Вернуться к расписанию
6-е заседание. Председатель - Ф.Ф.Комаров
Дата: Среда, 24 октября
Время:11:00-12:45
Место: Малый зал Дом Ученых, Новосибирск
11:00 - 11:15
И.Е.Тысченко
Радиационно-стойкие структуры кремний-на-изоляторе с ионно-модифицированным захороненным диэлектриком
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск
11:15 - 11:30
Н.А.Добычин
, В.В.Карзанов
Фотолюминесценция нитрида кремния, обогащенного кремнием
Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского, Нижний Новгород
11:30 - 11:45
А.А.Лямкина, С.П.Мощенко, В.Г.Кеслер
Управление частотой плазмонного резонанса в нанокаплях индия при окислении ионами кислорода в плазме разряда Таунсенда
Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск
11:45 - 12:00
Zh.V.Smagina1, A.V.Dvurechenskii1,2, P.L.Novikov1, A.V.Nenashev1,2, N.P.Stepina1, S.A.Rudin1
Epitaxial growth of Ge nanocrystals on patterning Si surface with ion irradiation
1Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск
12:00 - 12:15
С.В.Ситников1, С.С.Косолобов1,2, А.В. Латышев1,2
Кинетика релаксации 3D субмикронных структур на атомно-гладкой поверхности Si(111)
1Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск
2 Новосибирский государственный университет, Новосибирск
12:15 - 12:30
И.К.Бейсембетов, Н.Б.Бейсенханов, С.К.Жариков, Б.К.Кенжалиев, К.Х.Нусупов, Т.К.Ахметов
Ионный синтез тонких пленок карбида кремния
Казахстанско-Британский Технический Университет, Алматы, Казахстан
12:30 - 12:45
И.Р.Вахитов1,2, А.А.Ачкеев1, В.Ф.Валеев2, Е.Н.Дулов1, И.А.Файзрахманов2, Л.Р.Тагиров1, Р.И.Хайбуллин1,2, М.Добели3
Влияние режимов имплантации ионов железа и последующего термического отжига на магнитный фазовый состав рутила (TiO2)
1Казанский федеральный университет, Казань
2Казанский физико-технический институт, Казань
3Швейцарская высшая техническая школа, Цюрих