Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
2014

Программа
конкурса научных работ ИФП СО РАН

21.04. - 23.04.2014 г.
21 апреля
, понедельник 9:00-13:00
конференц-зал АК

Председатель сессии: В.Л. Альперович

Направление I

(направление) Время Авторы, название работы Рецензенты
9:00

Вступительное слово директора ИФП СО РАН

(I) 9:10

А.В. Гайслер, А.С. Ярошевич, И.А. Деребезов, А.К. Калагин, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, Д.В. Щеглов, В.А. Гайслер, А.В. Латышев, А.Л. Асеев

Тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек

Работа победитель конкурса 2013 года по I направлению
1
(I)
9:30

Е.Б. Ольшанецкий, З.Д. Квон, М.В. Энтин, Л.И. Магарилл, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий

Влияние электронно-дырочного рассеяния на транспортные свойства двумерного полуметалла в квантовой яме HgTe

Терещенко О.Е
Ткаченко В.А.
2
(I)
10:10

И.И. Бетеров, М. Саффман, Е.А. Якшина, В.П. Жуков, Д.Б. Третьяков, В.М. Энтин, И.И. Рябцев, К. Мансела, К. Маккормик, С. Бергамини и М.П. Федорук

Квантовые логические операции в мезоскопических атомных ансамблях на основе адиабатического прохождения и дипольной блокады

Рубцова Н.Н.
Зиновьева А.Ф.

10:50 - 11:00 Перерыв

3
(I)
11:00

Д.И. Рогило, Л.И. Fedina, С.С. Косолобов, Ranguelov B.S., А.В. Латышев

Критическая ширина террасы для двумерного зарождения при росте Si на поверхности Si(111)-(7×7)

Альперович В.Л.
Тийс С.А.
4
(I)
11:40

А.А. Шевырин, А.Г. Погосов, М.В. Буданцев, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, С.С. Косолобов, Т.А. Гаврилова, А.С. Кожухов, С.В. Ишуткин, Е.В. Шестериков и А.С. Аракчеев

Кондактанс нелинейно колеблющейся нанопроволоки

Ткаченко В.А.
Брагинский Л.С.
5
(I)
12:20

А.Ф. Зиновьева, Н.П. Степина, А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский, Л.В. Кулик, N.A. Sobolev, M.C. Carmo

Электронные состояния в структурах с Ge/Si квантовыми точками: исследование методом ЭПР

Брагинский Л.С.
Климов. Э.

22 апреля, вторник 9:00 - 13:10
конференц-зал АК

Председатель сессии: А.К. Гутаковский

Время Авторы, название работы Рецензенты
6
(I)
9:00

Ю.Б. Болховитянов, А.П. Василенко, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов

Особенности пластической релаксации метастабильного слоя GexSi1-x (x~0.3-0.5) нанометровой толщины, захороненного между подложкой Si и релаксированным слоем Ge

Федина Л.И.
Зиновьев В.А.
7
(I)
9:40

Д.С. Абрамкин, В.Т. Шамирзаев, А.К. Гутаковский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Преображенский и Т.С. Шамирзаев

Кристаллическое строение и энергетический спектр GaSb/GaP квантовых точек

Болховитянов Ю.Б.
Блошкин А.А.
8
(I)
10:20

Жачук Р.А., Тийс С.А.

Структурные изменения на поверхностях Si(111) и Ge(111) под действием упругих деформаций

Шварц Н.Л.
Путято М.А.

11:00 - 11:10 Перерыв

9
(I)
11:10

А.С. Ильин, И.Д. Лошкарев, А.В. Колесников, Е.М. Труханов, А.С. Тийс, А.К. Гутаковский, К.Н. Романюк, М.М. Качанова

Анализ структуры дислокационных сеток гетерограницы Ge/Si(111) на основе экспериментальных данных электронной и сканирующей туннельной микроскопии

Шкляев А.А.
Вдовин В.И.
10
(I)
11:50

Д.Р. Исламов, В.А. Гриценко

Эволюция типа проводимости в плёнках оксидных диэлектриков при вариации стехиометрии

Блошкин А.А.
Наумова О. В.
11
(I)
12:30

А.В. Вишняков, В.А. Стучинский, Д.В. Брунев, А.В. Зверев, С.А. Дворецкий

Определение длины диффузии носителей заряда в фоточувствительном слое матричных фотоприемников на основе HgCdTe

Фрицлер К.Б.
Ковчавцев А.П.

23 апреля, среда, 9:00-12:10 и 13:50
конференц-зал АК

Председатель сессии: Ю.Г. Сидоров

Направление II

Время Авторы, название работы Рецензенты
12
(II)
9:00

Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий, В.Н. Кручинин, В.А. Швец, Н.А. Аульченко, В.Ю. Прокопьев, Д.В. Пышный, В.В. Власов

Эллипсометры высокого пространственного разрешения для диагностики процессов перспективных label-free бионанотехнологий

Вайнер Б.Г.
Соколов Л.В.
13
(II)
9:40

Дульцев Ф.Н., Колосовский Е.А., Мик И.А., Ломзов А.А., Пышный Д.В.

Новый метод получения генетической информации с помощью QCM-сенсора по измерению силы раскручивания двойной спирали ДНК

Энтин М.В.
Романов С.И.
14
(II)
10:20

А.В. Царев, Ф.Д. Леонардис, В.М. Пассаро

Эффективное считывание данных с волоконных брэгговских датчиков

Швец В.А.
Рябцев И.И.

11:00 - 11:10 Перерыв

15(II) 11:10

А.Г. Журавлев, М.Л. Савченко, А.С. Ярошевич, А.Г. Паулиш, Г.Э. Шайблер, В.Л. Альперович

Электронные свойства поверхности GaAs(001) с неравновесными слоями цезия

Брагинский Л.С.
Терещенко О.Е.
16
(II)
11:50

И.А. Котин, И.В. Антонова, Р.А. Соотс, В.Я. Принц, В.А. Селезнев, А.И. Комонов, В.А. Володин

Структуры графен – гибридная подложка, обеспечивающие высокую подвижность носителей в графене

Сафронов Л.Н.
Протасов Д.Ю.
17
(II)
12:30

И.Е. Тысченко, А.Г. Черков, М. Фёльсков, В.П. Попов

Ионно-лучевой синтез нанокристаллов InSb на границе раздела Si/SiO2 структур кремний-на-изоляторе»

Шкляев А.А.
Федина Л.И.
18
(II)
13:10

Н.А. Небогатикова, И.В. Антонова, В.Я. Принц, В.А. Володин, И.С. Жидков

Создание фторографена с разной степенью фторирования путем химической модификации графена

Попов В.П.
Погосов А.Г.

Перерыв до 15:00

15:00 Обсуждение конкурсных работ

Председатель сессии: В. А. Ткаченко

После окончания дискуссии - заседание конкурсной комиссии