Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН
пр. Ак. Лаврентьева 13, 600090 Новосибирск, Россия
Уважаемые коллеги! Приглашаем Вас принять участие в работе IV Всероссийской конференции "Физические и физико-химические основы ионной имплантации" (с участием иностранных учёных) и международной молодёжной конференции
"Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах", которая состоится с 23 по 26 октября 2012 года в Доме ученых СО РАН Новосибирского Академгородка.
Конференция посвящена памяти Заслуженного деятеля науки и техники, профессора, д.ф.-м.н. Леонида Степановича Смирнова.
Данная серия научных форумов ведет начало с научной конференции "Физические основы ионного легирования" (г.Горький, 1971 г.). В 1990 г. в г.Горьком (г.Н.Новгороде) была проведена научная школа, а с 1992 г. с периодичностью в 2 года проводились Всероссийские семинары, затем Всероссийская конференция (с 2006 г.) "Физические и физико-химические основы ионной имплантации". Вторая конференция (2008 г.) проводилась в г.Казани в память о чл.-корр. РАН И.Б.Хайбуллине. Третья конференция состоялась в г.Нижнем Новгороде в 2010г.
