Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А2В6

ОБОРУДОВАНИЕ

Сотрудниками лаборатории №15 совместно с Новосибирским филиалом ИФП СО РАН «КТИПМ» разработаны и изготовлены с участием Опытного завода установки МЛЭ КРТ "Обь-М" различных поколений. Сотрудниками лаборатории №15 создан технологический комплекс, разработана технология изготовления и освоено мелкосерийное производство методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) многослойных гетероэпитаксиальных структур для фоторезистивных и фотодиодных инфракрасных (ИК) фотоприемников (ФП) на основе теллурида кадмия и ртути (КРТ) на подложках из арсенида галлия (GaAs) и кремния (Si) диаметром до 100 мм.