит с докладом "Процесс формирования экситонов в GaAs  и AlGaAs при нерезонансном оптическом возбуждении".

Специальность 01.04.10 "Физика полупроводников"

Рецензент - д.ф.-м.н. Альперович Виталий Львович

Научный руководитель - д.ф.-м.н. Журавлев Константин Сергеевич

В среду 30 января в 10 часов в конференц-зале админ.корпуса состоится Институтский семинар.

Бугров Владислав Евгеньевич выступит с докладом "Физико-технологические проблемы нитридных полупроводниковых гетероструктур и светодиодных устройств на их основе"  (диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук).

Специальность 01.04.10 - физика полупроводников

Рецензент - к.ф.-м.н. Преображенский Валерий Владимирович

Работа выполнена в группе компаний Оптоган и на кафедре Светодиодных Технологий Санкт-Петербургского Национального Исследовательского Университета Информационных Технологий, Механики и Оптики