Вернуться к расписанию

13-е заседание. Председатель - А.В.Двуреченский

Дата:	Пятница, 26 октября
Время:	14:30-16:15
Место:	Малый зал Дом Ученых, Новосибирск

Приглашенный доклад
14:30 - 15:00	Julian Duchaine , Frank Torregrosa, Yohann Spiegel Challenges and use of plasma immersion ion implantation for advanced semiconductor devices IBS, Peynier, France
15:00 - 15:15	С.П.Кобелева¹, И.М.Анфимов¹, А.М.Мусалитин¹, В.В.Калинин², К.В.Фрицлер² Влияние технологической предистории на формирование термоакцепторов в БЗП кремнии, облученном релятивистскими электронами ¹Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, ²Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск
15:15 - 15:30	А.А.Корепанов , В.В.Болотов, К.Е.Ивлев, П.М.Корусенко, Д.В.Чередов Структурные и электрофизические свойства нанокомпозита por-Si/SnO_x, полученного при воздействии мощного ионного пучка наносекундной длительности Омский филиал Института физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН, Омск
15:30 - 15:45	С.Е.Демьянов, Е.Ю.Канюков Ионно-трековая технология наноструктурированных сенсоров магнитного поля создания НПЦ НАН Беларуси по материаловедению, Минск
15:45 - 16:00	А.В.Степанов , Г.М.Филиппов Моделирование каналирования частиц в массивах углеродных нанотрубок ¹Чувашский государственный педагогический университет им. И.Я. Яковлева, Чебоксары ²Чебоксарский политехнический институт (филиал) Московского государственного открытого университета, Чебоксары
16:00 - 16:15	М.И.Маковийчук Фликкер-шумовая спектроскопия - перспективный аналитический метод исследования ионно-легированных полупроводниковых слоев Ярославский Филиал Физико-технологического института РАН, Ярославль