[Ильина Лариса Александровна]
Главный специалист по международным связям Института

Ильина Лариса Александровна
к.х.н.
Тел. +7(383)333-32-60
Факс: +7(383)333-27-71
E-mail:

Международные связи с зарубежными странами Институт осуществляет в виде совместных научно-исследовательских работ с ведущими институтами, фирмами, университетами; участия сотрудников Института в международных совещаниях, симпозиумах, конференциях; по линии приема зарубежных ученых, представителей фирм; подготовки проектов, программ в рамках зарубежных фондов; проведении научно-технических мероприятий с участием зарубежных ученых.

Гранты, договоры, контракты, 2013 год

  1. Грант РФФИ 11-02-92004-ННС_а (Россия-Тайвань, Центр по изучению конденсированного состояния Государственного Тайваньского университета), «Создание прямозонных полупроводников IV группы добавлением олова», 2011-2013 гг. (В.И. Машанов)
  2. Грант РФФИ 12-02-90437-Укр_а. (Россия-Украина, Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины) «Электронная структура кремниевых квантовых точек в германии», 2012-2013гг. (А.В.Двуреченский).
  3. Грант РФФИ 12-02-90036-Бел_а.(Россия-Беларусь, Институт физики им.Б.И.Степанова НАНБ) «Структурные и оптические свойства многослойных Ge/Si наноструктур с совмещенными квантовыми точками и квантовыми кольцами», 2012-2013гг. (А.В.Двуреченский).
  4. Грант РФФИ 12-02-90443-Укр_а (Россия–Украина, Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины) «Фундаментальные характеристики и проблемы диагностики нанопроволочных и атомарно тонких полевых приборов на основе алмаза, кремния и графена», 2012-2013гг. (В.П.Попов)
  5. Грант РФФИ 13-02-91182-ГФЕН_а (Россия -_Китай, Институт полупроводников Академии наук Китая) «Исследование механизмов пластической релаксации в буферных слоях AIIIBV при молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках: выявление путей уменьшения плотности прорастающих дислокаций», 2013-2014гг. (В.В.Преображенский)
  6. Грант РФФИ 13-02-92105 ЯФ (Россия-Япония, Радиационный центр Университета Хиросимы) «Исследование электронной структуры новых топологических материалов с разрешением по спину», “Study of spin resolved electronic structures of new topological materials”, 2013-2014гг. (Терещенко)
  7. Интеграционные проекты СО РАН с международным участием

  8. Проект фундаментальных исследований СО РАН и НАН Беларуси №14 «Научные основы инженерии оптических свойств наноструктур А3В5 для лазерных технологий в ближней ИК области спектра» с участием ГО «НПЦ НАН Беларуси по материаловедению», ГНУ «ИФ НАН Беларуси» и БНТУ, 2012-2014гг. (Н.Н.Рубцова).
  9. Проект СО РАН и Национального Научного Совета Тайваня , «Короткопериодная сверхрешетка InAs / GaSb II-го типа, , выращенная методом молекулярно-лучевой эпитаксии: влияние состава и структуры гетерограниц на параметры фотодетектирования » с участием Национального Ченг Кунг Университета Тайваня , 2013-2015гг. (В.В.Преображенский).
  10. Проект СО РАН и Национального Научного Совета Тайваня «Электронные свойства high-κ диэлектриков в КМОП приборах» с участием Национального Чао Тунг Университета Тайваня (National Chiao Tung University) , 2011-2013гг. (В.А.Гриценко).
  11. Проект фундаментальных исследований СО РАН и НАН Беларуси №11 «Формирование, структурные и электронные свойства квантовых точек Si в Ge» с участием Института физики им. Б.И.Степанова НАНБ , 2012- 2014гг. (А.В.Двуреченский).
  12. Проект фундаментальных исследований СО РАН и НАН Беларуси №28 «Разработка на основе оптимальных спиральных элементов киральных метаматериалов для создания плоской «линзы» в терагерцовом диапазоне» с участием Института физики им. Б.И.Степанова НАНБ и Гомельского государственного университета им.Ф.Скорины Минобразования РБ, 2012-2014гг. (В.Я.Принц).
  13. Другие гранты

  14. Проект научного обмена No.247475 “COLIMA” в рамках 7 Европейской рамочной программы FP7-PEOPLE-2009-IRSES, « Когерентное управление светом и веществом посредством интерференции состояний, одетых лазерным полем», 2011-2014гг. (И.И.Рябцев).
  15. Грант ERA.NET – СО РАН (RUS, SQUAD:PA), (Германия, Швейцария, Норвегия «Кристалл самоорганизованных квантовых точек: физика и применение» (Self-assembled quantum dot crystal: Physics and Application), 2012-2014гг. (Н.П.Стёпина).
  16. Грант EP/K022938/1 «Исследование вычислительной мощности квантового дискорда» («Testing the computational power of discord»), The Open University, Milton Keynes, UK, 2012-2014гг. (И.И.Бетеров)
  17. Договоры о научном сотрудничестве с научными организациями зарубежных стран

  18. Исследовательский институт технической физики и материаловедения ВАН (г.Будапешт, Венгрия) «Структурные и электронные свойства низкоразмерных AlGaN/GaN структур различной полярности», 2011-2013гг. (К.С.Журавлев)
  19. Университет технологии (Кемниц, Германия) «Исследование полупроводниковых наноструктур», 2006-2016гг. (А.Г.Милехин)
  20. Университет Дортмунда (Дортмунд, Германия) «Синтез и исследование новейших полупроводниковых самоорганизованных структур с квантовыми точками», 2009-2014гг. (Т.С.Шамирзаев)
  21. Институт физики АН ЧР (Прага, Чехия) «Исследование квантоворазмерных эффектов в оптических свойствах полупроводниковых наноструктур», 2012-2014гг. (К.С.Журавлёв)
  22. Университет Регенсбурга (Регенсбург, Германия) «Исследование электрических и фотогальванических эффектов в низкоразмерных электронных системах под воздействием терагерцового излучения», 2009-2015гг. (Квон Зе Дон)
  23. Университет Авейро (Авейро, Португалия) «Влияние поверхностных реконструкций на атомные процессы», 2010-2015гг. (Б.З.Ольшанецкий, Р.А.Жачук).
  24. Институт физики (Сан-Пауло, Бразилия) «Исследования в области физики двумерных систем», 2008-2015гг. (Квон Зе Дон)
  25. Институт Пауля Шерера (Вилиген, Швейцария) «Развитие методов наноструктурирования для получения наноматериалов и покрытий больших площадей», 2012-2014гг. (В.Я.Принц).
  26. Институт полупроводников Академии наук Китая (Пекин, Китай) «Исследование физических процессов при эпитаксиальном росте материалов на основе полупроводниковых структур и изучение их свойств», 2012-2014гг. (В.В.Преображенский)
  27. Филиппс Университет (Марбург, Германия) «Моделирование структурных и оптических свойств современных полупроводниковых соединений», 2012-2015гг. (А.В.Ненашев).
  28. Университет Авейро (Авейро, Португалия) «Электромеханические и адсорбционные свойства графена», 2013 – 2015 гг. (К.Н.Романюк)
  29. Технический университет (г.Бари, Италия) «Исследования в области интегральной оптики» 2010-2014гг. (А.В.Царев).
  30. Контракты, Договоры с фирмами

  31. Контракт с Советом по научным и технологическим услугам (STFC), Daresbury Laboratory о научных исследованиях и разработках № 070042081 «Разработка и передача новой экспериментальной методики измерения распределений фотоэлектронов по поперечной компоненте энергии»“Development and implementation of a new experimental technique for the measurement of photoelectron transverse energy distributions”, 2012-2013гг. (А.С.Терехов)
  32. Контракт 749-12 с Лоянгским Центром развития оптоэлектронной технологии ( Лоянг, Китай) «Исследование механизмов роста напряженных сверхрешёток GaSb/InAs методом МЛЭ», 2013-2014гг. (А.И.Никифоров).
  33. Контракт 782-13 с Лоянгским Центром развития оптоэлектронной технологии ( Лоянг, Китай) «Определение возможных путей изготовления и исследования гетеропереходов на основе материалов AIIIBV , 2013-2014гг. (В.В.Преображенский)
  34. Партнерские Соглашения

  35. Соглашение о сотрудничестве с компанией “Daresbury Laboratory CCLRC” (Вэррингтон, Великобритания) “Research and development in accelerator physics and related techniques”2011-2014гг. (А.С.Терехов)
  36. Техасский центр по сверхпроводимости и перспективным материалам, Университет Хьюстона (Хьюстон, США) Меморандум о договоренности о проведении исследований в области взаимных интересов, 2009-2015гг. (О.П.Пчеляков)
  37. Университет Брешиа (Италия) Меморандум о сотрудничестве в области фундаментальных исследований по осаждению тонких плёнок и их характеризации с помощью рентгеновских методов, 2009-2014гг. (О.П.Пчеляков)

Гранты, договоры, контракты, 2014-2016 гг.

    Совместные гранты РФФИ

  1. Грант РФФИ М 14-02-91371 СТ_а (Россия- Турция, Университет Гази), "Управление свойствами двумерного электронного газа с помощью in situ пассивации поверхности AlGaN/GaN гетероструктур при молекулярно-лучевой эпитаксии", 2014-2015 гг. (К.С. Журавлёв)
  2. Грант РФФИ М 14-02-92007 (Россия – Тайвань, Национальный Чиао Тун Университет) "InGaN/AlN квантовые точки для источников одиночных и запутанных фотонов, работающих при комнатной температуре", 2014-2016гг. (К.С.Журавлёв).
  3. Грант РФФИ М 14-02-90410 Укр_а (Россия-Украина, Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва НАН Украины), «Закономерности формирования фононного спектра полупроводниковых нанокристаллов со структурой ядро/оболочка в условиях сильного пространственного ограничения», 2014-2015 гг. (А.Г. Милёхин).
  4. Грант РФФИ М 14-02-90036 Бел_а (Россия- Беларусь, Институт физики им.Б.И.Степанова НАНБ), «Электронная структура планарных молекул из квантовых точек Ge в Si», 2014-2015 гг. (А.В. Двуреченский).
  5. Грант РФФИ М 14-07-90403 Укр_а (Россия - Украина, Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва НАН Украины), «Формирование и свойства гетероструктур Si/SiO2/Si со встроенными в диэлектрик нанокластерами кремния: эксперимент, моделирование, влияние углерода», 2014-2015 гг. (И.Г. Неизвестный).
  6. Грант РФФИ 15-52-50017 ЯФ_а (Россия-Япония, Радиационный центр Университета Хиросимы), «Структура спин-поляризованных электронных состояний в дираковских материалах на основе Ge», 2015-2016 гг. (О.Е. Терещенко).
  7. Грант РФФИ 15-52-53080 ГФЕН_а ( Россия- Китай, Университет науки и технологии), «Структурные и люминесцентные свойства люминофоров на основе твердых растворов гранатов», 2015-2016 гг. (В.В. Атучин).
  8. Грант РФФИ 15-52-16008 НЦИЛ_а (Россия-Франция, Лаборатория сильных магнитных полей НЦНИ), «Свойства поверхностных состояний трехмерного топологического изолятора на основе теллурида ртути», 2015-2017 гг. (Н.Н. Михайлов).
  9. Грант РФФИ 15-52-16017 НЦИЛ_а (Россия-Франция, Университет Монпелье), «Терагерцовая спектроскопия двумерных топологических изоляторов HgTe/CdHgTe». (С.А. Дворецкий).
  10. Грант РФФИ 16-52-00160 «Экситон-плазмонное взаимодействие в системе Ge/Si с квантовыми точками Ge», Двуреченский А.В. (Россия-Беларусь, Институт физики им. Б.И. Степанова НАНБ).
  11. Другие гранты

  12. Грант № 295264 “COSMA” в рамках 7 Европейской рамочной программы FP7-PEOPLE-2009-IRSES, «Когерентные оптические сенсоры для медицинских применений», 2012-2016 гг. (В.М. Энтин).
  13. Договоры о научном сотрудничестве с научными организациями зарубежных стран

  14. Университет технологии (Кемниц, Германия) «Исследование полупроводниковых наноструктур», 2006-2016 гг. (А.Г. Милехин)
  15. Университет Дортмунда (Дортмунд, Германия) «Синтез и исследование новейших полупроводниковых самоорганизованных структур с квантовыми точками», 2009-2019 гг. (Т.С. Шамирзаев)
  16. Университет Регенсбурга (Регенсбург, Германия) «Исследование электрических и фотогальванических эффектов в низкоразмерных электронных системах под воздействием терагерцового излучения», 2009-2015 гг. (Квон Зе Дон)
  17. Университет Авейро (Авейро, Португалия) «Влияние поверхностных реконструкций на атомные процессы», 2010-2015 гг. (Р.А. Жачук).
  18. Институт физики (Сан-Пауло, Бразилия) «Исследования в области физики двумерных систем», 2008-2015гг. (Квон Зе Дон)
  19. Институт полупроводников Академии наук Китая (Пекин, Китай) «Исследования в области электроники и фотоники» , 2015-2020 гг. (О.И. Семёнова)
  20. Филиппс Университет (Марбург, Германия) «Моделирование структурных и оптических свойств современных полупроводниковых соединений», 2012-2018 гг. (А.В. Ненашев).
  21. Университет науки и технологии (Пекин, Китай) «Исследование в области новых люминесцентных материалов» (“The investigation in the field of new luminescent materials”), 2014-2017 гг. (В.В. Атучин).
  22. Центр развития оптоэлектронной технологии (Лоян, Китай) «Исследование физических процессов при эпитаксиальном росте материалов на основе полупроводниковых структур и изучение их свойств» (Basic physics on epitaxial growth of semiconductor nanostructure materials and study of their properties), 2013-2016 гг. (В.В. Преображенский)
  23. Институт физики ПАН (Варшава, Польша), Университет Жешув (Жешув, Польша) «Исследование квантового спинового эффекта Холла и топологических изоляторов в одномерных II – VI квантовых наноструктурах» (“The investigation of Quantum Spin Hall Effect and topological insulators in one- dimensional II-VI quantum nanostructures”), 2014-2016 гг. (С.А. Дворецкий).
  24. Проект 90 298 (Фонд Фольксвагена) «Оптико-электронные явления переноса в узкозонных полупроводниковых структурах для регистрации терагерцового излучения» (Университет Регенсбурга, Германия; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Россия; Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва НАНУ, Украина), 2016-2019 гг. (Квон Зе Дон, С.А. Дворецкий)
  25. Nippon Telegraph and Telephone Corporation (Токио, Япония), «Физические принципы и технология новых полупроводниковых и сверхпроводящих гибридных структур», 2016-2019 гг. (А.А. Шевырин).
  26. Контракты, Договоры с фирмами

  27. Контракт 823-14 с Лоянгским Центром развития оптоэлектронной технологии (Лоянг, Китай) «Изучение возможных путей получения и исследования гетеропереходов на основе материалов AIIIBV (AlInSn и InSb)», 2014-2016 гг. (В.В. Преображенский)
  28. Партнерские Соглашения

  29. Соглашение о сотрудничестве с компанией “Daresbury Laboratory CCLRC” (Вэррингтон, Великобритания) “Research and development in accelerator physics and related techniques” 2011-2019 гг. (А.С. Терехов)
  30. Техасский центр по сверхпроводимости и перспективным материалам, Университет Хьюстона (Хьюстон, США) Меморандум о договоренности о проведении исследований в области взаимных интересов, 2009-2016 гг. (О.П. Пчеляков)
  31. Соглашение о создании Международной лаборатории терагерцовых и средневолновых явлений в полупроводниковых наноструктурах (“Laboratory of Terahertz and Mid-Infrared collective Phenomena in Semiconductor Nanostructures”, TERAMIR), Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Институт физики микроструктур РАН (Россия); Институт физики высоких давлений ПАН (Польша), Университет Парижа DIDEROT (Франция) (С.А. Дворецкий)
  32. Университет Нагойя (Япония, г. Нагойя), Меморандум о договоренности о проведении исследований в области взаимных интересов, 2016-2021 гг. (А.В. Латышев)
  33. Меморандум «Исследование полупроводниковых соединений, полученных МВЕ и MOCVD; применение эллипсометрической технологии», Институт микроэлектроники Китайской академии наук и Jiagsu Leuven Instruments Co.Ltd. (Бельгия), 2016-2021 гг. (А.В. Двуреченский, С.В. Рыхлицкий)
  34. Соглашение с Минобрнаукой РФ No14.613.21.0039 (Россия – Китай, Институт полупроводников Китайской Академии наук) «Создание новых лазерных сред на основе AlGaN гетероструктур, активированных дефектами; исследование их люминесцентных и генерационных свойств и разработка лазерных систем на этой основе сине-зеленого спектрального диапазона", 2015-2016 гг. (К.С. Журавлёв).

Гранты, договоры, контракты, 2017 год

    Совместные гранты РФФИ

  1. Грант РФФИ 15-52-16008 НЦИЛ_а (Россия-Франция, Лаборатория сильных магнитных полей НЦНИ), «Свойства поверхностных состояний трехмерного топологического изолятора на основе теллурида ртути», 2015-2017 гг. (Н.Н. Михайлов).
  2. Грант РФФИ 15-52-16017 НЦИЛ_а (Россия-Франция, Университет Монпелье), «Терагерцовая спектроскопия двумерных топологических изоляторов HgTe/CdHgTe». 2015-2017гг (С.А.Дворецкий).
  3. Грант РФФИ 16-52-00160 Бел_а (Россия –Беларусь, Институт физики им. Б.И.Степанова НАНБ ) «Экситон-плазмонное взаимодействие в системе Ge/Si с квантовыми точками Ge», 2016-2017гг. (А.В.Двуреченский).
  4. Грант РФФИ 16-52-48010 ИНД_оми 2017 (Россия–Индия, Индийский институт технологии, Индаур), «Микроструктурные и электронные параметры гетероструктурных тонкопленочных солнечных батарей на основе материалов типа Cu2ZnSn(S,Se)4 и Cu2(Sn,Ge)S3,полученных методом ионного распыления», 2016-2018гг.. (А.В.Атучин).
  5. Грант РФФИ 17-52-53031 ГФЕН_а (Россия – Китай, Технический Институт физики и химии Академии наук Китая (TIPCCAS), Пекин ) «Отрицательная сжимаемость, электронные и оптические свойства новых сложных оксидных кристаллов», 2017 – 2018гг. (А.В.Атучин).
  6. Грант РФФИ 17-52-14007 АНФ_а (Россия –Австрия, Венский технический университет) «Терагерцовая магнитооптика дираковских фермионов в структурах на основе HgTe и CdHgTe», 2017-2019г.г.. (Квон-Зе Дон)
  7. Грант РФФИ 17-52-04023 Бел_мол_а (Россия-Белорусь, ГНПО «Оптика, оптоэлектроника и лазерная физика») «Атомная и энергетическая структура гетерограниц и интерфейсных дефектов в низкоразмерных структурах на основе нитридов металлов третьей группы», 2017 – 2018гг (Александров И.А.).
  8. Грант РФФИ 16-52-12023 ННИО_а (Россия – Германия, Технический Университет, Институт физики твёрдого тела) «Эффективные источники запутанных фотонных пар на основе детерминированных квантовых точек и микролинз», 2016 –2017гг. (Гайслер В.А.)
  9. Договоры о научном сотрудничестве с научными организациями зарубежных стран

  10. Университет технологии (Кемниц, Германия) «Исследование полупроводниковых наноструктур», 2006-2019гг. (А.Г.Милехин)
  11. Университет Дортмунда (Дортмунд, Германия) «Синтез и исследование новейших полупроводниковых самоорганизованных структур с квантовыми точками», 2009-2019гг. (Т.С.Шамирзаев)
  12. Университет Регенсбурга (Регенсбург, Германия) «Исследование электрических и фотогальванических эффектов в низкоразмерных электронных системах под воздействием терагерцового излучения», 2009-2018гг. (Квон Зе Дон)
  13. Университет Авейро (Авейро, Португалия) «Влияние поверхностных реконструкций на атомные процессы», 2010-2019гг. ( Р.А.Жачук).
  14. Институт физики (Сан-Пауло, Бразилия) «Исследования в области физики двумерных систем», 2008-2018гг. (Квон Зе Дон)
  15. Институт полупроводников Академии наук Китая (Пекин, Китай) «Исследования в области электроники и фотоники» , 2015-2020гг. (О.И.Семёнова)
  16. Филиппс Университет (Марбург, Германия) «Моделирование структурных и оптических свойств современных полупроводниковых соединений», 2012-2018гг. (А.В.Ненашев).
  17. Университет науки и технологии (Пекин, Китай) «Исследование в области новых люминесцентных материалов» (“The investigation in the field of new luminescent materials”), 2014-2017гг. (В.В.Атучин).
  18. Центр развития оптоэлектронной технологии (Лоян, Китай) «Исследование физических процессов при эпитаксиальном росте материалов на основе полупроводниковых структур и изучение их свойств» (Basic physics on epitaxial growth of semiconductor nanostructure materials and study of their properties), 2013-2018гг. (В.В.Преображенский)
  19. Проект 90 298 (Фонд Фольксвагена) "Оптико-электронные явления переноса в узкозонных полупроводниковых структурах для регистрации терагерцового излучения" (Университет Регенсбурга, Германия; Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, Россия; Институт физики полупроводников им.В.Е.Лашкарёва НАНУ, Украина), 2016-2019гг. (Квон Зе Дон, С.А.Дворецкий).
  20. Nippon Telegraph and Telephone Corporation (Токио, Япония), «Физические принципы и технология новых полупроводниковых и сверхпроводящих гибридных структур», 2016-2019гг. (А.А.Шевырин)
  21. Национальный институт ядерной физики - Национальная лаборатория (Гран Сассо Istituto Nazionale di Fisica Nucleare – Laboratori Nazionali del Gran Sasso) (Л’Акуила, Италия), «Исследование болометрических свойств слоёв КРТ на подложках кремния при температурах ниже чем 10mK» , 2017- 2020гг.(М.В.Якушев)
  22. Технический университет (г.Бари, Италия) «Исследования в области интегральной оптики и фотонных сенсоров», 2017-2021гг. (А.В.Царёв).
  23. Университет де Лоррейн (г.Нанси, Франция) «Исследования в области полупроводниковых наноструктур», 2017 -2020 гг. (В.А.Володин).  “Quantum Science and Technology in Novel Semiconductor and Superconductor Hybrid Structures”
  24. Контракты, Договоры с фирмами

  25. Контракт 881-16 «Изучение возможных путей получения и исследования гетеропереходов на основе материалов AIIIBV (AlInSn и InSb)»,2016-2017гг. (шифр "Топаз") (В.В.Преображенский)
  26. Партнерские Соглашения

  27. Соглашение о сотрудничестве с компанией “Daresbury Laboratory CCLRC” (Вэррингтон, Великобритания) “Разработка высоэффективных фотокатодных материалов и методик характеризации фотокатодов” 2017-2020гг. (А.С.Терехов)
  28. Университет Нагоя (Япония, г.Нагоя), Меморандум о договоренности о проведении исследований в области взаимных интересов, 2016-2021гг. (А.В.Латышев)
  29. Соглашение о создании Международной лаборатории терагерцовых и средневолновых явлений в полупроводниковых наноструктурах(“Laboratory of Terahertz and Mid-Infrared collective Phenomena in Semiconductor Nanostructures”, TERAMIR), Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, Институт физики микро структур РАН(оба Россия), Институт физики высоких давлений ПАН (Польша), Университет Парижа DIDEROT (Франция) 2015-2019гг. (С.А.Дворецкий).
  30. Меморандум «Исследование полупроводниковых соединений, полученных МВЕ и MOCVD; применение эллипсометрической технологии», Институт микролектроники Китайской академии наук и Jiagsu Leuven Instruments Co.Ltd. (Бельгия), 2016-2021гг. (А.В.Двуреченский, С.В.Рыхлицкий).

Отчётные данные за 2016 год

Приём иностранных ученых и специалистов

Организация приема иностранных ученых и специалистов осуществляется согласно Положению о порядке организации приёма зарубежных делегаций, отдельных иностранных ученых и специалистов, приказ № 8 ИФП СО РАН от 22.04.2013.

В 2016 году Институт посетили 34 зарубежных ученых, специалистов для научной работы, участия в мероприятиях, проводимых Институтом, а также представителей фирм для переговоров, наладки оборудования и в ознакомительных целях.

Выезд сотрудников Института за рубеж

Для участия в конференциях, для проведения научной работы и других целей в 2016 году выехали за рубеж 67 специалистов Института. Сотрудники Института участвовали в 43 Международных конференциях, симпозиумах, совещаниях с представлением приглашенных, устных и стендовых докладов.

Отчётные данные за 2017 год

Приём иностранных ученых и специалистов

Организация приема иностранных ученых и специалистов осуществляется согласно Положению о порядке организации приёма зарубежных делегаций, отдельных иностранных ученых и специалистов, приказ № 85 ИФП СО РАН от 30.10.2017.

В 2017 году Институт посетили 22 зарубежных ученых, специалистов для научной работы, участия в мероприятиях, проводимых Институтом, а также представителей фирм для переговоров, наладки оборудования и в ознакомительных целях.

Выезд сотрудников Института за рубеж

Для участия в конференциях, для проведения научной работы и других целей в 2017 году выехали за рубеж 75 специалистов Института. Сотрудники Института участвовали в 45 Международных конференциях, симпозиумах, совещаниях с представлением приглашенных, устных и стендовых докладов.

Участие сотрудников ИФП СО РАН в Международных организациях

  • Директор Института, академик РАН А.В. Латышев – Международный центр по передовым материалам и электронной микроскопии при Институте физики Университета Гумбольдта (International Centre of Advanced Materials Science and Electron Microscopy, Institute Physics of the Humboldt University of Berlin)
  • Академик РАН А.В. Чаплик – Американское физическое общество (American Physical Society).
  • Член-корреспондент РАН И.Г. Неизвестный – Американское физическое общество (American Physical Society).
  • Заведующий лабораторией член-корреспондент РАН А.В. Двуреченский – Комиссия Международного Союза Фундаментальной и прикладной Физики (International Union of Pure and Applied Physics, IUPAP); Руководитель Российской секции Американского общества по нанонауке (ANS Local Section of Russia); Комиссия по присуждению Международной премии в области нанотехнологий (RUSNANOPRIZE); Азиатско-Тихоокеанская академия материалов (Asia-Pacific Academy of Materials, APAM).
  • Ведущий научный сотрудник, д.ф-м.н. Т.С. Шамирзаев – Американское общество по нанонауке (American Nano Society).
  • Заведующий лабораторией, член-корреспондент РАН И.И. Рябцев – совет Отделения атомной и молекулярной физики и оптики (AMOPD) Европейского физического общества (EPS).
  • Заведующий лабораторией, к.ф-м.н. В.В. Атучин – Международный союз кристаллографов (International Union of Crystallography).
  • Заведующий лабораторией, к.х.н. О.И. Семенова – Азиатско-Тихоокеанская академия материалов (Asia-Pacific Academy of Materials, APAM).
  • Ведущий научный сотрудник, д.ф.-м.н. Б.Г. Вайнер – Американское общество по нанонауке (American Nano Society (ANS).
  • Ведущий научный сотрудник, д.ф-м.н. А.В. Царев – Общество инженеров по электротехнике и электронике/секция фотоника (IEEE/Photonics).
  • Ведущий научный сотрудник, д.ф.-м.н. А.И. Якимов – Комиссия по присуждению Международной премии в области нанотехнологий (RUSNANOPRIZE).
  • Старший научный сотрудник, к.ф.-м.н. С.В. Перминов – Американское оптическое общество (Optical Society of America); Европейское физическое общество (European Physical Society).
  • Научный сотрудник, к.х.н. Д.Р. Исламов – Американское Электрохимическое общество (The Electrochemical Society (ECS)).