Вернуться к расписанию
7-е заседание. Председатель - А.В.Латышев
Дата: Среда, 24 октября
Время:15:30-17:15
Место: Малый зал Дом Ученых, Новосибирск
Приглашенные доклады
15:30 - 16:00
Д.И.Тетельбаум, А.Н.Михайлов
Вторичное дефектообразование в кремнии при ионном облучении
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И.Лобачевского, Нижний Новгород
16:00 - 16:30
Л.И.Федина
Топологические {113}-дефекты в Si как результат кластеризации собственных междоузельных атомов и вакансий
Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск
16:30 - 17:00
N.Cherkashin
, S.Reboh, A.Lubk, P.Pochet, A.Claverie and M.J.Hÿtch
Direct mapping of strain depth distributions with a nanometer spatial resolution in ion implanted Si using Dark-Field Electron Holography
CEMES, Université de Toulouse, Toulouse, France CEA UJF, INAC, Lab Simulat Atomist (L_ Sim), Grenoble, France
17:00 - 17:15
К.В.Феклистов
, Л.И.Федина, А.Г.Черков
Упорядочение ансамбля преципитатов бора в виде слоистого распределения: учет влияния дефектов имплантации на Оствальдовское созревание ансамбля
Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск