В четверг 31 мая  в 14:00 в конференц-зале АК состоится научный семинар Совета научной молодёжи ИФП СО РАН. На семинаре будет представлен доклад:

Д.С.Абрамкин "Атомное строение и энергетический спектр GaAs/GaP квантовых точек"

Обнаружена зависимость атомного строения GaAs/GaP КТ от условий роста. Предложена модель, описывающая наблюдаемую зависимость. Показано, что псевдоморфно напряжённые GaAsP/GaP КТ имеют энергетическую структуру второго рода с основным электронным состоянием в X долине зоны проводимости GaP, в то время как релаксированные GaAs/GaP КТ имеют энергетическую структуру первого рода с основным электронным состоянием, L долине зоны проводимости GaAs.

На семинар приглашаются молодые сотрудники, аспиранты, студенты и все желающие.