РУКОВОДИТЕЛЬ

и.о. заведующего лабораторией

Дмитрий Георгиевич Есаев
к.ф.-м.н.

тел. +7(383) 330-90-29
вн. 1347
E-mail:
кабинет 343, ТК

Область интересов:

  • Физика полупроводников и диэлектриков,
  • Оптические системы,
  • Процессы переноса носителей заряда в полупроводниковых структурах,
  • Фотоприемные устройства инфракрасного и субмиллиметрового спектрального диапазонов.

Образование

  • 1974 г. окончил физический факультет НГУ по специальности  физика, прикладная математика.
  • 1990 г. защита кандидатской диссертации «Горячие электроны в двуокиси кремния»
  • 1999 г. присвоено звание старшего научного сотрудника.

Трудовая деятельность

  • 1970–1974 — стажировка — ИЯФ СО РАН по специальности "Физика элементарных частиц". Тема диплома "Мю-мезонный распадный тракт на основе безжелезных квадрупольных линз"
  • С 1974 г. основное место работы ИФП СО РАН.
  • 1974–1976 — стажер-исследователь.
  • 1977–1978 — инженер
  • 1979–1984 — младший научный сотрудник.
  • 1995–1997 — научный сотрудник.
  • 1998–2000 — старший научный сотрудник.
  • 2002–2004 — работа в Georgia State University, Department of Physics and Astronomy, Optoelectronics Lab. (Atlanta, USA). Разработка, оптимизация параметров и экспериментальные исследования фотоприемников на основе соединений A3B5 для спектрального диапазона 5-80 мкм при гелиевых температурах.
  • 2004–2006 — ведущий научный сотрудник.
  • 2006 — по настоящее время исполняющий обязанности заведующего лабораторией № 13 "Физика кинетических явлений в полупроводниках".

Публикации

Опубликовано 115 научных работ.

Избранные публикации

  1. М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, И.В. Марчишин, Б.И. Фомин, В. Н. Овсюк, "Неохлаждаемые матричные микроболометрические приемники инфракрасного диапазона". Вестник Научного центра по безопасности работ в угольной промышленности.2016, № 2, стр. 130-135.
  2. В.Ш. Алиев, М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, И.В. Марчишин, В.Н. Овсюк, Б.И. Фомин, "Неохлаждаемое микроболометрическое фотоприемное устройство формата 320х240 на основе оксида ванадия, полученного методом реактивного ионно-лучевого распыления", Успехи прикладной физики, т. 1, №4, с. 471-476 (2013)
  3. М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, И.В. Марчишин, В.Н. Овсюк, Б.И. Фомин, Б.А. Князев, В.В. Герасимов, "Применение неохлаждаемых матричных матричных микроболометрических приемников для регистрации излучения терагерцового спектрального диапазона". Автометрия, том 47, № 5, 2011, 109-113.
  4. М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, В.Н. Овсюк, Б.И. Фомин, И.В. Марчишин, В.Ш. Алиев, Б.А. Князев, В.В. Герасимов, Г.Н. Кулипанов, Н.А. Винокуров, В.И. Литвинцев,«Разработка и применение неохлаждаемых матричных микроболометров для терагерцового диапазона».Вестник НГУ, серия «Физика», том 5, вып. 4, 2010, стр. 73-78
  5. М.А. Демьяненко, Б.И. Фомин, Л.Л. Васильева, С.А. Волков, И.В. Марчишин, Д.Г. Есаев, В.Н. Овсюк, В.Л. Дшхунян, Е.Б. Володин, А.В. Ермолов, П.П. Усов, В.П. Чесноков, Ю.С. Четверов, П.Н. Кудрявцев, А.Е. Здобников, А.А. Игнатов., "Неохлаждаемое микроболометрическое фотоприемное устройство формата 320х240 на основе золь-гель VOx", Прикладная физика, № 4, с. 124-130, 2010
  6. М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, В.Н. Овсюк Б.И.Фомин, А.Л. Асеев, Б.А. Князев Г.Н. Кулипанов, Н.А. Винокуров, "Матричные микроболометрические приемники для инфракрасного и терагерцового диапазонов." Оптический журнал, т. 76, № 12, стр. 5-11, 2009
  7. Н.А. Винокуров , М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев , Б. А. Князев, Г.Н. Кулипанов, О.И. Чащина, В.С. Черкасский, "Спекл-структура изображений объектов, освещаемых монохроматическим когерентным терагерцовым излучением", Квантовая электроника, Том 39, № 5, с. 481-486. (2009)
  8. M.A.Dem’yanenko, D.G. Esaev,B. A. Knyazev, G. N. Kulipanov, and N. A. Vinokurov, "Imaging with a 90 frames/s microbolometer focal plane array and high-power terahertz free electron laser", APPLIED PHYSICS LETTER S 92, 131-116 , 2008.
  9. Д.Г. Есаев, И.В. Марчишин, В.Н. Овсюк, А.П Савченко, В.А Фатеев, В.В Шашкин, А.В. Сухарев, А.А. Падалица, И.В. Будкин, А.А. Мармалюк," Инфракрасное фотоприемное устройство 320х256 на основе многослойных структур с квантовыми ямами", Автометрия, 43, 112-118 (2007)
  10. G. Ariyawansa, M.B.M. Rinzan, D.G. Esaev, S.G. Matsik, G. Hastings, A.G.U. Perera, H.C. Liu, B.N. Zvonkov, and V.I. Gavrilenko, Near- and Far-Infrared p-GaAs Dual Band Detector, Appl. Phys. Lett, 86, 143-510, (2005).
  11. D.G. Esaеv, S.G. Matsik, M.B.M. Rinzan, A.G.U. Perera, G.Von Winckel, A. Stintz, and S. Krishna," Effect of Doped Substrate on GaAs/AlGaAs Interfacial Workfunction IR Detector Response through Cavity Effect", IEEE Transactions on Electron Devices, 52 (3), 413-418, (2005).
  12. D.G. Esaev, M.B.M. Rinzan, A.G.U. Perera, S.G. Matsik, G.Von Winckel, A. Stintz, and S. Krishna, "Free carrier absorption in Be doped epitaxial AlGaAs thin films". Appl. Phys. Lett., 85 (22), pp.5236-5238 (2004)
  13. D.G. Esaev, M.B.M. Rinzan, S.G. Matsik, A.G.U. Perera, "Design and optimization of GaAs/AlGaAs heterojunction infrared detectors", Jour. Appl. Phys,96, pp. 4588-4597 (2004)
  14. S.G. Matsik, M.B.M. Rinzan, D.G. Esaev, A.G.U. Perera, H.C. Liu, M. Buchanan, "20 m cutoff heterojunction interfacial workfunction internal photoemission detectors", Appl. Phys. Lett., 84, 3435-3437 (2004)
  15. D.G. Esaev, M.B.M. Rinzan, S.G. Matsik, A.G.U. Perera, H.C. Liu, B.N. Zvonkov, V.I. Gavrilenko, A.A. Belyanin, "High performance single emitter homojunction interfacial workfunction far infrared detectors", J. Appl. Phys., 95, 512-519 (2004)
  16. M.B.M. Rinzan, S.G. Matsik, D.G. Esaev, A.G.U. Perera, H.C. Liu, M. Buchanan, Z.R. Wasilewski, "Heterojunction interfacial workfunction internal photoemission detectors for use at 8-20 m", IEE Proc.-Optoelectronics., 150, 385-389 (2003)
  17. D.G. Esaev, S.G. Matsik, M.B.M. Rinzan, A.G.U. Perera, H.C. Liu, M. Buchanan, "Resonant cavity enhancement in heterojunction GaAs/AlGaAs Terahertz detectors" J. Appl. Phys., 93, 1879-1883 (2003).
  18. S.G. Matsik, M.B. M. Rinzan, A.G.U. Perera, D.G. Esaev, H.C. Liu, Z.R. Wasilewski, M. Buchanan, "Resonant cavity enhanced GaAs/AlGaAs IR detectors", Quantum Sensing: Evolution and Revolution from Past to Future”, 27-30 January 2003, San Jose, California, USA, Proc. SPIE, vol. 4999 (2003), pp. 467-477
  19. С.П. Синица, Д.Г. Есаев, A.A. Французов, "Фотоприемники с блокированной прыжковой проводимостью", "Матричные фотоприемники для ИК диапазона", Сборник трудов под ред. С.П. Синицы «Наука», Новосибирск, 2001, стр. 256-306.
  20. Ж.В. Гуменюк-Сычевская, Д.Г. Есаев, Ф.Ф. Сизов, В.Н. Овсюк, В.В. Васильев, "Процессы токопереноса в n+-p-фотодиодах на основе HgCdTe", ФТП, 35 (7), 835-840 (2001)
  21. Есаев Д.Г., Синица С.П., "Фотоэлектрические характеристики ИК фотоприемников с блокированной прыжковой проводимостью", ФТП, 35(4), 474-478 (2001)
  22. Есаев Д.Г., Синица С.П., "Инжекционные токи в кремниевых структурах с блокированной прыжковой проводимостью", ФТП, 34(10), 1270-1274 (2000)
  23. Esaev D.G., Sinitsa S.P., "Hot electrons in silicon dioxide and nitride films", Microelectronic Engineering, 1993, v.22, 1-4, pp. 211-214.
  24. Есаев Д.Г., Ефимов В.М., Шкляев А. А., "Effect of hydrogen on hot electron energy relaxation in SiO2 and Si3N4 films". Thin solid films, v.221, 1992, 160-165
  25. Есаев Д.Г., Синица С.П., "Горячие электроны в SiO2", Сборник “Аморфные Полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике” АПН, Москва, 1989
  26. Есаев Д.Г., Синица С.П., "Эмиссия горячих электронов из SiO2 вблизи порогового поля", Письма в ЖТФ, 1988, т.14, в.10, 913-916.
  27. Есаев Д.Г., Синица С.П., " Эмиссия горячих электронов через заряженную поверхность диэлектрика", Письма в ЖТФ, 1986, т.12, вып.17, 1063-1066
  28. Есаев Д.Г., Синица С.П., "Бесконтактный метод измерения высоты барьера на поверхности раздела диэлектрик- полупроводник", Микроэлектроника, 1986, т.15, вып.6, 532-534
  29. Есаев Д.Г., Синица С.П., "Спектр и кинетика фотоиндуцированного поглощения в аморфном Si3N4", Микроэлектроника, 1984, т.13, вып.5, 448-455
  30. Есаев Д.Г., Шашкин В.В., "Определение радиуса локализации носителей заряда на центрах локализации в Si3N4", Электронная техника, серия Микроэлектроника, 1984, I(200)
  31. Васильев В.В., Есаев Д.Г., Синица С.П., " Фотолюминесценция аморфных слоев нитрида кремния", ЖТФ, 1982, 52, 795
  32. Васильев В.В., Есаев Д.Г., Захарьяш Т.И., "Метод волноводной спектроскопии для исследования тонких пленок", Оптика и спектроскопия, 1982, 52, №3, 545-547