Вернуться к расписанию
1-е заседание. Председатель - А.Л.Асеев
Дата:
Вторник, 23 октября
Время:
10:00-11:45
Место:
Малый зал Дом Ученых, Новосибирск
10:00 - 10:15
Открытие конференции. Вступительное слово Председателя СО РАН, директора ИФП СО РАН А.Л.Асеева
Приглашенные доклады
10:15 - 10:45
В.Н.Мордкович
Реакции с участием собственных точечных дефектов в облученных полупроводникахи
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка
10:45 - 11:15
А.В.Двуреченский
Ионно-стимулированная молекулярно-лучевая эпитаксия. Импульсный отжиг наноструктур.
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск
11:15 - 11:45
А.Л.Асеев,
А.В.Латышев
Электронная и ионная литография: наноструктурирование
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск