Вернуться к расписанию
5-е заседание. Председатель - А.Ф.Вяткин
Дата: Среда, 24 октября
Время:09:00-10:45
Место: Малый зал Дом Ученых, Новосибирск
Приглашенные доклады
09:00 - 09:30
П.А.Карасёв
, А.И.Титов
Изменение свойств GaN при облучении ускоренными ионами
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт- Петербург
09:30 - 10:00
А.В.Войцеховский1
, Н.Х.Талипов2
Ионная имплантация в КРТ
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск
2Военная академия РВСН им. Петра Великого, Москва
10:00 - 10:15
Н.А.Добычин, В.В.Карзанов,
  Е.В.Семенова
Дефекты в нитриде кремния, созданные ионной имплантацией
Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского, Нижний Новгород
10:15 - 10:30
О.В.Наумова
, Б.И.Фомин, М.А.Ильницкий, В.П.Попов
Влияние ионной имплантации на накопление заряда в системах Si/SiO2 структур КНИ при ионизирующем облучении
Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск
10:30 - 10:45
О.А.Подсвиров1, П.А.Карасёв1, А.Я.Виноградов2, В.С.Беляков1, А.В.Архипов1, К.В.Карабешкин1, Н.Н.Карасёв3, Е.Н.Шубина1, А.И.Титов1
Влияние ионной бомбардировки на свойства α-C:H плёнок
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург
2Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе, Санкт-Петербург
3Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург