Лаборатория физических основ интегральной микрофотоэлектроники

Научная деятельность:

Область научных интересов А.П. Ковчавцева связана с разработкой физико-технологических принципов построения и практической реализацией многоэлементных фотоприёмных устройств среднего спектрального диапазона на основе полупроводников A₃B₅ (в частности арсенида и антимонида индия), исследованием электрофизических и фотоэлектрических свойств приборных структур, влиянием на приборные параметры границы раздела полупроводник-диэлектрик, исследованием особенностей токопереноса в твердотельных структурах со сверхтонкими диэлектрическими и полупроводниковыми слоями.

Образование:

• 1970 г. - окончил физико-технический факультет Новосибирского электротехнического института по специальности "физическая электроника".

• 1979 г. - защитил кандидатскую диссертацию "Электрофизические свойства МДП-структур со сверхтонким термическим окислом на кремнии".

• 2003 г. - защитил докторскую диссертацию "Структуры металл – диэлектрик – полупроводник на основе арсенида индия".

Трудовая деятельность:

Основное место работы: Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск.

1970 – 1974 гг. – инженер,
1974 – 1983 гг. – младший научный сотрудник,
1983 – 1986 гг. – старший научный сотрудник,
1986 – 1999 гг. – ведущий научный сотрудник,
2000 – 2002 гг. – докторантура Томского государственного университета,
2003 – 2012 гг. – ведущий научный сотрудник,
2012 - по н.в. – и.о. зав. лаб.

Премии и награды:

1. “За успехи в работе, активное участие в общественной жизни коллектива и в связи с 25-летием Сибирского отделения Академии Наук СССР” награждён ПОЧЕТНОЙ ГРАМОТОЙ, Институт физики полупроводников, подписано (А.В. Ржанов, Е.И. Черепов, С.И. Стенин).

2. “Заслуженный ветеран Сибирского отделения АН СССР” (удостоверение № 8792) с вручением нагрудного знака.

3. Награждён почётным знаком «Серебряная сигма» за многолетний творческий труд (2007 г.), большой вклад в развитие науки и в связи с 50-летием Сибирского отделения Российской академии наук.

4. В честь 110-летия со дня основания города Новосибирска награждён памятным знаком “За плодотворную работу на благо города”.

5. В честь 115-летия со дня основания города Новосибирска награждён памятным знаком “За труд на благо города”.

6. “За многолетнюю плодотворную работу в Российской академии наук и в связи с 275-летием Академии” награждается почётной грамотой (18.05/28/04 1999 г., Москва).

Премии и награды:

С 1970 по 2014 г. опубликовано 115 научных работ, 15 Авторских свидетельств и патентов.