Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА
Сибирского отделения Российской академии наук
НОВОСТИ
22.05.17
Лекция академика Красникова

При содействии ИФП СО РАН 19 мая 2017 г. в НГУ прошла лекция академика РАН, председателя Совета директоров, генерального конструктора ПАО «Микрон», генерального директора АО «НИИМЭ» Красникова Геннадия Яковлевича «Транзисторные характеристики в современной микроэлектронике».

Лекция была посвящена вопросам развития транзисторной технологии и её влиянию на современный мир.

Геннадий Яковлевич рассказал об истории создания первых транзисторов, эволюции технологий и современных тенденциях в области микроэлектроники.

В результате живого диалога участники встречи получили ответы на вопросы, касающиеся научных аспектов полупроводниковых технологий, перспектив развития и успехов отечественной микроэлектроники в современном мире. По словам академика Красникова Г.Я. российская микроэлектроника имеет все шансы найти свою нишу в мировом рынке электроники. Созданная приборная база уже позволяет реализовать самые современные приборы для специальных применений на российских предприятиях. Имеются планы и бюджетное финансирование для перехода на технологический процесс 28 и 16 нм.